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公开(公告)号：CN115755440A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211327259.8
申请日：2022-10-26
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供一种硅基调制器行波电极终端阻抗匹配系统及硅基调制器，属于硅基光电子技术领域，硅基调制器行波电极终端阻抗匹配系统包括：行波电极信号线、谐振电路、电阻和行波电极接地线；行波电极信号线的第一端与行波电极相连，谐振电路与电阻串联后的第一端与行波电极信号线的第二端相连，谐振电路与电阻串联后的第二端与行波电极接地线的第一端相连，行波电极接地线的第二端与行波电极相连；行波电极信号线用于将行波电极上传输的高频信号传输至谐振电路，谐振电路用于将高频信号中的交流分量与电阻进行阻抗匹配，谐振电路与电阻达到阻抗匹配状态，避免了信号反射，谐振电路阻断直流分量的传输，降低了硅基调制器的整体功耗。
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公开(公告)号：CN111610651A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010663363.9
申请日：2020-07-10
Applicant: 北京爱杰光电科技有限公司 , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于应力硅的硅基电光调制器及其制作方法，包括：阴极，所述阴极沿横向依次设置第一重掺杂区、第一中等掺杂区及第一轻掺杂区，其中所述第一轻掺杂区包括一体成形且互相垂直的平板区一及凸条区一；阳极，所述阳极沿横向依次设置第二重掺杂区、第二中等掺杂区及第二轻掺杂区，其中所述第二轻掺杂区包括一体成形且相互垂直的平板区二及凸条区二，所述第一轻掺杂区的所述凸条区一与所述第二轻掺杂区的所述凸条区二电性连接；压应力薄膜区，所述压应力薄膜区与所述平板区一接触；张应力薄膜区，所述张应力薄膜区与所述平板区二接触；本发明利用薄膜应力改变硅晶体中硅原子晶格常数，提高其中电子或空穴的迁移率，降低环路电阻。
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公开(公告)号：CN111610651B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010663363.9
申请日：2020-07-10
Applicant: 北京爱杰光电科技有限公司 , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于应力硅的硅基电光调制器及其制作方法，包括：阴极，所述阴极沿横向依次设置第一重掺杂区、第一中等掺杂区及第一轻掺杂区，其中所述第一轻掺杂区包括一体成形且互相垂直的平板区一及凸条区一；阳极，所述阳极沿横向依次设置第二重掺杂区、第二中等掺杂区及第二轻掺杂区，其中所述第二轻掺杂区包括一体成形且相互垂直的平板区二及凸条区二，所述第一轻掺杂区的所述凸条区一与所述第二轻掺杂区的所述凸条区二电性连接；压应力薄膜区，所述压应力薄膜区与所述平板区一接触；张应力薄膜区，所述张应力薄膜区与所述平板区二接触；本发明利用薄膜应力改变硅晶体中硅原子晶格常数，提高其中电子或空穴的迁移率，降低环路电阻。
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公开(公告)号：CN212623439U
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202021350401.7
申请日：2020-07-10
Applicant: 北京爱杰光电科技有限公司 , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种基于应力硅的硅基电光调制器，包括：阴极，所述阴极沿横向依次设置第一重掺杂区、第一中等掺杂区及第一轻掺杂区，其中所述第一轻掺杂区包括一体成形且互相垂直的平板区一及凸条区一；阳极，所述阳极沿横向依次设置第二重掺杂区、第二中等掺杂区及第二轻掺杂区，其中所述第二轻掺杂区包括一体成形且相互垂直的平板区二及凸条区二，所述第一轻掺杂区的所述凸条区一与所述第二轻掺杂区的所述凸条区二电性连接；压应力薄膜区，所述压应力薄膜区与所述平板区一接触；张应力薄膜区，所述张应力薄膜区与所述平板区二接触；本实用新型利用薄膜应力改变硅晶体中硅原子晶格常数，提高其中电子或空穴的迁移率，降低环路电阻。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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