公开(公告)号：CN101813834A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200910129404.X

申请日：2009-03-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 周治平 ,  毛岸 ,  郜定山 ,  朱梦霞

IPC: G02F1/025

Abstract: 本发明涉及一种双MOS结构硅基电光调制器，该结构由上到下分别为：顶层硅波导层、顶层绝缘栅层、中间层硅波导层、底层绝缘栅层、底层硅波导层、埋氧SiO2层、Si衬底。其中，顶层硅波导层以及底层硅波导层均为N型掺杂硅层，中间层硅波导层为P型掺杂硅层，该P型掺杂硅层中间设置有分光层，将其分为同样厚度的两层，分光层将入射光束分开成两束相同的光传播，该结构还包括设置在N型掺杂硅层的接地电极，以及设置在P型掺杂硅层的金属电极，缘栅层均为SiO2材料制成。本发明的双MOS结构硅基电光调制器调制速度快、效率高、器件尺寸小，可采用不同栅材料、不同尺寸，选择不同的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN101813834B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200910129404.X

申请日：2009-03-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 周治平 ,  毛岸 ,  郜定山 ,  朱梦霞

IPC: G02F1/025

Abstract: 本发明涉及一种双MOS结构硅基电光调制器，该结构由上到下分别为：顶层硅波导层、顶层绝缘栅层、中间层硅波导层、底层绝缘栅层、底层硅波导层、埋氧SiO2层、Si衬底。其中，顶层硅波导层以及底层硅波导层均为N型掺杂硅层，中间层硅波导层为P型掺杂硅层，该P型掺杂硅层中间设置有分光层，将其分为同样厚度的两层，分光层将入射光束分开成两束相同的光传播，该结构还包括设置在N型掺杂硅层的接地电极，以及设置在P型掺杂硅层的金属电极，缘栅层均为SiO2材料制成。本发明的双MOS结构硅基电光调制器调制速度快、效率高、器件尺寸小，可采用不同栅材料、不同尺寸，选择不同的掺杂浓度。