公开(公告)号：CN103149791A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210599085.0

申请日：2012-11-21

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  小岛洋介 ,  原口崇 ,  广濑智一

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/80 ,  G03F1/72 ,  G03F1/78 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/26

Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，半色调相移掩模及半色调相移掩模坯料。光图案曝光方法是通过半色调相移掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。该掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的半色调相移膜的图案，且所述材具有0.18-0.25的原子比(Met/Si)，25-50原子％的氮含量，以及5-20原子％的氧含量。该掩模可用ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射。

公开(公告)号：CN102654730A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210160739.X

申请日：2006-07-20

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  洼田宽 ,  木名濑良纪 ,  冈崎智 ,  丸山保 ,  原口崇 ,  岩片政秀 ,  福岛祐一 ,  佐贺匡

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/56

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/46 ,  G03F1/54 ,  G03F1/58 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/31616

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯，所述光掩模坯在透明基板上具有对曝光光的遮光膜，其特征在于，所述遮光膜具有100nm以下的总厚度，对于波长为450nm的光，每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1以下的铬化合物的膜厚度占到该总厚度的70％以上，所述铬化合物的膜，以原子比计铬含量为50原子％以下，且层合有铬含量不同的膜。

公开(公告)号：CN102385241A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110383933.X

申请日：2007-03-09

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  冈崎智 ,  原口崇 ,  佐贺匡 ,  小岛洋介 ,  千叶和明 ,  福岛佑一

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/46

CPC classification number: G03F1/32 ,  C23F4/00 ,  G03F1/30 ,  G03F1/46 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80 ,  Y10T428/31616

Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。

公开(公告)号：CN1763632B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200510112619.2

申请日：2005-10-11

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  木名濑良纪 ,  冈崎智 ,  原口崇 ,  岩片政秀 ,  福岛祐一

IPC: G03F1/08 ,  G03F1/14 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/58 ,  G03F1/80 ,  Y10T428/31616

Abstract: 本发明在光学透明的基板11的一侧主表面上设置遮光性膜12，上述遮光性膜12由第1遮光性膜13和第2遮光性膜14依次叠层而构成。第1遮光性膜13为在氟系(F类)干式蚀刻中不被实质蚀刻的膜，是主成分为铬的氧化物、氮化物、氧氮化物等的膜。而且，第2遮光性膜14是以可被F类干式蚀刻的含硅化合物为主成分的、硅或硅和过渡金属的氧化物、氮化物或氧氮化物等的膜。

公开(公告)号：CN101052917A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200580036565.4

申请日：2005-09-08

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  冈崎智 ,  原口崇 ,  岩片政秀 ,  高木干夫 ,  福岛祐一 ,  佐贺匡

IPC: G03F1/08

CPC classification number: G03F1/46 ,  G03F1/58 ,  G03F1/68

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料及光掩模，其是形成在透明基板上设置了具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模的原材料，是在透明基板上，经过或不经过其它的膜(A)形成1层或2层以上的遮光膜，构成上述遮光膜的层的至少1层(B)作为主要成分含有硅和过渡金属，而且硅和过渡金属的摩尔比是硅∶金属＝4～15∶1(原子比)的光掩模坯料及使用该光掩模坯料在透明基板上形成具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模。