热处理炉
    37.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103038865A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201180035789.9

    申请日:2011-06-03

    CPC classification number: H01L21/324 H01L21/22 H01L21/67109 H01L21/67754

    Abstract: 这里公开的热处理炉,用于半导体基片的热处理步骤中,其特征在于提供了柱形芯管,该柱形芯管的两端部有开口,该开口的尺寸设置成允许半导体基片插入芯管和从芯管中取出。这在连续的半导体热处理过程中减少了在批次之间的等待时间,从而提高生产率。而且,使用芯管结构的简单柱形降低了气体引入管部分失效的频率,从而降低了热处理方法的运行成本。

    成膜方法
    40.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112601839B

    公开(公告)日:2025-04-01

    申请号:CN201980055286.4

    申请日:2019-06-13

    Abstract: 本发明为一种成膜方法,其是在成膜部对雾进行热处理而进行成膜的成膜方法,其包括:在雾化部将原料溶液雾化而产生雾的工序;经由连接所述雾化部和所述成膜部的输送部,通过载气将所述雾从所述雾化部输送至所述成膜部的工序;以及,在所述成膜部对所述雾进行热处理,从而在基体上进行成膜的工序,当将所述载气的流量设为Q(L/分)、将所述载气的温度设为T(℃)时,以7<T+Q<67的方式对所述载气的流量和所述载气的温度进行控制。由此可以提供一种成膜速度优异的成膜方法。

Patent Agency Ranking