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公开(公告)号：CN113243043A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201980082989.6
申请日：2019-11-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/455
Abstract: 本发明为一种层叠体，其包含晶体基板与半导体膜，所述半导体膜设置在该晶体基板的主表面上，且含有掺杂剂并包含具有刚玉结构的氧化物半导体作为主要成分，所述氧化物半导体中所包含的Si浓度为5.0×1020cm‑3以下，所述半导体膜的电阻率为150mΩ·cm以下。由此，可提供一种层叠体，该层叠体包含适于半导体器件用途的低电阻的具有刚玉结构的半导体。
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公开(公告)号：CN110073499A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201680090769.4
申请日：2016-11-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , C08G73/10
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其特征在于具备：备有具有第1导电型的半导体基板、且在该半导体基板的第1主表面、有与前述第1导电型相反的导电型即第2导电型的发射领域，接在前述发射领域的射极电极，具有前述第1导电型的基极领域，接在前述基极领域的基极电极，与防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜的太阳能电池，前述绝缘膜是由聚酰亚胺所构成；前述绝缘膜在TOF-SIMS(飞行式二次离子质谱)法将Bi5++离子以加速电压30kV被0.2pA照射时的C6H11O2检出计数为100以下。由此，可以提供耐天候性佳、具有高光电变换特性的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN110073498A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201680090602.8
申请日：2016-11-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，在结晶硅基板的第1主表面，配置具有p型导电型的p型区域、与具有n型导电型且赋予n型导电型的添加不纯物的基板深度方向的最大浓度为5×1018atoms/cm3以上的n型区域，以覆盖p型区域与n型区域的方式配置第1保护膜，在第1主表面的相反侧的表面即第2主表面，以覆盖第2主表面的方式配置第2保护膜的背面电极型太阳能电池，其特征是第1保护膜与第2保护膜是由包含氧化铝的化合物所构成的太阳能电池。由此，提供便宜且光电变换效率高的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN109844961A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201680090007.4
申请日：2016-10-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，具有：准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的介电体膜的步骤、沿着介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法，其特征是具有对于实施部分地去除介电体膜的步骤与形成电极的步骤之后的半导体基板，测定介电体膜部分地被去除的领域的位置与形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤，基于被测定的位置关系，对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板，在调整部分地去除介电体膜的领域的位置后部分地去除介电体膜。由此，提供一种可以减低部分地去除介电体膜的领域与沿着该领域被形成的电极的位置偏移，且使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造方法。
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公开(公告)号：CN109844960A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201680089834.1
申请日：2016-10-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，其特征是具有：准备在至少一方的主表面上具有通过烧成电极前驱体而形成的电极、具有PN结的未满100℃的半导体硅基板的步骤，与将前述半导体硅基板在100℃以上450℃以下进行退火处理的步骤。由此，提供一种可以抑制只在室温·大气中放置着就使太阳能电池的输出降低这种劣化现象的制造太阳能电池的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102598308B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201080050384.8
申请日：2010-05-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了太阳能电池，其包括：具有受光面和非受光面的半导体基板；形成于半导体基板上的pn结；形成于受光面和/或非受光面上的钝化层；以及形成于受光面和非受光面上的电力提取电极。太阳能电池的特征在于，钝化层包括具有40nm或更少厚度的氧化铝膜。由于在基板表面上形成具有预定厚度的氧化铝膜，可以仅通过作为传统技术的烧成导电性糊获得优异的钝化性能以及在硅和电极之间的优异的电接触。此外，可省去过去为获得氧化铝膜的钝化效果所必需的退火步骤，由此显著地降低成本。
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公开(公告)号：CN103155163A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180035025.X
申请日：2011-07-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，对半导体基板，在电极形成工序之前实施退火工序。根据本发明，通过如上所述实施退火，能够不损害可靠性和外观，改善太阳能电池的电气特性。因此，可以广泛地利用于具有高电气特性和可靠性的太阳能电池的制造方法。
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公开(公告)号：CN117816456A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410012286.9
申请日：2021-02-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 高知县公立大学法人
Abstract: 本发明是一种成膜用雾化装置，其具有：原料容器，其容纳原料溶液；筒状部件，其在空间上连接所述原料容器的内部与外部，且设置为其下端在所述原料容器内不与所述原料溶液的液面接触；超声波发生器，其具有一个以上的照射超声波的超声波发生源；以及液槽，其使所述超声波经由中间液传播至所述原料溶液，其中，将所述超声波发生源的超声波射出面的中心线设定为u，以所述中心线u与包含所述筒状部件的侧壁面的延长的、所述筒状部件的侧壁面所形成的面的交点P比所述筒状部件的下端点B靠下的方式设置超声波发生源。由此，提供一种能够形成抑制了颗粒附着的高品质的薄膜的成膜用雾化装置。
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公开(公告)号：CN110073499B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201680090769.4
申请日：2016-11-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , C08G73/10
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其特征在于具备：备有具有第1导电型的半导体基板、且在该半导体基板的第1主表面、有与前述第1导电型相反的导电型即第2导电型的发射领域，接在前述发射领域的射极电极，具有前述第1导电型的基极领域，接在前述基极领域的基极电极，与防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜的太阳能电池，前述绝缘膜是由聚酰亚胺所构成；前述绝缘膜在TOF‑SIMS(飞行式二次离子质谱)法将Bi5++离子以加速电压30kV被0.2pA照射时的C6H11O2检出计数为100以下。由此，可以提供耐天候性佳、具有高光电变换特性的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN117613134A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311207172.1
申请日：2016-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法、太阳能电池模块和发电系统。该太阳能电池的制造方法具有：在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，在半导体基板的第一主表面，形成基底层的步骤，在基底层上形成扩散屏蔽的步骤，将扩散屏蔽图案状地除去的步骤，在除去第一主表面的扩散屏蔽的处所，形成射极层的步骤，除去残存的扩散屏蔽的步骤，于第一主表面上形成介电体膜的步骤，于基底层上形成基底电极的步骤，以及在前述射极层上形成射极电极的步骤。由此，提供削减工序数目同时呈现高的光电变换效率的太阳能电池的制造方法。
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