公开(公告)号：CN102301476A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006235.1

申请日：2010-01-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 泽山忠志 ,  广田克范 ,  渡边高典 ,  市川武史

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643

Abstract: 一种光电转换装置包括：n型表面区域；在表面区域下面形成的p型区域；和在p型区域下面形成的n型埋入层，其中，表面区域、p型区域和埋入层形成埋入光电二极管，并且，表面区域的主要杂质的扩散系数比埋入层的主要杂质的扩散系数小。

公开(公告)号：CN101510945B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200910007448.5

申请日：2009-02-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/365

CPC classification number: H04N5/37457 ,  H04N5/365 ,  H04N5/3741

Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置及其驱动方法。具有较少固定模式噪声和较少阴影的固态成像装置包括成像区域，在该成像区域中，多个像素电路被二维地布置，并且像素电路中的每一个包括：多个光电转换元件，所述多个光电转换元件中的每一个用于通过光电转换生成电荷并且用于累积所述电荷；单个浮动扩散部，用于累积所述电荷；多个传送开关，用于将所述电荷分别从所述多个光电转换元件传送到所述单个浮动扩散部；以及放大晶体管，用于对与由所述浮动扩散部累积的电荷对应的电压进行放大，其中，在将放大晶体管维持在激活状态的同时，所述多个传送开关将所述电荷从所述多个光电转换元件顺次传送到所述浮动扩散部。

公开(公告)号：CN101118919B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710143752.3

申请日：2007-08-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典 ,  板野哲也 ,  高桥秀和 ,  滝本俊介 ,  虻川浩太郎 ,  成濑裕章 ,  西村茂 ,  板桥政次

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14689

Abstract: 一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，并且所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。

公开(公告)号：CN101609813A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910151873.1

申请日：2007-08-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典 ,  板野哲也 ,  高桥秀和 ,  滝本俊介 ,  虻川浩太郎 ,  成濑裕章 ,  西村茂 ,  板桥政次

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。

公开(公告)号：CN101556961A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910134814.3

申请日：2009-04-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14812 ,  H01L29/76808 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统。在包括电荷保持部分的光电转换装置中，与构成所述电荷保持部分的半导体区域接触的元件隔离区域的一部分以与所述半导体区域相比等于或大于所述半导体区域的深度的级别从基准表面延伸到半导体衬底中，所述基准表面包括光电转换元件的光接收表面。

公开(公告)号：CN101369594A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810166297.3

申请日：2004-12-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 让原浩 ,  三岛隆一 ,  渡边高典 ,  市川武史 ,  田村清一

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/00 ,  H04N5/225

Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。

公开(公告)号：CN100438049C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410100705.7

申请日：2004-12-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 让原浩 ,  三岛隆一 ,  渡边高典 ,  市川武史 ,  田村清一

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/0256 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。