检测装置、制造该检测装置的方法和检测系统

    公开(公告)号:CN102222675A

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:CN201110087328.8

    申请日:2011-04-08

    CPC classification number: H01L27/14663 H01L27/14665 H01L31/18

    Abstract: 本发明涉及检测装置、制造该检测装置的方法和检测系统。提供了一种检测装置,其包括:衬底;开关元件,布置在衬底上方并且包括多个电极;导电线,布置在衬底上方并且与开关元件的多个电极中的第一电极电连接;和转换元件,包括布置在开关元件和导电线上方并且布置在两个电极之间的半导体层,所述两个电极中的一个电极与开关元件的多个电极中的第二电极电连接。所述转换元件的所述一个电极通过在所述一个电极和开关元件的第一电极之间或在所述一个电极和导电线之间形成的空间而被布置在开关元件和导电线上方。

    放射线摄像装置和放射线摄像系统

    公开(公告)号:CN112798626A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN202011255945.X

    申请日:2020-11-11

    Abstract: 本发明提供一种放射线摄像装置和放射线摄像系统。该装置包括:多个像素,各像素包括转换元件和开关;被构造为经由驱动线控制开关的驱动电路;被构造为经由偏置线向转换元件供应偏置电位的偏置电源单元;从所述多个像素向其输出信号的列信号线;以及检测单元。所述多个像素包括在行方向上彼此相邻且连接到公共列信号线的第一像素和第二像素。第一像素的开关和第二像素的开关连接到彼此不同的驱动线。检测单元基于流向偏置线的电流来确定有/无放射线照射。

    辐射检测装置和辐射检测系统

    公开(公告)号:CN104851897B

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201510068263.0

    申请日:2015-02-10

    Abstract: 本发明涉及辐射检测装置和辐射检测系统。辐射检测装置包括:转换元件,包含针对各像素分割的第一电极、半导体层和第二电极;切换元件,与第一电极电连接;以及第一绝缘层,分离相邻像素的转换元件。半导体层位于第一电极与第二电极之间。半导体层的外周位于第一电极的外周和第二电极的外周的外面。半导体层包括第一杂质半导体层、第二杂质半导体层和位于第一杂质半导体层与第二杂质半导体层之间的本征半导体层。限定该装置的参数,以将接通切换元件之后10μs的残留电荷设定为不高于2%。

    放射线检测装置和包括该放射线检测装置的检测系统

    公开(公告)号:CN102885632B

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201210250693.0

    申请日:2012-07-19

    Abstract: 本发明涉及放射线检测装置和包括该放射线检测装置的检测系统。该检测装置包括:驱动电路单元,在所述驱动电路单元中,为多个对应的驱动线提供了多个单元电路,每个单元电路包括第一电路和第二电路,所述第一电路根据启动信号将像素的开关元件的基于时钟信号中所包括的电压的导通电压供给驱动线,所述第二电路根据终止信号将所述开关元件的非导通电压供给驱动线;和控制单元,所述控制单元将所述时钟信号供给所述驱动电路单元。所述控制单元将控制电压供给所述多个单元电路,所述多个单元电路中的每个还包括第三电路,所述第三电路根据所述控制电压继续将非导通电压供给对应的驱动线。

    检测装置、制造该检测装置的方法和检测系统

    公开(公告)号:CN102222675B

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201110087328.8

    申请日:2011-04-08

    CPC classification number: H01L27/14663 H01L27/14665 H01L31/18

    Abstract: 本发明涉及检测装置、制造该检测装置的方法和检测系统。提供了一种检测装置,其包括:衬底;开关元件,布置在衬底上方并且包括多个电极;导电线,布置在衬底上方并且与开关元件的多个电极中的第一电极电连接;和转换元件,包括布置在开关元件和导电线上方并且布置在两个电极之间的半导体层,所述两个电极中的一个电极与开关元件的多个电极中的第二电极电连接。所述转换元件的所述一个电极通过在所述一个电极和开关元件的第一电极之间或在所述一个电极和导电线之间形成的空间而被布置在开关元件和导电线上方。

    检测器件制造方法、检测器件和检测系统

    公开(公告)号:CN102810547A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201210168410.8

    申请日:2012-05-28

    Abstract: 本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中,所述检测器件包括排列在基板上的多个像素,并且还包括层间绝缘层,所述像素各自包括开关元件和转换元件,所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层,所述电极设置在所述开关元件之上,针对每个像素被隔离,并且由与所述开关元件接合的透明导电氧化物制成,所述层间绝缘层由有机材料制成,设置在所述开关元件与所述电极之间,并且覆盖所述开关元件,所述方法包括:形成绝缘构件,所述绝缘构件均由无机材料制成,并且被设置为与层间绝缘层接触地覆盖所述电极中的相邻两个之间的层间绝缘层;和形成杂质半导体膜,所述杂质半导体膜覆盖所述绝缘构件和所述电极,并且变为所述杂质半导体层。

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