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公开(公告)号：CN104167421B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201410204548.8
申请日：2014-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , G01T1/24
CPC classification number: H01L27/14663
Abstract: 本发明涉及检测装置和检测系统。检测装置包括：允许可见光穿过的基板；包含从与基板相邻的侧起依次布置的像素电极、杂质半导体层和半导体层并被配置为将放射线或光转换成电荷的转换元件；和被配置为经基板向转换元件发射可见光的光源。像素电极包含允许可见光穿过的金属层。
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公开(公告)号：CN103716551B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201310465678.2
申请日：2013-10-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/32 , H04N5/378 , H04N5/374 , H04N5/357 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14663
Abstract: 公开了检测装置和检测系统。一种在基板上形成的检测装置，包括：以矩阵布置的多个像素，和与像素电连接的信号线。每个像素包括：把放射线或者光转换成电荷的感测元件，输出基于电荷的量的电信号的放大薄膜晶体管，保持由放大薄膜晶体管输出的电信号的电容器，和把保持在电容器中的电信号传送给信号线的传输薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN105361897A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510494663.8
申请日：2015-08-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: G01T1/247 , A61B6/4233 , A61B6/54 , G01N23/04 , G01T1/023 , G01T1/026 , G01T1/17 , H04N5/32
Abstract: 本发明涉及一种放射线摄像设备和放射线检测系统。所述放射线摄像设备包括：传感器部，其包括：像素阵列，用于获取与放射线相对应的图像信号；以及多个检测元件，其配置在所述像素阵列内，并且用于检测所述放射线；以及读出电路，用于从所述传感器部读出所述图像信号，其中，所述读出电路包括信号处理电路，所述信号处理电路用于进行以下操作：在判断放射线照射的有无的情况下，对来自所述多个检测元件的信号进行合成和处理，以及在判断放射线剂量的情况下，针对各检测元件对信号进行处理、或者对来自所述多个检测元件中的数量比所述多个检测元件的数量少的检测元件的信号进行合成和处理。
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公开(公告)号：CN105030262A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510214405.X
申请日：2015-04-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: G01T1/2018 , A61B6/4208 , H01L27/14609 , H01L27/14658 , H01L27/14663 , H04N5/32
Abstract: 本发明涉及放射线成像装置和放射线成像系统。放射线成像装置具有：多个像素，包括用于获得放射线图像的多个成像像素和用于检测放射线的检测像素；多条列信号线；以及检测信号线，对应于检测像素。每个成像像素包括：第一转换元件，被配置为将放射线转换成电信号；以及第一开关，被布置在第一转换元件与所述多条列信号线当中的相应的列信号线之间。检测像素包括：第二转换元件，被配置为将放射线转换成电信号；以及第二开关，被布置在第二转换元件和检测信号线之间。
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公开(公告)号：CN102810547B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210168410.8
申请日：2012-05-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14676
Abstract: 本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中，所述检测器件包括排列在基板上的多个像素，并且还包括层间绝缘层，所述像素各自包括开关元件和转换元件，所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层，所述电极设置在所述开关元件之上，针对每个像素被隔离，并且由与所述开关元件接合的透明导电氧化物制成，所述层间绝缘层由有机材料制成，设置在所述开关元件与所述电极之间，并且覆盖所述开关元件，所述方法包括：形成绝缘构件，所述绝缘构件均由无机材料制成，并且被设置为与层间绝缘层接触地覆盖所述电极中的相邻两个之间的层间绝缘层；和形成杂质半导体膜，所述杂质半导体膜覆盖所述绝缘构件和所述电极，并且变为所述杂质半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569318B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110424534.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , A61B6/00
CPC classification number: H01L27/14663 , G09G3/3659
Abstract: 本申请涉及矩阵衬底、检测设备、检测系统和驱动检测设备的方法。提供一种矩阵衬底，所述矩阵衬底实现高操作速度和高可靠性，并能够在连接端子数量有限的同时获得高质量图像。所述矩阵衬底包括按矩阵布置的像素、在列方向上布置的N个驱动线、P个连接端子和解复用器，其中，P小于N，所述解复用器设置在连接端子与驱动线之间并包括第一多晶半导体TFT和第一连接端子。所述解复用器还包括在连接端子之一与驱动线中的两个或更多个之间的第二多晶半导体TFT和第二控制线，第二控制线用于使驱动线保持具有使像素处于非选择状态的非选择电压。
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公开(公告)号：CN103855176A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310641703.8
申请日：2013-12-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L27/14676 , H01L27/14692
Abstract: 本公开涉及一种检测装置和放射线检测系统，该检测装置包括：被配置为将入射光或放射线转换成电荷的转换层；被配置为收集作为转换层的转换的结果而产生的电荷的电极；以及被布置在电极与转换层之间的杂质半导体层。所述转换层被布置在电极之上以便覆盖电极。转换层的覆盖相邻的一对电极之间的区域的部分包括膜厚比转换层的覆盖电极的边缘的部分小的部分。
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公开(公告)号：CN103517002A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310245710.6
申请日：2013-06-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/363 , H01L27/146
CPC classification number: G09G5/003 , G01T1/17 , H01L27/14603 , H01L27/14663 , H04N5/32 , H04N5/363
Abstract: 本发明涉及检测装置、检测系统和检测装置驱动方法。该检测装置包括：基板，该基板包含矩阵状布置并适于产生像素信号的多个像素、在列方向上布置并且分别与行方向的多个像素共同连接的多个驱动线、在行方向上布置并且分别与列方向的多个像素共同连接的多个数据线、数量比数据线少的连接端子以及设置在连接端子与数据线之间的多路复用器单元；具有用于向连接端子供给恒定的电势的复位开关并与连接端子连接的读取电路；适于控制多个像素的驱动的驱动电路；以及适于向基板和读取电路供给控制信号的控制电路。
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公开(公告)号：CN103474037A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310223653.1
申请日：2013-06-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G09G3/36
CPC classification number: H03K17/005 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G11C19/28 , H01L27/1214
Abstract: 本发明涉及有源矩阵面板、检测装置和检测系统。一种有源矩阵面板包括与多个晶体管的控制电极连接的栅极线和向栅极线供给导通电压和非导通电压的驱动电路。驱动电路包括包含相互连接的多个移位寄存器单元电路的移位寄存器和包含移位寄存器单元电路的输出信号所输入的多个解复用器单元电路的解复用器。解复用器单元电路包含用于向栅极线供给导通电压的第一晶体管和用于向栅极线供给非导通电压的第二晶体管。当第二晶体管处于导通状态时，第一晶体管从非导通状态变为导通状态。
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公开(公告)号：CN103066083A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210404438.7
申请日：2012-10-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14665
Abstract: 本发明提供一种检测设备和检测系统，检测设备包括：晶体管，其配置在基板上；转换元件，其配置在晶体管上并连接至晶体管；电容器，其与转换元件并联连接至晶体管，该电容器在基板和转换元件之间包括：连接至转换元件的欧姆接触部、连接至欧姆接触部的半导体部、以及配置在隔着绝缘层与半导体部和欧姆接触部相对的位置处的导电部；以及电势供给单元，用于向导电部选择性地供给第一电势以在半导体部中积累载荷子，以及向导电部选择性地供给第二电势以耗尽半导体部。由上述方式配置的检测设备能够控制像素的电容，从而实现高的信噪比。
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