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公开(公告)号：CN117480863A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280042069.3
申请日：2022-03-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H05B33/24
Abstract: 本公开提供一种发光设备，包括绝缘层；发光元件，其布置在所述绝缘层的主面上，所述发光元件包含发光材料并且具有谐振器结构；以及透镜，其布置在所述发光元件的上方，所述发光材料的光致发光光谱即PL光谱在可见光范围中具有波长为λPL的第一峰，其中，所述谐振器结构满足以下的表达式(1)，其中，λon是增强在垂直于所述主面的方向上发射的光的干涉光谱的谐振峰波长，并且λEL是经由光提取结构放射的电致发光的峰波长。|λEL‑λPL|
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公开(公告)号：CN114497414A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111246892.X
申请日：2021-10-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L51/52
Abstract: 发光装置、显示装置、摄像装置和电子装置。发光装置包括：基板；透镜；和发光部，其设置在所述基板与所述透镜之间，其中，所述透镜在所述基板的相反侧具有凸曲面部分，在垂直于所述基板的第一方向上，所述发光部比所述曲面部分的曲率中心远离所述透镜，当所述曲面部分在所述第一方向上的顶点被称为第一位置、所述曲面部分在与所述基板平行的第二方向上的端部被称为第二位置、h表示从所述第一位置到所述第二位置的在所述第一方向上的距离并且r表示从所述第一位置到所述第二位置的在所述第二方向上的距离时，满足h/r
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公开(公告)号：CN114447247A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011216098.6
申请日：2020-11-04
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及发光、显示、光电转换及照明的装置、电子设备和移动体。提供了包括显示区域中的第一发光元件和第二发光元件以及虚拟区域中的第一虚拟元件和第二虚拟元件的发光装置。发光元件和虚拟元件各自包括所布置的反射器、布置在该反射器之上的第一电极、布置在该第一电极之上的发光层和布置在该发光层之上的第二电极。第一发光元件中的从反射器到发光层的距离与第二发光元件中的从反射器到发光层的距离之间的差大于第一虚拟元件中的从反射器到发光层的距离与第二虚拟元件中的从反射器到发光层的距离之间的差。
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公开(公告)号：CN112447927A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010850231.7
申请日：2020-08-21
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 半导体器件、显示设备、摄像设备、电子设备、照明设备、移动体及光电转换设备。半导体器件包括基板上的电极、绝缘层和有机层，绝缘层覆盖电极的边缘并布置在基板上，有机层包括电荷输送层和功能层，电荷输送层处于电极和绝缘层上。绝缘层具有第一部分、第二部分和第三部分，第一部分相对于与电极的下表面平行的表面形成0°至50°的角度，第二部分比第一部分靠近基板并且倾斜大于50°，第三部分比第一部分靠近有机层并且倾斜大于50°。第三部分在垂直于平行表面的方向上的长度大于电荷输送层在与电极接触的位置处的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111564475A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010088283.5
申请日：2020-02-12
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本公开涉及电子装置、显示设备、光电转换设备、电子设备、照明设备和移动体。本公开提供一种电子装置，其包括多个第一电极、第二电极、配置在各第一电极与第二电极之间的功能层、和在第一电极上具有倾斜部的绝缘层，其中将功能层连续地配置，从而覆盖第一电极、相邻的第一电极、和覆盖第一电极和相邻的第一电极的绝缘层，第一电极上的功能层的层厚度小于从第一电极的上表面至绝缘层的上表面的高度，并且绝缘层的倾斜部上的功能层沿垂直于倾斜部的倾斜面的方向的层厚度为20nm以上。
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公开(公告)号：CN110349996A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910260853.1
申请日：2019-04-02
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 发光装置、显示设备以及摄像设备。本发明提供发光装置，其包括：基板；第一EL元件和第二EL元件，第一EL元件和第二EL元件均从基板开始依次包括下电极、包括发光层的有机化合物层、上电极和滤色器；以及绝缘层，其覆盖下电极的端部。在平面图中观察时，第一EL元件的第一滤色器和第二EL元件的第二滤色器在重叠区域中彼此重叠，并且在平面图中观察时，第二EL元件的绝缘层的倾斜部之中最靠近第一EL元件的倾斜部与重叠区域彼此重叠。
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公开(公告)号：CN109686848A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811200951.8
申请日：2018-10-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , H01L27/14612 , H01L27/307 , H01L27/3206 , H01L27/322 , H01L51/0054 , H01L51/0055 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/504 , H01L51/5056 , H01L51/5064 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5096 , H01L51/5218 , H01L51/5221 , H01L51/5265 , H01L2251/5315 , H01L2251/558 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供包括多个有机电致发光元件的发光器件。一种发光器件，包括多个有机EL元件。每个有机EL元件依次包括反射电极、空穴传输区、电子俘获发光层和光提取电极。空穴传输区在0.1nA/像素的电流下具有4.0×107Ω/□以上的薄层电阻，且空穴传输区和电子俘获发光层的总厚度等于能够增强来自电子俘获发光层的发光的光程长度。
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公开(公告)号：CN104485340B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410655549.4
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
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公开(公告)号：CN102637705B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210027892.5
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造方法。层间绝缘膜被设置在半导体衬底的图像拾取区域和外围区域上方。在层间绝缘膜中在覆盖光电转换部的位置形成开口。在半导体衬底的图像拾取区域和外围区域的上方形成波导构件。波导构件的设置在外围区域上方的部分被去除以使层间绝缘膜暴露。
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