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公开(公告)号：CN101331591A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680047480.0
申请日：2006-10-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , C30B29/38 , H01L29/201 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/02658 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/0254
Abstract: 本发明的AlxGayIn1－x－yN晶体基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)。该主平面(12m)具有位于距离主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)。该内侧区域(12n)具有至少1×102cm－2并且至多1×106cm－2的总位错密度。由此能够提供一种用作半导体器件的基板的具有大尺寸和合适位错密度的AlxGayIn1－x－yN晶体基板、包括该AlxGayIn1－x－yN晶体基板的半导体器件、及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101312165A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810130625.4
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/306 , C30B33/00
Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
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公开(公告)号：CN100411111C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510082192.6
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/306
Abstract: 提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0-2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
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公开(公告)号：CN101233265A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200680027936.7
申请日：2006-07-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B23/02 , C30B23/066 , C30B25/02 , C30B29/403 , Y10T428/2982
Abstract: 提供大直径跨距AlN晶体、生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底，该AlN晶体可应用到不同类型的半导体器件，具有良好的结晶度。该AlN晶体生长方法是这样的一种方法，其中通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿(12)内的晶体生长室(24)内部的籽晶衬底(2)上生长AlN晶体(4)，并且其特征在于：在晶体生长期间，将含碳气体提供到晶体生长室(24)的内部。
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公开(公告)号：CN101194053A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200680020842.7
申请日：2006-08-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 利用HVPE制造GaN晶体的常规方法看起来具有通过在高于1100℃的温度下制造GaN晶体提高GaN晶体结晶度的可能性。然而，这种常规方法具有石英反应管(1)在由加热器(5)和(6)加热到高于1100℃的温度时熔融的问题。这里公开了一种制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，该方法通过在石英反应管(1)中，由包含氨气和卤化镓气体与卤化铟气体的至少一种的材料气体的反应，在基衬底(7)的表面上生长GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)来制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体，其中在GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)生长期间，外部地加热石英反应管(1)并且单独地加热基衬底(7)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1599086A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410032570.5
申请日：2004-04-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供了一种能够延长寿命的ZnSe基发光装置。此发光装置在化合物半导体上形成，它包括安置在n－型ZnMgSSe覆盖层(3)和p－型ZnMgSSe覆盖层(5)之间的有源层(4)，并具有阻挡层(11)，其带隙大于p－型ZnMgSSe覆盖层的带隙，阻挡层(11)被安置在有源层(4)和p－型ZnMgSSe覆盖层(5)之间。
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公开(公告)号：CN1461061A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03125145.5
申请日：2003-05-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 藤原伸介
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01S5/00
CPC classification number: H01L33/504 , H01L33/08 , H01L33/285 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种白色发光元件，包括发生340～400nm紫外光的InGaN－LED，含有1×1017cm－3以上浓度的Al、In、Ga、Cl、Br和I中任何杂质元素、吸收InGaN－LED的紫外光发射蓝色光荧光的块状ZnS第一荧光板，和含有1×1017cm－3以上浓度的Al、In、Ga、Cl、Br和I中任何杂质元素、吸收一部分上述蓝色光荧光发射黄色光荧光的块状ZnSSe第二荧光板，将第一荧光板ZnS结晶发出的蓝色光和第二荧光板ZnSSe发出的黄色光混合合成白色光线。并将含有1×1017cm－3以上Al、Ga、In、Cl、Br和I中任何杂质元素的ZnSSe制成块状的荧光板或以粉末状固化的荧光板，与发生410～470nm蓝色光的InGaN－LED组合，由蓝色光激发ZnSSe荧光板使之发生黄色光，将其二种光混合成白色光。
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公开(公告)号：CN1326018A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN01117791.8
申请日：2001-05-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B31/02
CPC classification number: H01L21/385 , C30B29/48 , C30B31/06 , C30B33/00 , Y10S420/903 , Y10S428/926 , Y10S428/941 , Y10T428/12528 , Y10T428/12736 , Y10T428/12743 , Y10T428/12764 , Y10T428/12792
Abstract: 本发明关于用Al作为施主杂质进行掺杂,热处理ZnSe晶体基质的方法,利用该热处理制备的ZnSe晶体基片和利用该ZnSe晶体基片制备的光发射装置,尤其是,热处理ZnSe晶体基片的方法包括预先在基片上形成Al膜,首先使基片在Se环境气氛中进行热处理,然后再在Zn环境气氛中进行热处理。
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公开(公告)号：CN104350187A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380030120.X
申请日：2013-06-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B23/02 , C30B23/00 , C30B23/066 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02645 , H01L21/02664
Abstract: 根据本发明所述的制造碳化硅基板的方法具有以下步骤。升华碳化硅原料(8)的一部分。在升华所述碳化硅原料(8)的一部分之后，将具有主面(1A)的种基板(1)配置在成长容器(8)中。通过在成长容器(10)中升华碳化硅原料(8)的剩余部分，从而在种基板(1)的主面(1A)上成长碳化硅晶体(11)。从而可以提供制造具有少量位错的碳化硅基板的方法，其中，抑制了种基板(1)的主面(1A)中的位错的增加。
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公开(公告)号：CN102465342B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110358558.3
申请日：2011-11-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的1.0倍大且比其1.2倍小，所述单晶膜相对于垂直于所述单晶膜的主表面的轴呈三重对称；以及在所述复合衬底中的所述单晶膜的所述主表面上形成GaN基膜的步骤，所述复合衬底中的所述单晶膜为SiC膜。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大主表面积和较少翘曲的GaN基膜。
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