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公开(公告)号：CN111029401A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911171795.1
申请日：2016-01-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/16 , H01L29/04 , H01L29/78 , H01L21/04 , H01L21/02 , C23C14/18 , C23C14/48 , C23C14/58 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B33/02
Abstract: 提供一种碳化硅单晶衬底、碳化硅半导体器件及其制造方法。碳化硅单晶衬底具有第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面。第一主表面包括中心正方形区域和外部正方形区域。当从厚度方向观察时，中心正方形区域和外部正方形区域中的每个都具有15mm长度的边。第一主表面具有不小于100mm的最大直径。碳化硅单晶衬底具有不大于5μm的TTV。由中心正方形区域中的LTIR除以中心正方形区域中的LTV获得的值不小于0.8且不大于1.2。由外部正方形区域中的LTV除以中心正方形区域中的LTV获得的值不小于1且不大于2。提供碳化硅单晶衬底，碳化硅半导体器件及其制造方法，以便实现光刻工艺中掩模图案的位置偏离的抑制。
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公开(公告)号：CN110660840A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910821706.7
申请日：2015-06-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L29/16 , H01L21/02 , B24B1/00 , B24B9/00 , B24B9/06 , B24B19/22 , B24D3/28 , B24D5/02 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/64 , C30B33/00
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)。当沿着与第一主表面(1a)垂直的方向观察时，圆周边缘部(3)具有：直线形的定向平面部(OF1)，具有第一半径(R1)的第一圆弧部(A1)，和连接定向平面部(OF1)和第一圆弧部(A1)并具有小于第一半径(R1)的第二半径(R2)的第二圆弧部(A2)。提供了一种能够抑制在碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。
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公开(公告)号：CN107532327B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201680021148.0
申请日：2016-01-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/304 , H01L21/265 , C30B29/36
Abstract: 提供一种碳化硅单晶衬底(10)，具有第一主表面(10a)以及与第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。第一主表面(10a)包括中心正方形区域(1)以及外部正方形区域(2)。当从厚度方向(TD)观察时，中心正方形区域(1)以及外部正方形区域(2)中的每一个都具有15mm长度的边。第一主表面(10a)具有不小于100mm的最大直径(W)。碳化硅单晶衬底(10)具有不大于5μm的TTV。由中心正方形区域(1)中的LTIR除以中心正方形区域(1)中的LTV而获得的值不小于0.8且不大于1.2。由外部正方形区域(2)中的LTV除以中心正方形区域(1)中的LTV而获得的值不小于1且不大于3。提供一种碳化硅单晶衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅半导体器件的方法，以便实现光刻工艺中掩模图案的位置偏离的抑制。
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公开(公告)号：CN107532327A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680021148.0
申请日：2016-01-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/304 , H01L21/265
Abstract: 提供一种碳化硅单晶衬底(10)，具有第一主表面(10a)以及与第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。第一主表面(10a)包括中心正方形区域(1)以及外部正方形区域(2)。当从厚度方向(TD)观察时，中心正方形区域(1)以及外部正方形区域(2)中的每一个都具有15mm长度的边。第一主表面(10a)具有不小于100mm的最大直径(W)。碳化硅单晶衬底(10)具有不大于5μm的TTV。由中心正方形区域(1)中的LTIR除以中心正方形区域(1)中的LTV而获得的值不小于0.8且不大于1.2。由外部正方形区域(2)中的LTV除以中心正方形区域(1)中的LTV而获得的值不小于1且不大于3。提供一种碳化硅单晶衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅半导体器件的方法，以便实现光刻工艺中掩模图案的位置偏离的抑制。
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公开(公告)号：CN103946431B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201280053966.0
申请日：2012-10-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/336 , H01L21/66 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L22/10 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/049 , H01L22/12 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7802
Abstract: 一种制造碳化硅半导体器件(100)的方法，包括以下步骤。制备具有第一主表面(1)以及第二主表面(2)的碳化硅衬底(80)。在第一主表面(1)上形成电极(112)。碳化硅衬底(80)具有六方晶体结构。第一主表面(1)相对于{0001}面具有±8°或更小的偏离角(OA)。第一主表面(1)具有这种性质：当用具有等于或大于碳化硅的带隙的能量的激发光(LE)照射时，以1×104cm‑2或更小的密度在第一主表面(1)中产生在750nm或更大的波长范围内的发光区(3)。由此可以提升碳化硅半导体器件(100)的良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104278322A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410231410.7
申请日：2014-05-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1608 , C30B23/00 , C30B23/002 , C30B23/025 , C30B23/066 , C30B29/36 , H01L29/045 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底。提高了碳化硅单晶的质量。制备具有第一侧和第二侧的坩埚。将用于利用升华方法生长碳化硅的固体源材料布置在第一侧。将由碳化硅制成的籽晶布置在第二侧。将坩埚布置在绝热容器中。绝热容器具有面向第二侧的开口。加热坩埚，使固体源材料升华。通过绝热容器中的开口测量第二侧的温度。开口具有向着绝热容器的外侧变窄的锥形内表面。
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公开(公告)号：CN113272480B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980084296.0
申请日：2019-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 碳化硅再生基板具有碳化硅基板和第一碳化硅层。所述碳化硅基板具有第一主面和与所述第一主面相反的第二主面。所述第一碳化硅层与所述第一主面接触。所述碳化硅基板包括从所述第一主面朝向所述第二主面在10μm以内的基板区域。在与所述第一主面垂直的方向上，通过从所述基板区域的氮浓度的平均值减去作为所述基板区域的氮浓度的标准偏差的3倍的值而获得的值大于所述第一碳化硅层的氮浓度的最小值。
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公开(公告)号：CN113811643B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202080034953.3
申请日：2020-04-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本公开内容所涉及的碳化硅衬底具有主面。所述碳化硅衬底的最大直径为150mm以上。在主面中，钠、铝、钾、钙、钛、铁、铜和锌各自的浓度小于5×1010原子/cm2的区域的总面积为主面的面积的95％以上。
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公开(公告)号：CN114761628A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082070.X
申请日：2020-11-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/304
Abstract: 碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相对的第二主面。碳化硅衬底包含螺旋位错和凹坑，所述凹坑在与第一主面平行的方向上的最大直径为1μm以上且10μm以下。在对第一主面观测螺旋位错和凹坑的情况下，凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。在第一主面中，镁的浓度小于1×1011原子/cm2。
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公开(公告)号：CN114026672A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080042958.0
申请日：2020-05-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 本家翼
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/08
Abstract: 碳化硅衬底为具有设置有定向平面的圆形的第一主面和与所述第一主面相对的第二主面的碳化硅衬底。第一主面具有在将定向平面被设置之前的第一主面的形状设为圆时的圆的中心。第一主面具有第一径向的第一两端部，所述第一径向的第一两端部为在假定于第一主面的第一径向上设置有通过圆的中心而在第一径向上延伸的第一假想直线时，第一假想直线与第一主面的周缘的两个交点。第一主面具有第二径向的第二两端部，所述第二径向的第二两端部为在假定于第一主面的与第一径向正交的第二径向上设置有通过圆的所述中心而在第二径向上延伸的第二假想直线时，第二假想直线与第一主面的周缘的两个交点。第一主面具有通过将第一区域和第二区域除外而得到的中央区域，第一区域为从第一径向的第一两端部的各自起到所述第一主面的内侧5mm以内的区域，第二区域为从第二径向的第二两端部的各自起到所述第一主面的内侧5mm以内的区域。在将第一主面的中央区域分割成多个正方形区域以使得具有最多的边长为5mm的完整地构成正方形的所述正方形区域时，多个第一正方形区域的LTV的平均值为0.75μm以下，多个所述第一正方形区域为以相对于圆的中心位于最外侧而构成最外周的方式配置成环状的多个正方形区域。
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