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公开(公告)号：CN114063216B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210025016.2
申请日：2022-01-11
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称布拉格光栅结构的宽带宽波分解复用器，包括：依次连接的输入波导、第一锥形波导和非对称布拉格光栅；第一波导模块，第一波导模块包括依次连接的第一信道波导、第一微环结构和第一下载区，其中第一信道波导的输入端与非对称布拉格光栅的输出端相连接，第一微环结构与第一信道波导和第一下载区之间分别设置有第一和第二耦合间距；及第二波导模块，第二波导模块包括依次连接的第二锥形波导、第二信道波导、第二微环结构和第二下载区，其中第二锥形波导与第一锥形波导构成非对称定向耦合器，第二信道波导的输入端与第二锥形波导的输出端相连接，第二微环结构与第二信道波导和第二下载区之间分别设置有第三和第四耦合间距。
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公开(公告)号：CN114063216A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210025016.2
申请日：2022-01-11
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称布拉格光栅结构的宽带宽波分解复用器，包括：依次连接的输入波导、第一锥形波导和非对称布拉格光栅；第一波导模块，第一波导模块包括依次连接的第一信道波导、第一微环结构和第一下载区，其中第一信道波导的输入端与非对称布拉格光栅的输出端相连接，第一微环结构与第一信道波导和第一下载区之间分别设置有第一和第二耦合间距；及第二波导模块，第二波导模块包括依次连接的第二锥形波导、第二信道波导、第二微环结构和第二下载区，其中第二锥形波导与第一锥形波导构成非对称定向耦合器，第二信道波导的输入端与第二锥形波导的输出端相连接，第二微环结构与第二信道波导和第二下载区之间分别设置有第三和第四耦合间距。
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公开(公告)号：CN117077750B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311052903.X
申请日：2023-08-21
Applicant: 之江实验室
IPC: G06N3/067 , G06N3/063 , G06N3/0464
Abstract: 本发明公开了一种并行光子卷积运算芯片及系统，芯片由功分器、延时波导阵列、循环阵列波导光栅、微环加权阵列及平衡探测器阵列一体化集成，系统包括多波长光源、待卷积信号源、调制器、光放大器、并行光子卷积运算芯片、多卷积核控制单元、跨阻放大器阵列和信号采集与处理单元。该芯片及系统利用延时波导阵列级联循环阵列波导光栅可同时实现多路信号时间‑波长交织，基于直通加耦合的微环结构设计联合平衡探测原理，可实现任意实数的卷积核矩阵系数加权，且卷积核矩阵系数可灵活扩展，适用于二维数据的多个卷积核并行卷积运算。
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公开(公告)号：CN117706692A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410160632.8
申请日：2024-02-05
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于光域均衡的硅光阵列发射芯片及其应用系统，适用于光通信领域的数据发射端。本发明通过光子集成技术将电光调制器、光子均衡单元与波分复用器一体化集成在芯片主体上。通过调节光子均衡单元中微环谐振特性及微环间移相器的相位实现光子均衡单元光域频谱响应重构，从而通过光域均衡补偿传输信道的非理想传输响应；在此基础上，将光域均衡后的信号通过波分复用器合为一路波分复用信号，实现单光纤大容量信号传输。本发明基于多个微环与移相器级联实现单通道光域均衡，损耗低、动态范围大，可降低接收端对电域均衡的需求。
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公开(公告)号：CN116540368B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310749514.6
申请日：2023-06-25
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请公开了一种芯片冷却结构及其制造方法及光子集成芯片。芯片冷却结构包括基底；光子集成回路，设置于基底的一侧，光子集成回路包括若干光电器件；冷却层，设置于基底远离光子集成回路的一侧，冷却层包括微流道、微流道入口以及微流道出口；密封层，设置于冷却层远离基底的一侧，用于密封微流道。本申请通过在光子集成回路的背面集成包含微流道的冷却层，通过流体带走光子集成回路的热量，可以有效的给光子集成回路进行降温。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117250829A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311186933.X
申请日：2023-09-14
Applicant: 之江实验室
IPC: G03F7/16
Abstract: 本申请提供一种光刻胶除泡装置、系统及方法。其中，该光刻胶除泡装置包括光刻胶喷胶器、气泡检测传感器和气泡排除器，光刻胶喷胶器用于将光刻胶喷在载体表面。气泡检测传感器用于获取所述光刻胶中的气泡所在的位置。气泡排除器用于排除所述光刻胶中的气泡。可实现，在将光刻胶喷在载体表面之后，通过气泡检测传感器确定光刻胶中的气泡所在的位置，然后通过气泡排除器排除光刻胶表面产生的气泡，从而可以避免涂胶过程中气泡对光刻胶膜的质量产生影响，相较于常规方法，滴胶之后表面产生气泡的晶圆不需要去胶反工，提升了光刻工艺的效率和良率。
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公开(公告)号：CN116500814B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310750843.2
申请日：2023-06-25
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于全光线性化的高线性硅基薄膜铌酸锂调制芯片及方法，属于射频无线通信技术领域。外部激光器输出的光信号经端面耦合器输入到本发明的调制器芯片中，先经硅基热光功分器分成两路，分别输入到两个相同的调制深度可调的硅基铌酸锂薄膜马赫曾德尔调制器中。将两个马赫曾德尔调制器的工作点设置在相反的两个正交偏置点，通过调控输入到两个马赫曾德尔调制器的光功率分配比以及各自的调制深度，使两个马赫曾德尔调制器产生的三阶交调信号相互抵消，从而实现基于全光线性化的高线性调制。本发明能够极大降低链路噪声系数，进而大幅提升其所在额微波光子系统的动态范围SFDR3。
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公开(公告)号：CN115037380A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210953648.5
申请日：2022-08-10
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/548 , H04B10/2575 , H01S5/026 , G02F1/21
Abstract: 本发明公开了一种幅度相位可调的集成微波光子混频器芯片及其控制方法。该芯片可基于绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)和磷化铟(InP)半导体加工工艺制造而成。InP基半导体用来制备高功率激光器芯片，SOI基半导体用来制备硅基马赫增德尔调制器、锗硅探测器、光滤波器等光器件。InP基与SOI基芯片通过异构集成实现该混频器芯片的整体集成。通过调控调制器和光滤波器工作状态，实现混频信号的幅度和相位可调。由于该芯片基于CMOS硅光工艺，具有低功耗和低成本优势。除此之外，该混频器在光域实现了射频信号的混频，具有超宽带、抗电磁干扰等优势。因此可以用于超宽带无线通信和雷达系统。
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公开(公告)号：CN114167555A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111186701.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件。该芯片组件可基于包含氮化硅工艺的绝缘体上硅(SOI)和磷化铟(InP)等半导体加工工艺制造而成。该光引擎收发组件以硅光芯片为基底，通过键合或倒装焊等方式将InP激光器和光放大器光芯片与硅光芯片实现异质集成。激光器作为泵浦光源，经超低损耗氮化硅谐振腔产生光孤子光频梳，从而可以作为多波长激光器，减少了单波长激光器芯片的使用，降低了光子引擎光芯片中的激光器功耗以及热传导，并且提升了光器件的集成度。此外，光频梳可以产生带宽覆盖范围广、波长数量多的光载波，因此可以实现基于波分复用技术的超大通信容量的硅基光引擎芯片。
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公开(公告)号：CN114034649A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111226988.X
申请日：2021-10-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于狭缝波导结构的光学生化传感器，其特征在于，包括：上传端和下载端，所述上传端和下载端均为直狭缝波导；第一微环波导，所述第一微环波导设置在所述上传端和下载端之间，所述第一微环波导为环形狭缝波导；及与所述第一微环波导串联的第二微环波导，所述第二微环波导设置在所述第一微环波导的底部与所述下载端之间，所述第二微环波导为环形狭缝波导；其中，所述第一微环波导和第二微环波导的半径不等，所述上传端与所述第一微环波导的顶部之间设置有第一耦合间距，所述第二微环波导的底部与所述下载端之间设置有第二耦合间距，所述第一微环波导的底部与所述第二微环波导的顶部之间设置有第三耦合间距。
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