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公开(公告)号：CN116107031A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211419081.X
申请日：2022-11-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种高消光比的硅基集成光滤波器件，所述硅基集成光滤波器件包括位于硅基衬底上的第一亚波长光栅反射镜、第二亚波长光栅反射镜、第一弯曲波导、第二弯曲波导、第一直波导、第二直波导以及环形谐振腔；其中，第一亚波长光栅反射镜与第一弯曲波导相连，第二亚波长光栅反射镜与第二弯曲波导相连；第一弯曲波导与第一直波导相连，第二弯曲波导与第二直波导相连；第一直波导和第二直波导分别位于环形谐振腔的相对两侧。本发明提供的硅基集成光滤波器件通过将环形谐振腔与两个亚波长光栅反射镜结合起来，改变了环形谐振腔的输出光谱，可实现高消光比的滤波特性，同时具有结构紧凑、制作工艺简单、成本低等特点。
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公开(公告)号：CN116088202A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310013601.5
申请日：2023-01-05
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种低功耗热光MZI结构器件的调控方法，所述调控方法包括：将热光MZI结构器件的两个相移臂分别设置为相位偏置臂、工作臂；扫描工作臂的电压，查找Cross端口第一个电压极大值点或Bar端口第一个电压极小值点的位置，并判断静态特性曲线的偏移方向；根据Cross端口第一个电压极大值点或Bar端口第一个电压极小值点位于静态特性曲线上的位置，选取热光MZI结构器件的工作点。本发明方法可以有效降低工艺误差、外部温度变化等因素对工作点选取的影响，进而有效降低器件的功耗。使热光MZI结构器件更加适用于构建大规模网络器件。
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公开(公告)号：CN115987387A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211558987.X
申请日：2022-12-06
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/079 , H04Q11/00
Abstract: 本发明提出一种基于Benes网络的开关单元校准方法，包括以下步骤：选择网络中间级的开关单元，根据开关单元选择一条从输入到输出端口的路由，扫描被测单元的电压，获得被测单元的最佳工作电压；再从最外级开关单元开始依次向中间级校准全部开关单元，其方法是将影响测试开关串扰路的其他开关设置成偏离该串扰路的状态，使得进入串扰路的光功率最小，从而近似忽略串扰光功率的影响，扫描得到被测单元最佳工作电压。由于Benes网络的对称特性，左右两侧开关等价。本发明的开关单元校准方法无需在网络中设置监测点，极大的降低了大规模集成开关阵列的封装难度，且本发明可匹配自动测试方案，为后续更大规模的光交换芯片制作与测试提供支撑。
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公开(公告)号：CN115986528A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211506133.7
申请日：2022-11-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01S1/00
Abstract: 本发明提出一种调谐受激布里渊散射增益谱宽的装置及方法，所述装置包括：光纤卷绕模块，用于卷绕光纤，并对卷绕的光纤进行紧密排列；光纤卷绕控制模块，预设应力分布曲线，通过张力传感器测量光纤在缠绕过程中对所受的张力值的大小，测量得到的张力值与预设的应力分布曲线对应的应力值作差得到偏差量，将偏差量反馈至控制器以动态调节放线的张力，以对光纤施加纵向应变。与其他调谐SBS增益谱线宽的方式相比，本发明可以通过对光纤在不同的位置设置不同的应力曲线来达到调谐SBS增益谱宽的目的，可控变量多且易实现，为后续在微波光子学中应用和发展以及慢光技术研究中打下良好的基础。
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公开(公告)号：CN115799098A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211430070.1
申请日：2022-11-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种芯片的校准方法、装置、存储介质及电子设备。该芯片的校准方法包括：在光交换芯片的各光开关中，确定信号从指定输入端口到达指定输出端口的最优开关路径，以及各目标光开关，根据各目标光开关对应的电压取值范围，确定针对每个目标光开关的初始电压值，控制光交换芯片在每个目标光开关处加载初始电压值，并确定每个目标光开关加载初始电压值后，光交换芯片通过指定输出端口输出的功率，以最大化功率为优化目标，调节加载在每个目标光开关处的电压值，并确定满足优化目标时，加载在每个目标光开关处的电压值，作为校准电压值，根据校准电压值，对光交换芯片进行校准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115755360A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211477196.4
申请日：2022-11-23
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B19/00
Abstract: 本申请涉及一种光会聚结构及探测系统。其中，光会聚结构包括：会聚层、介质层与会聚阵列；所述会聚层、所述介质层与所述会聚阵列层叠设置；所述介质层位于所述会聚层与所述会聚阵列之间，且所述会聚阵列位于所述介质层远离所述会聚层的一侧；所述会聚层与所述会聚阵列的材料包括金属；所述会聚层设有会聚孔；在所述会聚层朝向所述会聚阵列的方向上，所述会聚孔贯穿所述会聚层；所述光会聚结构被配置为使所述会聚阵列远离所述介质层一侧入射的光从所述会聚孔内会聚出射。
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公开(公告)号：CN115639698A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211560510.5
申请日：2022-12-07
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料硫化锑的C波段硅波导微环调制器，所述调制器包括微环结构，直波导结构和超材料结构，所述微环结构为环形波导，所述直波导结构位于所述微环结构外侧，所述超材料结构由相变材料硫化锑制备，位于所述微环结构上方，并与所述微环结构构成发挥调制作用的复合区，通过调整所述超材料结构的物理状态，激发硫化锑材料的相变，从而改变输入光在波导中的传输状态，实现信号的调制。本发明具有折射率调节范围更大，结构更紧凑的优点，同时仅需在调制状态切换时提供能量，极大地降低了系统的能耗，可应用于高速、低功耗的硅基光电子器件大规模集成，如超高速共封装光学等。
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公开(公告)号：CN115185040B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211100327.7
申请日：2022-09-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提供一种硅光子芯片被动对准光学封装结构和光开关设备，包括基板，硅光子芯片，光纤阵列定位组件以及大模场光纤阵列，所述基板上设有对准标记，硅光子芯片以及光纤阵列定位组件依照对准标记固定于基板之上；硅光子芯片的光学耦合端口为大模场光栅耦合器阵列，其中各大模场光栅耦合器具有相同的最佳耦合角以及最佳耦合模场直径D；大模场光纤阵列中各光纤的模场直径与大模场光栅耦合器的最佳耦合模场直径D相匹配；大模场光纤阵列利用光纤阵列定位组件与硅光子芯片上的大模场光栅耦合器阵列实现最佳耦合，本发明解决了利用主动对准流程进行硅光子芯片光学封装带来的问题，降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN114003546B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210000454.3
申请日：2022-01-04
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F15/177 , H03M7/30
Abstract: 本发明公开了一种多通道开关量复合编码设计方法和装置，包括以下步骤：步骤S1、设计多通道开关量基于变化量的同步编码策略；步骤S2、设计多通道开关量压缩编码协议；步骤S3、设计压缩编码协议有效性判断策略；步骤S4、设计普通编码与压缩编码的协同编码机制；步骤S5、设计用户配置接口。装置包括存储器和一个或多个处理器，所述存储器中存储有可执行代码，所述一个或多个处理器执行所述可执行代码时，用于实现所述的多通道开关量复合编码设计方法。本发明保证传输双方数据状态的一致，避免单次大量的数据传输过程所造成的阻塞、误码等问题，同时各个独立的小数据体在校验和重发等机制的设计上也可以更加灵活，保证数据的准确性。
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