公开(公告)号：CN108231593B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201711348768.8

申请日：2017-12-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 村上雄纪 ,  浦上泰 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种开关元件的制造方法，制造漏电流难以流动且具有侧面p型区域的开关元件。开关元件的制造方法具有：准备半导体基板的工序，半导体基板具有n型的漏极区域、p型的体区域及沟槽，体区域配置在漏极区域上并且向半导体基板的表面露出，沟槽从表面贯通体区域而到达了漏极区域；及形成侧面p型区域的工序，通过对半导体基板进行加热而使体区域的一部分向沟槽内流入，来形成在比体区域靠下侧处沿着沟槽的侧面延伸的侧面p型区域。制造的开关元件具有栅极绝缘层、栅电极、底面p型区域及n型的源极区域。底面p型区域在沟槽的底面与栅极绝缘层相接，并且与侧面p型区域连接。

公开(公告)号：CN106558502B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201610847101.1

申请日：2016-09-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大西徹 ,  小野木淳士 ,  三角忠司 ,  山下侑佑 ,  竹内有一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及绝缘栅型开关元件及其制造方法，并提供在具有连接区域的绝缘栅型开关元件中抑制栅极阈值的偏差的技术。在绝缘栅型开关元件的制造方法中，在半导体基板上形成具有第一部分和第二部分的栅极沟槽，第一部分在第一方向上具有第一宽度，第二部分在第一方向上具有与第一宽度相比较宽的第二宽度。在倾斜注入工序中，以绕与第一方向正交的轴倾斜的照射角度照射第二导电型杂质。第一宽度、第二宽度及照射角度被设定为，在第一部分的第一侧面上抑制向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧的注入，并且在第二部分的第二侧面上向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧进行注入。通过向第二侧面的注入而形成对体区与底部区域进行连接的连接区域。

公开(公告)号：CN109686791A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811211684.4

申请日：2018-10-18

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 金原启道 ,  山下侑佑 ,  山本建策

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开开关元件及其制造方法。开关元件具备半导体基板、沟槽、栅极绝缘膜以及栅极电极。源极区域在半导体基板的上表面露出，与栅极绝缘膜相接。主体区域在源极区域的下侧与栅极绝缘膜相接。漂移区域在主体区域的下侧与栅极绝缘膜相接。底部区域在沟槽的底面与栅极绝缘膜相接。连接区域在沟槽的侧面与栅极绝缘膜相接，连接主体区域与底部区域。沟槽的侧面具有第一侧面和位于第一侧面的下侧的第二侧面。第二侧面的倾斜角度比第一侧面的倾斜角度大。主体区域与漂移区域的界面在第一侧面与栅极绝缘膜相接。

公开(公告)号：CN105684153B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201480058417.1

申请日：2014-10-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大河原淳 ,  山下侑佑 ,  町田悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/08 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体装置(10)包括：半导体基板(12)、上部电极(14)、下部电极(16)和栅电极(42)。在半导体基板中，形成体区(22)、柱区(24)和势垒区(26)。柱区具有n型杂质，形成在体区的横向侧上，并且沿着从半导体基板的顶表面到体区的下端的深度延伸。势垒区具有n型杂质，并形成在体区和柱区的下侧上。势垒区形成在柱区的下侧上。在柱区和势垒区中沿深度方向的n型杂质浓度分布具有在柱区中的极大值。n型杂质浓度分布在比极大值深的侧上具有折点。

公开(公告)号：CN108520897A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810159802.5

申请日：2018-02-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 荒内琢士 ,  金原启道 ,  辻村理俊 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。浮区包含沿着碳化硅衬底的厚度方向布置的高浓度区和低浓度区。低浓度区中p型掺杂剂的浓度低于高浓度区中p型掺杂剂的浓度。高浓度区与低浓度区接触，并且设置在沟槽的底面与低浓度区之间。在通过沿着厚度方向绘制浮区中p型掺杂剂的浓度所得到的图中，在高浓度区和低浓度区之间的边界上出现弯曲点或拐点。在低浓度区中p型掺杂剂的含量等于或高于漂移区的在厚度方向上与所述低浓度区邻接的部分中的n型掺杂剂的含量。

公开(公告)号：CN106463529A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580023346.6

申请日：2015-02-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种能够抑制回扫的半导体装置。该半导体装置具有半导体基板，半导体基板具有IGBT区和二极管区。在对从表面朝向背面的方向上的n型杂质浓度分布进行观察时，在阴极区与缓冲区的边界处形成有n型杂质浓度的极小值。在缓冲区内形成有n型杂质浓度的极大值。在缓冲区与阴极区中的至少一方内形成有与周围相比以高浓度分布有晶体缺陷的晶体缺陷区域。对从表面朝向背面的方向上的晶体缺陷的浓度分布进行观察时的晶体缺陷的浓度的峰值被形成在与具有n型杂质浓度的极大值的一半的n型杂质浓度的位置相比靠背面侧的区域内。

公开(公告)号：CN106206573A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610363603.7

申请日：2016-05-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  添野明高 ,  平林康弘 ,  久野敬史 ,  山下侑佑 ,  町田悟

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0647 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在对半导体基板进行俯视观察时，存在如下范围，即，柱区露出于半导体基板的表面的柱露出范围、柱区与阳极接触区的深部侧相接的柱接触范围、阳极区与阳极接触区的深部侧相接的阳极接触范围。在柱接触范围与阳极接触范围所并排的方向上的柱接触范围的宽度与阳极接触范围的宽度相比而较窄。

公开(公告)号：CN105684153A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480058417.1

申请日：2014-10-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大河原淳 ,  山下侑佑 ,  町田悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/08 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体装置(10)包括：半导体基板(12)、上部电极(14)、下部电极(16)和栅电极(42)。在半导体基板中，形成体区(22)、柱区(24)和势垒区(26)。柱区具有n型杂质，形成在体区的横向侧上，并且沿着从半导体基板的顶表面到体区的下端的深度延伸。势垒区具有n型杂质，并形成在体区和柱区的下侧上。势垒区形成在柱区的下侧上。在柱区和势垒区中沿深度方向的n型杂质浓度分布具有在柱区中的极大值。n型杂质浓度分布在比极大值深的侧上具有折点。

公开(公告)号：CN104900690A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510093283.3

申请日：2015-03-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大河原淳 ,  山下侑佑 ,  町田悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其在采用了具有肖特基接触的二极管结构的RC-IGBT中，对栅极干扰进行抑制。所述半导体装置具有半导体基板(12)，该半导体基板(12)具有二极管区域(92)和IGBT区域(90)。该半导体装置中，二极管区域(92)具有：p型的阳极区(34)，其与阳极电极(14)欧姆接触；n型的多个柱区(24)，其与阳极电极(14)肖特基接触；n型的势垒区(26)；n型的二极管漂移区(28)；以及n型的阴极区(36)。第一柱区(24a)相对于阳极电极(14)的导通电阻与位于距IGBT区域(90)较近的位置处的第二柱区(24b)相对于阳极电极(14)的导通电阻相比较高。

公开(公告)号：CN114600251A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080075352.7

申请日：2020-10-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫原真一朗 ,  辻村理俊 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 具备电场缓和层(3)，该电场缓和层(3)包括第2导电型的第1区域(3a)和第2导电型的第2区域(3b)，上述第1区域(3a)形成在比沟槽(7)深的位置，上述第2区域(3b)以与沟槽的长度方向相同的方向作为长度方向并在多个沟槽之间分别与沟槽的侧面分离地配置，并且将第1区域和基底区域相连。此外，设为如下结构：通过离子注入构成第1区域和第2区域，并且构成由第1区域和第2区域重叠而得到的二重注入区域(3c)，在二重注入区域中具有第2杂质浓度的峰值。