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公开(公告)号:CN119570257A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411728221.0
申请日:2024-11-28
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种可共形太赫兹吸收屏蔽器及其制备方法,用以解决现有太赫兹屏蔽器太赫兹波反射率高、吸收屏蔽效率低的问题。本发明中可共形太赫兹吸收屏蔽器为炭黑与有机硅橡胶,在充分混合后借助硫化剂进行硫化,热压成型制成。在0.5‑1.0THz太赫兹波段,可共形太赫兹吸收屏蔽器对太赫兹波吸收率大于99.6%,反射率小于0.2%,最大吸收屏蔽效能达到27.0dB以上。本发明提供的可共形太赫兹吸收屏蔽器制备采用过锟混合、硫化、热压成型方法,其制备工艺简单,制作成本低,为6G通信、航空航天、生物传感等太赫兹领域的电子设备应用以及可穿戴设备提供了广阔前景。
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公开(公告)号:CN113764896B
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202110988273.1
申请日:2021-08-26
Applicant: 中国计量大学
Inventor: 李九生
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波角度偏转控制器及其方法。它包括太赫兹波入射端、太赫兹波输出端、方形状半镂空角度偏转器;方形状半镂空角度偏转器由24×24个单元结构组成;24×24个单元结构周期排列在太赫兹波入射方向垂直的平面上,单元结构包括顶层硅介质结构和底层金属板;其中,顶层硅介质结构位于底层金属板上方,所述的顶层介质结构为中心半镂空的长方体形状,底层用金属板增强太赫兹波的反射效果,使用四种不同尺寸的中心半镂空长方形形状的单元结构组成不同编码序列来控制太赫兹波的角度偏转。本发明的太赫兹波角度偏转控制器结构简单,制作方便,角度调节范围广,满足在太赫兹波系统应用要求。
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公开(公告)号:CN112014350B
公开(公告)日:2022-08-26
申请号:CN202010813172.6
申请日:2020-08-13
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种反射式太赫兹可调折射率传感器。它包括N×N个在平面上周期排列的结构单元;每个结构单元包括金属层和介质层,其中金属层处于顶层,金属层下层为介质层;金属层中开设有第一矩形空气槽、第二矩形空气槽和工字型空气槽。工字型空气槽内,第三水平空气槽中在介质层表面贴有第一石墨烯纳米嵌入条,第四水平空气槽中在介质层表面贴有第二石墨烯纳米嵌入条。传感器通过加电,改变嵌入空气槽中石墨烯纳米条的化学势,实现加电前三谐振反射谷到加电后两个谐振反射谷的转换。本发明的反射式可调折射率传感器尺寸小、检测范围较宽、灵敏度高、操作灵活,在化学物质的检测中具有较高的应用价值。
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公开(公告)号:CN112886260B
公开(公告)日:2022-06-17
申请号:CN202110036831.4
申请日:2021-01-12
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种力/电双可调多频段反射式极化不敏感谐振器。它包括N×N个在平面上周期排列的结构单元;每个结构单元包括二维石墨烯纳米层,金属层和柔性介质层,其中二维石墨烯纳米层处于顶层,二维石墨烯纳米层下层为金属层,金属层下层为柔性介质层;金属层中开设有谐振环空气槽、竖矩形空气槽、横矩形空气槽、竖U形空气槽、横U形空气槽。本谐振器件由于使用柔性介质层,通过给器件施加外力,实现器件的形变,从而达到对器件整体谐振特性的调控。本谐振器件的顶层为二维石墨烯纳米层,通过加电改变二维石墨烯纳米层化学势,达到对器件谐振点处反射率的控制。
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公开(公告)号:CN112886257B
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202110035610.5
申请日:2021-01-12
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种可切换吸收与滤波的太赫兹控制器及其方法。它包括N×N个正方形单元结构,N为大于0的自然数,N×N个正方形单元结构周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上;每个单元结构从上往下依次包括金属层,介质层和碲化锗层;其中,顶层复合结构层位于介质层上方,介质层下方为碲化锗层;复合结构层由矩形开口环和矩形竖条组成;矩形开口环开口处贴有第一碲化锗嵌入条;矩形开口环与矩形竖条之间贴有第二碲化锗嵌入条和第二碲化锗嵌入条。通过外界施加温度,改变碲化锗的介电常数与电导率,实现了太赫兹控制器吸收与滤波的功能切换。本发明的可切换吸收与滤波的太赫兹控制器具有方便调节、控制灵活、功能转换等特点,满足太赫兹波系统的应用要求。
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公开(公告)号:CN113904120A
公开(公告)日:2022-01-07
申请号:CN202111179781.1
申请日:2021-10-11
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种聚焦式太赫兹偏振控制器。其特征在于它包括太赫兹波入射端、反射太赫兹波输出端、超表面偏振器;其中超表面偏振器由N×N个结构单元周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上,N为自然数;阵列单元由4×4个带有缺口凹形金属微结构以α=22.5°为步长逆时针旋转得到;带有缺口凹形金属微结构从上往下依次包括顶层的金属缺口凹形、中间层的聚酰亚胺介质层和底层金属板。本发明公开的聚焦式太赫兹偏振控制器具有结构简单,易于加工等特点,能够对不同偏振态的太赫兹波入射产生不同的焦点方位,满足太赫兹波通信复用系统应用要求。
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公开(公告)号:CN110729530B
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN201911018207.0
申请日:2019-10-24
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种电控草酸氧钛钙介质太赫兹波开关。它包括顶层石英玻璃、底层石英玻璃、石英垫片、金属电极、草酸氧钛钙介质、电源;其中,石英垫片、金属电极、草酸氧钛钙介质位于顶层石英玻璃和底层石英玻璃之间的中间层,且两片石英垫片和两个金属电极围合成一个中心对称的矩形框,两个金属电极分别与电压源的两极相连;所述矩形框的顶面、底面分别与顶层石英玻璃、底层石英玻璃贴合,构成一个石英盒,所述石英盒内部空间填充满草酸氧钛钙介质,太赫兹波从顶层石英玻璃的上方垂直入射,穿过草酸氧钛钙介质后,从底层石英玻璃下方垂直输出。本发明具有材料新颖,结构简单易于实现等优点,可用于太赫兹波探测。
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公开(公告)号:CN112886274A
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN202110036868.7
申请日:2021-01-12
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明公开了一种可变吸收率的超宽带太赫兹吸收器。它包括太赫兹波输入端、激光输入端、N×N个正方形单元结构,N为自然数,N×N个正方形单元结构周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上;单元结构包括顶层光导硅结构层和衬底金属板;其中,顶层光导硅结构层位于衬底金属板上方,其横截面由圆环与12片涡旋片组成,每片涡旋片由4条圆弧相交而成,12片涡旋片等间距环绕于圆环的圆周上且旋向均朝向同一方向。本发明的可变吸收率的超宽带太赫兹吸收器具有制作方便、方便调节、吸收带宽大等特点,满足太赫兹波系统的应用要求。
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公开(公告)号:CN110752421B
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:CN201911019224.6
申请日:2019-10-24
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于无机钙钛矿太赫兹波开关。它包括硅基底、金属阵列结构、无机钙钛矿层;硅基底位于底层,金属阵列结构在硅基底上层,金属阵列结构的每个单元由U型金属条带和对称L型金属条带组成,其在二维中是周期性的,每个单元结构中的U型金属条带和对称L型金属条带形成的3个缺口处填充一定尺寸的无机钙钛矿,太赫兹波在金属阵列结构上方从几何中心处垂直输入,在金属阵列层左右两侧设有一个偏置直流电压源,调节外加偏置直流电压源的电压会改变无机钙钛矿电导率,实现不同外加电场时控制输出端太赫兹波传输的通断,进而实现开关的功能。本发明具有结构简单紧凑,控制带宽较宽,响应速度快,尺寸小,便于加工等优点。
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公开(公告)号:CN109378582B
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:CN201811409511.3
申请日:2018-11-23
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种小型化可穿戴天线。它包括衬底、六边形贴片、第一U形狭缝、第二U形狭缝、第三U形狭缝、第四U形狭缝、第五U形狭缝、第六U形狭缝、第七U形狭缝、第八U形狭缝、矩形接地板;其中六边形贴片位于衬底正面位置,且在六边形贴片中从左到右第一U形狭缝、第二U形狭缝、第三U形狭缝、第四U形狭缝、第五U形狭缝、第六U形狭缝、第七U形狭缝、第八U形狭缝分别排列;矩形接地板位于衬底背面位置。本发明的小型化可穿戴天线具有结构简单,尺寸小,辐射特性好,成本低等优点,满足在可穿戴无线通信领域的应用要求。
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