公开(公告)号：CN112886274B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202110036868.7

申请日：2021-01-12

Applicant: 之江实验室 ,  中国计量大学

Inventor： 李九生 ,  陈翊

IPC: H01Q17/00

Abstract: 本发明公开了一种可变吸收率的超宽带太赫兹吸收器。它包括太赫兹波输入端、激光输入端、N×N个正方形单元结构，N为自然数，N×N个正方形单元结构周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上；单元结构包括顶层光导硅结构层和衬底金属板；其中，顶层光导硅结构层位于衬底金属板上方，其横截面由圆环与12片涡旋片组成，每片涡旋片由4条圆弧相交而成，12片涡旋片等间距环绕于圆环的圆周上且旋向均朝向同一方向。本发明的可变吸收率的超宽带太赫兹吸收器具有制作方便、方便调节、吸收带宽大等特点，满足太赫兹波系统的应用要求。

公开(公告)号：CN112886274A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110036868.7

申请日：2021-01-12

Applicant: 之江实验室 ,  中国计量大学

Inventor： 李九生 ,  陈翊

IPC: H01Q17/00

Abstract: 本发明公开了一种可变吸收率的超宽带太赫兹吸收器。它包括太赫兹波输入端、激光输入端、N×N个正方形单元结构，N为自然数，N×N个正方形单元结构周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上；单元结构包括顶层光导硅结构层和衬底金属板；其中，顶层光导硅结构层位于衬底金属板上方，其横截面由圆环与12片涡旋片组成，每片涡旋片由4条圆弧相交而成，12片涡旋片等间距环绕于圆环的圆周上且旋向均朝向同一方向。本发明的可变吸收率的超宽带太赫兹吸收器具有制作方便、方便调节、吸收带宽大等特点，满足太赫兹波系统的应用要求。