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公开(公告)号：CN106835284A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710035153.3
申请日：2017-01-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及一种相位匹配的红外非线性光学晶体材料，其具有如下所示的分子式：RbXSn2Se6。其中，X为13主族元素。该红外非线性光学晶体材料的晶体结构属于三方晶系，空间群为R3。本发明所述的红外非线性光学晶体材料，具有优良的二阶非线性光学性质以及大小适中的双折射率，较宽的透光范围，具有强的红外倍频响应，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的4～5倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的8～9倍，可用于中红外探测器和激光器。
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公开(公告)号：CN106757368A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710046540.7
申请日：2017-01-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一类晶体材料、其制备方法及含有该晶体材料的热电材料及其制备方法。该晶体材料分子通式为RECuTe2，RE为稀土元素Ho或Er，且空间群为该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，在750K时热导率为0.55–0.59W/m·K，电导可达143–166S/cm，塞贝克系数可达199–211μV/K，ZT值为0.84–0.87，可与目前被广泛研究甚至商业化的中温热电材料相媲美。
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公开(公告)号：CN106757364A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611073007.1
申请日：2016-11-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及光学晶体AZn4In5Se12及其制备方法以及用作红外非线性光学材料的用途，其中，A为Rb或Cs。所述光学晶体具有优良的二阶非线性光学性质以及较宽的透光范围，具有强的红外倍频响应和高的激光损伤阈值，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的3.5～4倍且其激光损伤阈值是AgGaS2的13倍，可用于中红外探测器和激光器。
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公开(公告)号：CN106087063A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610705013.8
申请日：2016-08-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及一种红外非线性光学晶体，其具有如下所示的分子式：CsZn4Ga5S12。该红外非线性光学晶体的晶体结构属于三方晶系，空间群为R3。本发明所述的新型红外非线性光学晶体，具有优良的二阶非线性光学性质以及较宽的透光范围，具有强的红外倍频响应和高的激光损伤阈值，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的6.5倍且其激光损伤阈值是AgGaS2的36倍，可用于中红外探测器和激光器。此外，本申请所提供的制备红外非线性光学晶体的方法操作简单，得到的样品具有较高的结晶度和纯度。
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公开(公告)号：CN105714372A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610181678.3
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B11/006 , C30B11/00 , C30B29/10
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置，包括：炉体；用于支撑所述炉体的炉体支架以及位于所述炉体内的炉膛，所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架上设置有升降装置，以控制位于炉膛内的坩埚托杆的升降，进而控制待加热原料物质在所述高温区与所述低温区之间往复运动移动。该晶体生长装置结构新颖，简单，不仅可以适用于Ba3P3O10Cl单晶的生长，而且还可适用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长，具有广泛的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103022336B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210539358.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及双掺杂In4Se3基热电材料In4-xPb0.01SnxSe3(x=0.02-0.05)、其制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb、Sn双掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb、Sn双掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最高达到1.4，比目前商业化热电材料体系的热电性能提高40%，因此可用于高效热-电转换器件制作。
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公开(公告)号：CN103014859B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210421347.4
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开Ba3P3O10Cl单晶及其制备方法。该晶体分子式为Ba3P3O10Cl，其晶胞参数为a=14.277(17)？,b=5.5968(4)？,c=14.1592(4) ？,V=1131.41(19)？3,Z=4。此化合物表现出良好的非线性光学性能，为相匹配化合物并且二阶倍频效应强度为KDP的0.6倍，同时其短波吸收边都能达到约180nm，可能具有潜在的非线性光学应用价值。同时此化合物还表现出优异的热稳定性，经过综合热分析测试结果为此化合物为一致熔融化合物。
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公开(公告)号：CN102031415B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN200910112583.6
申请日：2009-09-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一类I型锑基笼合物材料及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用无机固相一步合成法或两步合成法进行合成。本发明中，利用过渡金属或者主族元素对锑基骨架进行了修饰，在骨架原子所形成的多面体空腔中填充了碱金属填隙原子，得到了一类I型锑基笼合物材料，其分子式通式可以表示为：A8MxSb46-x，(18≤x≤25)式中A为填隙原子，为碱金属Rb，Cs中的一种，M为第二骨架元素，为过渡金属或者主族金属原子，为Zn，Cd，Ga，In中的一种，x表示第二骨架元素的摩尔含量，当M＝Zn，Cd，x＝18；当M＝Ga，x＝25；当M＝In，x＝20。本发明获得的笼合物材料，具有化学物相单一，均匀性好，组分可控等优点。本发明制备的I型锑基笼合物材料，成功拓展了I型笼合物理论和实验研究范围，具有潜在的热电应用价值。
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公开(公告)号：CN102191553A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010116371.8
申请日：2010-03-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/46
Abstract: 本发明涉及一类新型红外非线性光学晶体及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用高温无机固相一步合成法进行合成。合成条件：在950℃下反应4天。在本发明中，新型红外非线性光学晶体Ln4InSbS9结晶于四方手性空间群P41212或P43212。其结构含有一维无限螺旋链：[In2Sb2S11]10-，链间填充稀土离子。InS4四面体共顶点得到二聚体In2S7，SbS3三角锥共边形成得到二聚体Sb2S4，Sb-S键连接Sb2S4二聚体和In2S7二聚体形成独特的一维无限螺旋链结构。本发明已成功地合成Ln4InSbS9的单晶和纯相。非线性光学测试表明，La4InSbS9和Sm4InSbS9在波长为2.05的激光照射下，观察到SHG效应，大约是经典非线性光学材料磷酸钛氧钾KTP的4和2倍。本发明获得的非线性光学晶体材料的合成方法简单，产率高，产物具有化学物相单一，均匀性好，具有潜在的红外非线性光学应用价值。
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公开(公告)号：CN101619212A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200810071336.1
申请日：2008-07-03
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明涉及一种碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法。本发明采用前驱体热解的工艺步骤，热解温度范围为400-750℃。本发明中，掺杂稀土离子部分取代La 2 O 2 CO 3 中的La离子，掺杂后碳酸氧化纳镧基纳米荧光粉体的通式可以表示为：(La 1-x RE x ) 2 O 2 CO 3 ，RE可选用Dy 3+ 或Er 3+ 或Nd 3+ 或Ho 3+ 或Yb 3+ 或Tm 3+ 或Tb 3+ 或Eu 3+ 或Sm 3+ 或Pr 3+ 中的一种，x表示掺杂离子的摩尔量，0≤x≤0.2。该纳米荧光粉体，颗粒细小，具有片状形貌，薄片厚度大部分在10-50nm范围内。本发明制备的碳酸氧化镧基纳米荧光粉体可应用于显示、照明、防伪、光电器件等方面及其相关领域中的用途。
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