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公开(公告)号：CN102361010B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110340553.8
申请日：2011-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L21/027 , H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种T型栅HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成细栅图形；在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形；在所述钝化层表面内和外延层表面内形成T型栅图形的栅脚图形；形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述栅脚底部被分为呈阶梯状排列的两部分，靠近源极的部分比靠近漏极的部分长。T型栅产生的电场更加均匀，在实际应用的时候可以降低栅脚靠近漏极一侧的边缘电场，进而降低漏压，使得器件的击穿电压升高。
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公开(公告)号：CN103730340A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410005266.5
申请日：2014-01-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/033 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0332 , H01L21/0475
Abstract: 本发明公开了一种提高背孔工艺中金属Ni掩膜选择比的方法，该方法是采用Cl基等离子体对形成背孔图形的衬底背面进行表面钝化处理，使得金属Ni掩膜与Cl基等离子体接触的表面形成NiCl3。本发明通过对Ni金属掩膜表面的进行钝化处理，能够降低SiC背孔刻蚀过程中的金属刻蚀速率，有效提高SiC对金属Ni的选择比。使得选择比从原来的30∶1提高到90∶1。利用本发明，可以减小SiC背孔刻蚀所需要的金属掩膜的厚度，从而降低工艺的难度。
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公开(公告)号：CN103700583A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201410005454.8
申请日：2014-01-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L29/401
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基场效应晶体管的T型栅的制作方法，包括：在衬底表面涂敷电子束光刻胶；对电子束光刻胶进行曝光及显影，形成刻蚀窗口；从形成的刻蚀窗口对衬底进行刻蚀，形成T型栅的细栅图形；蒸发金属薄层，然后二次涂敷电子束光刻胶；对二次涂敷的电子束光刻胶进行电子束曝光和显影，去除金属薄层，形成T型栅图形；以及在二次涂敷的电子束光刻胶及T型栅图形上蒸发淀积栅金属，剥离二次涂敷的电子束光刻胶及其上的栅金属，形成T型栅。利用本发明，有效地抑制了电流崩塌、减少了栅源、栅漏寄生电容，降低了器件栅电阻，提高了器件截止频率(ft)和最高振荡频率(fmax)，使得器件能工作于毫米波频段。
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公开(公告)号：CN102339748B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110340567.X
申请日：2011-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/311 , H01L21/335
Abstract: 本发明实施例公开了一种降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法，包括：提供基底，基底包括缓冲层、位于所述缓冲层表面上的外延层、位于所述外延层表面上的帽层以及位于所述帽层表面上的钝化层；采用钝化层刻蚀粒子刻蚀掉栅槽上方预设厚度的钝化层材料，以在所述钝化层表面内形成栅槽图形，所述预设厚度小于钝化层的厚度；采用帽层刻蚀粒子刻蚀上方剩余厚度的钝化层材料以及栅槽区域的帽层材料，以在所述钝化层和所述帽层表面内形成HEMT器件的栅槽。本发明实施例剩余厚度的钝化层材料阻止了钝化层刻蚀粒子对帽层材料的刻蚀，降低的栅槽刻蚀损伤，提高了HEMT器件电性和良率。
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公开(公告)号：CN102339748A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110340567.X
申请日：2011-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/311 , H01L21/335
Abstract: 本发明实施例公开了一种降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法，包括：提供基底，基底包括缓冲层、位于所述缓冲层表面上的外延层、位于所述外延层表面上的帽层以及位于所述帽层表面上的钝化层；采用钝化层刻蚀粒子刻蚀掉栅槽上方预设厚度的钝化层材料，以在所述钝化层表面内形成栅槽图形，所述预设厚度小于钝化层的厚度；采用帽层刻蚀粒子刻蚀上方剩余厚度的钝化层材料以及栅槽区域的帽层材料，以在所述钝化层和所述帽层表面内形成HEMT器件的栅槽。本发明实施例剩余厚度的钝化层材料阻止了钝化层刻蚀粒子对帽层材料的刻蚀，降低的栅槽刻蚀损伤，提高了HEMT器件电性和良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102299071A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010217196.1
申请日：2010-06-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/311 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种提高AlGaN/GaN HEMT频率特性的方法，该方法包括：对常规结构的毫米波GaN HEMT器件进行布线，然后通过光学光刻，在器件表面形成对布线金属保护的图形；采用湿法腐蚀工艺对器件进行一次介质的腐蚀；对腐蚀后的器件进行剥离去胶。利用本发明，减少了栅源、栅漏寄生电容，提高了器件截止频率(ft)和最高振荡频率(fmax)。
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公开(公告)号：CN101459080A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710179353.2
申请日：2007-12-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；高温退火合金；光刻形成屏蔽有源区图形，离子注入形成有源区隔离；湿法腐蚀二氧化硅保护层；在GaN基材料表面淀积氮化硅，对场效应管进行钝化；电子束直写或光学光刻制作栅线条，干法刻蚀氮化硅和顶层的GaN基材料层形成栅槽结构，蒸发栅金属，金属布线。本发明避免了GaN基材料表面裸露在空气中，防止了GaN基材料表面在制作工艺过程中被污染，抑制了AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应。
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公开(公告)号：CN101442071A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810240270.4
申请日：2008-12-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明是关于一种氮化镓基场效应管及其制备方法。该场效应管包括正面管芯、衬底和背金结构，所述的衬底包括碳化硅衬底或蓝宝石衬底，所述的背金结构设置在衬底底面，该背金结构包括背金起镀层和电镀层，所述的背金起镀层是由钛金属层、钨金属层和金金属层构成的复合金属层，所述的钛金属层与所述的衬底接触。本发明采用氢氧化钠抛光液，对场效应管的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛/钨/金复合层金属的方法形成背金起镀层，利用钨的良好阻挡性能，钛/钨/金系统有效地阻挡金锡合金或金锡焊料在高温条件下向衬底渗透，有效地增强了背金结构在碳化硅衬底或蓝宝石衬底的粘附性。
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公开(公告)号：CN115208366B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110389386.X
申请日：2021-04-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03K7/02
Abstract: 本申请提供一种PAM4‑DB信号处理方法及系统，获得PAM4‑DB信号，PAM4‑DB信号是对PAM4信号编码得到，且编码过程中消除PAM4信号的码元相关性；将PAM4‑DB信号分流至多个比较电路，PAM4‑DB信号分别经过每个比较电路处理，以得到第一逻辑电平信号；利用异或电路对所有第一逻辑电平信号中的部分第一逻辑电平信号分别进行异或处理，并利用反相电路对进行异或处理后的第一逻辑电平信号和没有进行异或处理的第一逻辑电平信号进行电平反相处理，得到第二逻辑电平信号；利用加法电路对所有第二逻辑电平信号进行相加处理，得到PAM4信号，实现利用简单电路对PAM4‑DB信号的解码，简化解码过程。
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公开(公告)号：CN115021714A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210651347.7
申请日：2022-06-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种均衡器和电子设备，所述均衡器包括：连续时间线性均衡器、单端转差分电路、可调增益放大器以及解串器模块，在本方案中，所述连续时间线性均衡器或单端转差分电路中的至少部分无源器件采用反相器构成，从而通过使用有源器件代替部分无源器件，可以降低芯片面积和功耗。
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