公开(公告)号：CN103326795B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201310197022.7

申请日：2013-05-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李明 ,  王辉 ,  祝宁华 ,  刘建国 ,  李伟 ,  王礼贤

IPC: H04B17/00

Abstract: 一种基于时间-频谱卷积原理的宽带射频信号相关检测方法，用于对宽带射频信号的匹配滤波，包括以下几个步骤：步骤1：使用激光器产生多波长激光光源；步骤2：将产生的激光通过光滤波器使用光谱成形技术，产生与被探测宽带射频信号时域波形共轭的幅频响应包络；步骤3：通过电光强度调制器将接收到的被探测宽带射频信号加载在光谱成形后的激光上；步骤4：将被调制后的光信号通过线性色散器件引入色散延迟；步骤5：接入光电探测器中进行光电转换，输出的信号即为相关运算后检测到的电脉冲信号，本发明可以有效避免数据的线下处理，完成对宽带射频信号的即时测量。

公开(公告)号：CN102692191B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201210197039.8

申请日：2012-06-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王辉 ,  漆晓琼 ,  谢亮

IPC: G01B11/06

Abstract: 本发明公开了一种基于光纤传感测量公路路面表层水膜厚度的方法，其特征在于，包括：激光器LD发出的激光信号经过发射光纤传输进入待测路面平面，在路面水膜与空气分界面处发生反射；反射后的激光信号分别通过第一接收光纤和第二接收光纤进入第一光探测器PD1和第二光探测器PD2，第一光探测器PD1和第二光探测器PD2根据该激光信号的功率大小，输出第一电流I1和第二电流I2；第一电流I1和第二电流I2通过电缆进入外部电路，外部电路以双路相比的比值量处理，得到水膜厚度。利用本发明，提高了路面水膜测量值的准确性和可靠性。

公开(公告)号：CN102064258A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200910237781.5

申请日：2009-11-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王辉 ,  朱建军 ,  张书明 ,  杨辉

IPC: H01L33/22 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明一种GaN基光电子器件表面粗化的制作方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上依次外延生长n型层、i型层及p型层；步骤3：利用纳米加工技术，在p型层上加工形成纳米柱阵列；步骤4：在该纳米柱阵列上外延生长p型表面粗化层。

公开(公告)号：CN101898751A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200910085917.5

申请日：2009-05-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙苋 ,  刘文宝 ,  朱建军 ,  江德生 ,  王辉 ,  张书明 ,  刘宗顺 ,  杨辉

IPC: C01B21/00 ,  C01B21/06 ,  C01B21/064 ,  B82B3/00

Abstract: 一种III族氮化物纳米材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜；步骤2：采用两步快速热退火方法，使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒；步骤3：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模，采用干法刻蚀SiO2层，形成SiO2纳米柱；步骤4：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模，采用干法刻蚀GaN模板，形成GaN纳米柱阵列；步骤5：用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒，得到GaN纳米柱阵列；步骤6：在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNIII族氮化物半导体材料。

公开(公告)号：CN101872798A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010183403.6

申请日：2010-05-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘宗顺 ,  赵德刚 ,  朱建军 ,  张书明 ,  王辉 ,  江德生 ,  杨辉

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层；一第二n型欧姆接触层，生长在多周期层之上，部分区域作为n型欧姆接触电极用；一禁带宽度为Eg3的本征层，生长在第二n型欧姆接触层之上，且Eg3≤Eg2；一透明电极，形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上；一上电极，形成于透明电极上一小区域；一中电极，形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口；以及一下电极，形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。

公开(公告)号：CN101740654A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810226677.1

申请日：2008-11-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王辉 ,  朱建军 ,  张书明 ,  杨辉

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行InxGa1-xN材料外延生长；一InxGa1-xN材料模板，该InxGa1-xN材料模板外延生长在衬底上；一纳米柱阵列，该纳米柱阵列加工形成于InxGa1-xN材料模板上；一半导体太阳能电池p-i-n结构，该p-i-n结构外延生长在纳米柱阵列的侧壁、顶部及纳米柱之间的材料模板表面。本发明同时公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片的制备方法。利用本发明，可以极大地增加单位芯片上光电转换区的面积，降低半导体薄膜表面对太阳光的反射，提高光子收集率，减少光生载流子的复合，提高器件的工作效率。