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公开(公告)号：CN104891495B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510398199.2
申请日：2015-07-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B32/991
Abstract: 本发明涉及一种高产率低温合成碳化硼粉体的方法，包括：按（4～7）：10的摩尔配比分别称取硼酸和聚乙烯醇，将硼酸与丙三醇混合搅拌至完全溶解，加入碱调节pH至4～6，得到硼酸溶液；将聚乙烯醇与水混合搅拌至完全溶解，得到聚乙烯醇溶液；将所得硼酸溶液和所得聚乙烯醇溶液混合搅拌并在加热下蒸发溶剂至完全形成凝胶；将所得凝胶进行干燥，得到干凝胶；将所得干凝胶在真空或惰性气氛下于500～700℃保温2～4小时进行裂解；将裂解产物在真空或惰性气氛下于1300～1500℃保温3～5小时进行碳热还原，得到碳化硼粉体。本发明同时克服了硼酸‑丙三醇体系凝胶后续处理过程中B2O3挥发损耗严重和硼酸‑聚乙烯醇体系硼酸浓度过低的局限。
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公开(公告)号：CN105016761A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410177477.7
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种C/SiC复合材料的钎焊连接方法，所述方法包括：1）将Cu粉、Al粉、Ti源混合均匀，得到钎料粉末，加入粘结剂配制成钎料膏，其中，Ti源为Ti粉或TiH2粉；2）将步骤1）中制备的钎料膏涂覆在经表面预处理的C/SiC复合材料之间，制成C/SiC-钎料膏-C/SiC结构的预连接件；3）将步骤2）中制备的预连接件干燥后，移至真空钎焊炉中进行钎焊。
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公开(公告)号：CN103771389A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310714065.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开了一种生长管径均匀的碳纳米管阵列的方法，主要包括：步骤A)在金属箔片上沉积缓冲层和催化剂层形成复合基底；步骤B)通入还原气体，于3～20kPa低压下对复合基底上的催化剂进行还原处理；步骤C)通入由惰性气体、还原气体和碳源气体组成的混合气体，于15～40kPa低压下，采用化学气相沉积法在复合基底上原位生长碳纳米管阵列。本发明的方法中，催化剂的还原和碳纳米管阵列的生长分别控制在3～20kPa和15～40kPa的低压下进行，不但提高了工艺的安全性，还有效控制了催化剂粒子的粒径和形貌以及阵列的生长，可以获得高质量管径均匀的碳纳米管阵列。本发明的碳纳米管阵列的高度为100～350μm，管径分布均匀，为8～20nm，标准差小于3nm。
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公开(公告)号：CN103647047A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310719637.1
申请日：2013-12-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/62
CPC classification number: H01M4/36 , H01M4/625 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开一种碳纳米管/SnO2同轴复合阵列锂离子电池负极材料的制备方法。首先利用电子束蒸发法在金属箔集流器上依次预沉积氧化铝缓冲层和铁催化剂层，然后利用热CVD法在该集流器上原位生长碳纳米管阵列，再在所得碳纳米管阵列上进行原子层沉积得到碳纳米管/SnO2同轴复合阵列。微晶状态SnO2纳米管均匀的包覆在碳纳米管的外表面，且与碳纳米管牢固结合，所得碳纳米管/SnO2同轴材料与金属基底直接牢固结合。该材料表现出了非常优异的电学性能。
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公开(公告)号：CN102530945A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110421124.3
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B33/00
Abstract: 本发明公开了一种制备高纯Ti3SiC2粉体的方法，所述方法包括如下步骤：首先将聚碳硅烷溶于有机溶剂中，然后加入氢化钛粉，超声使混合均匀；边加热边搅拌，直至有机溶剂挥发充分使溶液变成粘稠状，然后进行真空干燥；在惰性气氛保护下，进行低温处理；再在惰性气氛保护下，进行高温处理。利用本发明方法制备的Ti3SiC2粉体具有纯度高、结晶度高及粉体粒度较小等优点，而且本发明方法工艺简单，易于操作，能耗较少，能满足工业化生产Ti3SiC2粉体的规模化和经济上的要求，具有广泛应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118619696A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310231783.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/624
Abstract: 本发明涉及一种具有BN/SiC/Y2Si2O7多层界面的碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述制备方法包括：(1)在碳化硅纤维表面沉积BN界面，制得SiCf/BN预制体；(2)在所得SiCf/BN预制体表面沉积SiC界面，制得SiCf/BN/SiC预制体；(3)采用溶胶凝胶、浸渍提拉和高温热解在所得SiCf/BN/SiC预制体表面制备Y2Si2O7界面层，制得SiCf/BN/SiC/Y2Si2O7预制体；(4)对所得SiCf/BN/SiC/Y2Si2O7预制体进行SiC基体致密化，得到具有BN/SiC/Y2Si2O7多层界面的SiCf/SiC陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN115772037A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111057806.0
申请日：2021-09-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/573 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种利用短切纤维构造熔渗预制体制备碳化硅陶瓷基复合材料的方法，包括：（1）将短切纤维、碳化硅粉体、粘结剂和溶剂混合，得到碳化硅浆料；（2）将碳纤维布或碳化硅纤维布进入所得碳化硅浆料中，得到纤维浸浆片后，依次经烘干、裁剪、叠层、固化、热解，得到熔渗预制体；（3）将硅粉或硅合金粉置于熔渗预制体周围，再经反应烧结，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN115677355A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110857910.1
申请日：2021-07-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/80
Abstract: 本发明涉及一种纤维表面Si3N4纳米网络复合界面相层及其制备方法。该在纤维表面原位生长Si3N4纳米网络结构复合界面相层的方法为：将表面沉积有Si3N4界面相层的纤维或纤维编织体进行热处理，得到Si3N4纳米网络结构复合界面相层；所述热处理包括：（1）先在1450～1750℃、真空或压力为10Pa～20Kpa的N2或/和Ar中，保持0.1小时～2小时；（2）再在1450～1750℃，压力为70Kpa～1000Kpa的N2或/和NH3气氛中，保持0.1小时～2小时。
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公开(公告)号：CN113773099A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010523437.9
申请日：2020-06-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种连续纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，将质量比为（5～20）：（10～30）：（60～80）的硅源、碳源和SiC粉制备成浆料；将所述浆料通过流延方式引入二维纤维布中得到流延膜，再通过叠层、气压固化、排胶和烧结致密化，得到所述连续纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料；其中所述气压固化包括：真空度为1～20kPa；固化压力为40～80个大气压；固化温度为100～150℃；固化时间为1～2小时。
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