公开(公告)号：CN102117699B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201010590616.0

申请日：2010-12-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王伟 ,  孙晓玮 ,  谈惠祖 ,  周健 ,  孙浩

IPC: H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/008 ,  H01G4/06 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种硅基Al2O3薄膜芯片电容器，可用于微波和射频电路中，起旁路和滤波作用。该芯片电容器包括低阻(电阻率≤1×10-3Ω·cm)硅衬底、非晶Al2O3绝缘薄膜、上电极、下电极四层结构。采用射频磁控溅射法，以高纯Al2O3陶瓷为靶材，在单晶Si衬底生长Al2O3非晶绝缘薄膜，接着在薄膜表面溅射生长Ti或TiW层和Au层，再经电镀Au加厚后，通过光刻、腐蚀的方法制作上电极图形，根据芯片电容厚度的要求对Si片背面减薄，在背面溅射Ti或TiW层和Au层作为下电极，划片后制作成芯片电容。该电容具用高Q值、损耗小、结构与工艺简单、成本低廉、尺寸小等优点。

公开(公告)号：CN102779846A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110123487.9

申请日：2011-05-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孙浩 ,  孙晓玮 ,  艾立鹍 ,  滕腾 ,  王伟 ,  李凌云 ,  钱蓉 ,  徐安怀 ,  齐鸣

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供一种双异质结双极晶体管结构，其依序包括：包含磷与铟的化合物构成的集电区层、基区层、及包含磷与铟的化合物半导体构成的发射区层，其中，所述基区层的材料包含多种都由铟、镓、砷及锑所组成的化合物，且每一种化合物包含的铟、镓、砷及锑组份与其他种化合物所包含的铟、镓、砷及锑都不相同，且每一种化合物中铟的组份与镓的组份比为∶（1-），砷的组份与锑的组份比为∶（1-），且所述基区层的能带结构从发射结处到集电结处由宽变窄，其中，，。该双异质结双极晶体管结构可以在降低发射结导带势垒、缓解阻挡电子注入问题的同时，在基区形成从发射结到集电结的内建电势差，有效减小电子在基区的渡越时间，有利于提高器件的频率特性。

公开(公告)号：CN101964351A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010252352.8

申请日：2010-08-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴良才 ,  宋志棠 ,  倪鹤南 ,  蔡道林 ,  孙浩 ,  饶峰

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及一种非硅基的肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法，其特征在于所述的存储单元由一个基于化合物(如III-V族半导体GaAs)的肖特基二极管(SBD)和一个可逆相变电阻构成，该SBD具有50ns以下的开关速度，能提供1μA-5mA的电流，耐压能力达到10V以上，此外，SBD具有很强的抗辐照能力，基于结构变化的相变材料，在辐照情况下其阻值不会发生变化，从而实现了高速、低功耗、能提供大电流、耐压好、抗辐照的相变存储单元，由该相变存储单元构成存储阵列，加上SOI衬底上的外围电路，从而形成高速、抗辐照等性能优异的相变存储芯片。不同于目前基于半导体p-n结作为开关的相变存储器件的结构。

公开(公告)号：CN206922490U

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201621373646.5

申请日：2016-12-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周健 ,  孙谦晨 ,  叶金晶 ,  孙浩 ,  钱蓉 ,  孙晓玮

IPC: H02J7/35 ,  G01S19/42

Abstract: 本实用新型提供一种微型化、低功耗、长寿命资产追踪终端，包括三维定位装置、远程传输装置、MCU、能量储存装置、能量捕获装置及充电控制电路；MCU设置为控制三维定位装置采集待追踪资产的三维位置信息，并控制远程传输装置将三维位置信息上传至一远程上位机；能量储存装置与MCU连接，设置为给MCU供电；能量捕获装置与能量储存装置连接，设置采集光能并将采集到的光能转换成电能以给能量储存装置充电；充电控制电路与能量储存装置和充电装置连接，设置为采集外部环境光强和能量储存装置电量，并根据外部环境光强和能量储存装置电量控制能量捕获装置进行充电操作。本实用新型的资产追踪终端体积小、功耗低、寿命长，能够实现对资产的远程实时追踪。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN202949024U

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201220438872.2

申请日：2012-08-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孙晓玮 ,  郭万易 ,  贺连星 ,  李彪 ,  孙浩

IPC: H01P7/00 ,  H01P7/08

Abstract: 本实用新型涉及可用于实现太赫兹特异介质的电磁谐振单元结构。其特征在于所述的第一种电磁谐振单元结构由一个“工”字形封闭的金属环组成；第二种电磁谐振单元结构是在两个嵌套的闭合金属环之间加两个“T”形金属条组成；第三种电磁谐振单元结构是将两个开口金属环用金属条相连，内环与相邻单元的外环相连。当太赫兹电磁波垂直入射时，介质表现出负的介电常数或磁导率，从而得到三种电磁谐振单元结构可实现太赫兹波段的特异介质，具有结构简单，制作成本低，并且具有宽频带的优点，可以有效地应用于太赫兹功能器件的设计。

公开(公告)号：CN202004155U

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201120046588.6

申请日：2011-02-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孙晓玮 ,  刘传全 ,  时翔 ,  孙浩 ,  李凌云 ,  关福宏 ,  钱蓉 ,  汪书娜

IPC: H01Q13/08 ,  H01Q21/00

Abstract: 本实用新型涉及一种毫米波全息成像系统前端收发阵列天线与开关的集成结构，包括M个第一射频PCB、第二射频PCB、第一板体、第二板体、封装盖体和开关逻辑控制接口，每个第一射频PCB上集成有N个平面微带缝隙天线和一个第一级开关；第一级开关的输出端数目为N个，分别与N个平面微带缝隙天线相连；M个第一射频PCB固定在第一板体上；第二射频PCB上集成有一个第二级开关；第二开关的输出端数目为M个，分别与M个第一级开关的输入端相连；第二射频PCB固定在第二板体上；第一板体和第二板体的一侧均设有开关逻辑控制接口；第一板体和第二板体封装在封装盖体内；其中，M，N≥2。本实用新型结构紧凑，易于装配和拆卸，降低了成本。