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公开(公告)号：CN112240748B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202011284773.9
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，其中刚性底板的上表面固定有衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有两组完全相同的硅导线组，所述硅导线组包括若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等；所述硅导线垂直于所述刚性底板的前后面；所述刚性上板的下表面设置有散射光源；所述散射光源发出的激光照射硅导线组上时，所述硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线组中的一根硅导线完全抑制。本发明能够同步检测与纠正平行四边形柔性铰链构机构刚性上板在F力作用下沿x轴方向产生的位移误差以及刚性上板绕y轴的寄生转角误差。
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公开(公告)号：CN118244519A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410408713.5
申请日：2024-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种等比例X交叉型三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)；所述第一轻掺杂区(1)的左斜PN结与第二轻掺杂区(2)的右斜PN结在第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)的交界面形成一个三维PN结。本发明通过构造等比例X交叉型的三维掺杂结构，实现了高效调制的硅基耗尽型调制器；这种调制器旨在提高调制效率和带宽，同时降低功耗，从而为大规模数据传输提供低功耗的解决方案，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN109283616B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201811501015.0
申请日：2018-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种温度不敏感马赫曾德尔干涉仪，包括：第一模式转换器；第二模式转换器，位于第一模式转换器的一侧，且与第一模式转换器具有间距；连接臂，位于第一模式转换器与第二模式转换器之间，一端与第一模式转换器相连接，另一端与第二模式转换器相连接；连接臂包括直波导连接臂。本发明的温度不敏感马赫曾德尔干涉仪通过设置所述连接臂的宽度及厚度等参数可以实现对温度不敏感。
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公开(公告)号：CN116609879A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310267916.2
申请日：2023-03-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明涉及一种片外光发射器件，包括：衬底；下包层，位于所述衬底的上表面，且内部埋设有金属镜；波导层，位于所述下包层的上表面，包括波导和M级同心半圆光栅；上包层，位于所述波导层的上表面；所述波导用于引导光进入所述M级同心半圆光栅；所述金属镜用于将泄露到所述衬底的光反射至所述M级同心半圆光栅；所述M级同心半圆光栅用于将接收到的光向垂直方向发射；所述M级同心半圆光栅的前N级的狭缝的刻蚀深度小于后K级的狭缝的刻蚀深度，其中，M＝N+K，且N≤M/2。本发明能够提高器件的发射效率。
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公开(公告)号：CN114236880A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111455348.6
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅基耗尽型电光调制器及其制备方法和应用，包括硅层(1‑9)，其特征在于：所述硅层(1‑9)上依次包括P型重掺杂区(1‑5)、P型中等掺杂区(1‑3)、P型轻掺杂区(1‑1)、N型轻掺杂区(1‑2)、N型中等掺杂区(1‑4)和N型重掺杂区(1‑6)；所述P型轻掺杂区(1‑1)与N型轻掺杂区(1‑2)形成至少两个纵向PN结，至少三个横向PN结。本发明通过控制离子注入的比例和位置，实现高效调制的硅基耗尽型调制器，且在低压下具有高带宽的优势，可实现低功耗大规模数据传输。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111600195B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010383180.1
申请日：2020-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体和光电集成技术领域，特别是涉及一种硅基单片集成激光器及其制备方法，包括：衬底层、埋氧化层、硅波导器件、上覆层和三维波导器件；所述埋氧化层上设有图形化的限向结构；所述限向结构内设有激光器结构；所述硅波导器件设置在所述埋氧化层上；所述埋氧化层、所述激光器结构和所述硅波导器件远离所述衬底层的表面形成第一表面，所述上覆层设置在所述第一表面上；所述三维波导器件设置在所述上覆层上。通过在激光器结构有源区上方引入三维波导结构，实现激光器结构有源区和硅波导之间高质量的光学连接。
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公开(公告)号：CN112240754A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011284798.9
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明涉及一种微小空间三维形貌测量装置，包括光源组件和至少两组探测组件，所述探测组件包括衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等，每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连，所述电位测量计与处理器相连；所述光源组件通过激光对被测样品表面进行逐行扫描，被测样品反射的激光照射到所述探测组件上时，硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线与衬底形成的谐振器产生振幅完全抑制，所述处理器根据与硅导线相连的电位测量计输出的连续信号计算出被测样品表面反光点的位置信息。本发明具有体积小、精度高、非接触等优点。
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公开(公告)号：CN112200289A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011284812.5
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于非厄米耦合原理的光电子条码系统，所述条码识别装置包括衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等，每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连，所述电位测量计与处理器相连；所述衬底中部设置有用于供激光器发出激光通过的通孔，所述激光器相对于所述衬底固定；所述激光器发出的激光照射在条码上后反射到硅导线上时，硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线与衬底形成的谐振器产生振幅完全抑制，所述处理器根据硅导线中电位值为最小值的两根硅导线的位置信息计算出激光反射点的所在的位置。本发明能够为微纳米器件提供条码标识。
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公开(公告)号：CN108227075A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810218999.5
申请日：2018-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种弯曲波导结构、制备方法及基于所述弯曲波导结构的偏振分束旋转器，弯曲波导结构包括：衬底；第一波导，弯曲设置于衬底上，包括第一耦合区；第二波导，弯曲设置于衬底上，第二波导包括与第一耦合区耦合的第二耦合区，第二波导与第一波导之间具有预设间距，第二耦合区包括下部波导及位于下部波导上方的上部波导，下部波导与上部波导的截面宽度不同。通过上述方案，本发明提供的弯曲波导结构，通过改进外部波导的结构，在整体波导结构中引入了非对称结构的设计，使得外部波导的耦合区的两端以及上下均具有不同的尺寸，该非对称性设计具有增大带宽的作用，解决了现有波导结构的对波长敏感问题，进一步拓宽了弯曲波导结构的实际应用。
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公开(公告)号：CN115188776B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202110359483.4
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构及制作方法，本发明将光电探测器与偏振分束器进行有效的结合形成8通道结构，降低了系统的偏振灵敏度，同时保持较低的损耗。8通道的设计，有效地提高了系统的带宽，满足大量数据传输的需求。本发明还对光电探测器的结构做出改进，将光电探测器的光敏层设计为圆台形，圆台形的光敏层均衡了电流传输与电流扩展这两方面的影响因素，保证光生载流子在极短的时间内扩散以使电路迅速导通。此外本发明还提供了一种通过该8通道结构测试其自身偏振隔离度的方法，通过光电探测器的光电流值得出系统的偏振隔离度，简化测试过程，同时避免测试光功率时造成的损耗等误差。
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