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公开(公告)号：CN103247639A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210026720.6
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器圆片级封装方法及其结构。包括以下步骤：提供一包含若干芯片的图像传感器晶片(1)，与一透明基板(5)键合；之后对图像传感器晶片(1)进行背减薄；在图像传感器晶片背部、与所述焊盘电极(4)对应的位置打孔，形成若干第一通孔；然后喷涂绝缘层(8)并固化；在第一通孔内的绝缘层上继续形成横截面为倒梯形的第二通孔至暴露出所述焊盘电极(4)；所述第一通孔与第二通孔同轴；接着依次溅射金属种子层(10)、电镀形成金属互联层(11)；接着依次制备第二钝化层(12)和焊料凸点(13)。本发明整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN103199054A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210006254.5
申请日：2012-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种制作穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺，其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后，通过溅射TiW和Au层，与TSV晶圆进行Au-Au键合。待TSV晶圆完成TSV电镀填充后，对裸支撑晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀去除，最后放入Au腐蚀液去掉键合介质，获得完整的TSV晶圆。该方法操作简便，成本低，具有较高的可靠性和实用性。
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公开(公告)号：CN101525116B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810207329.X
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统三维垂直组合封装的结构及其制造方法，其特征在于提出一种新颖的三轴加速度计组合封装的结构和制作方法。其中，模块组合封装的结构采用支架组合方式：激光校准加三棱镜的定位方法，紫外光固化胶固定的方法，使用引线键合实现电互连的技术。整个工艺过程与传统IC封装工艺兼容，工艺简单。该结构在降低封装成本，简化工艺的同时，为三维加速度的测量提供了另一种选择。
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公开(公告)号：CN102306631A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110203161.7
申请日：2011-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法，其特征在于首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu，之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In，Cu层厚度为3-5微米，而后Sn-Ag焊料电镀之后接着电镀约为Sn-Ag焊料厚度1/10的In。最后回流以促使Sn、Ag和In原子混合均匀。本发明针对微电子封装中Cu与Sn-Ag之间焊接温度高、Sn-Ag焊料润湿性差以及焊料中容易出现大块Ag3Sn等缺陷，结合微电子封装中经常使用的电镀工艺，采用在Sn-Ag电镀之后接着电镀一薄层In的方法很好地解决了Sn-Ag焊料的上述缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102222630A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110149550.6
申请日：2011-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法，其特征在于采用分步电镀法在芯片基板上电镀三元无铅焊料。首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层后正面溅射铝导电层，沉积二氧化硅钝化层，光刻并干法腐蚀钝化层开口，之后在基板上溅射金属种子层，涂覆厚光刻胶并光刻电镀窗口，然后分两步分别电镀锡银和铟，电镀完成后去除厚光刻胶和多余的种子层，回流焊料形成凸点。本发明充分利用了电镀法制备凸点所具备的凸点一致性好、凸点尺寸和节距小、凸点产量高、成本低等优点，克服了电镀法在三元合金上的局限性，并为电镀法制备Sn-Ag-In三元高密度微小尺寸无铅凸点奠定了基础。
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公开(公告)号：CN101525116A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810207329.X
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统三维垂直组合封装的结构及其制造方法，其特征在于提出一种新颖的三轴加速度计组合封装的结构和制作方法。其中，模块组合封装的结构采用支架组合方式：激光校准加三棱镜的定位方法，紫外光固化胶固定的方法，使用引线键合实现电互连的技术。整个工艺过程与传统IC封装工艺兼容，工艺简单。该结构在降低封装成本，简化工艺的同时，为三维加速度的测量提供了另一种选择。
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公开(公告)号：CN101159259A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710048038.6
申请日：2007-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/19106 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种基于印制电路板实现三维立体高密度封装的多芯片模块结构(3D－MCM)。在封装基板上加工制作出独特的腔体结构，用于放置芯片和分布电路连接走线，从而形成立体封装结构。回型球栅阵列(BGA)的引脚输出形式的设计，既满足了对模块I/O数目的要求又为腔体的设计提供了空间。多个芯片的互连采用了传统的引线键合和新型的芯片倒装方法相结合的方式。这种多芯片模块集多种封装技术于一体，有效地提高了封装密度，减少了封装尺寸，缩短了互连距离。
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公开(公告)号：CN116913895A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310941238.3
申请日：2023-07-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种超导硅通孔转接板及其制备方法，所述超导硅通孔转接板包括：上凹槽、下凹槽、凹槽埋层及超导金属柱；其中，所述上凹槽及所述下凹槽分别对应设置在所述基板的上表面及下表面，且所述通孔贯穿所述上凹槽及所述下凹槽；所述凹槽埋层形成在所述上凹槽的内壁表面及所述下凹槽的内壁表面；所述超导金属柱填充设置在所述上凹槽、所述下凹槽及所述通孔内。本发明提供的超导硅通孔转接板及其制备方法能够解决现有超导硅通孔转接板中的超导金属柱因冷缩松动无法实现电连接功能的问题。
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公开(公告)号：CN113406397B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110802223.X
申请日：2021-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明提供一种低温固体介电常数测量方法，通过测试装置对具有待测固体介质的平板电容器进行降温，通过电容测量仪测量电容值，以及通过热应力仿真获得形变量，从而结合电容值及形变量，进行数据处理，可获得固体介质层在测试温度下的介电常数。本发明通过原位电容测量与低温形变仿真相结合的方式，可精确测试固体介质层在低温环境下的介电常数，测试方法简便，在低温环境下可行；采用开尔文四探针法测量电容值减小测试误差；通过热应力分析软件进行实体建模仿真分析，可使低温固体介电常数的计算更加准确；通过设计多组不同尺寸规格的平板电容器可得到多组电容值，经过数据处理，可进一步的减小测量误差。
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