公开(公告)号：CN108168580A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711395423.8

申请日：2017-12-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 豆传国 ,  杨恒 ,  孙珂 ,  戈肖鸿 ,  吴燕红 ,  李昕欣

IPC: G01D3/08 ,  G01D5/241

Abstract: 本发明提供一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构，该传感器具有固定的第一敏感电极和可动的第二敏感电极，其中，所述防静电结构包括分别连接在所述第一敏感电极与一地电极之间、所述地电极与一输出电极之间、所述输出电极与所述第二敏感电极之间的三个多晶硅结构层，其中，每个多晶硅结构层与其相邻的两个电极构成一对背靠背二极管。本发明能够保证电容式传感器两电极在非工作状态下不被吸合或击穿，同时又不会对传感器的正常工作产生影响。

公开(公告)号：CN106895777A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201510954769.1

申请日：2015-12-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨恒 ,  王小飞 ,  豆传国 ,  孙珂 ,  吴燕红 ,  李昕欣

IPC: G01B7/16

Abstract: 本发明提供一种基于量程拓展的谐振式应变结构、应变传感器及制备方法，所述基于量程拓展的谐振式应变结构包括：双端固支音叉及量程拓展梁；所述量程拓展梁位于所述双端固支音叉的两端，且与所述双端固支音叉的两端相连接。本发明中，量程拓展梁可以降低双端固支音叉的应变量，从而实现谐振式应变传感器量程的拓展；通过设计量程拓展梁与双端固支音叉的尺寸，可以设定双端固支音叉上的应变与实际应变的比例；整个结构为一体化结构，制作工艺简单，便于实现工业化。