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公开(公告)号：CN112382685A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011203114.8
申请日：2020-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/056 , H01L31/049 , H01L31/048 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种双面超薄硅基异质结太阳电池柔性光伏组件及制备方法，自上而下包括高透光柔性表面窗口层(201)、第一封装胶膜层(202)、超薄柔性SHJ太阳电池阵列(203)、高反射背膜层(204)、第二封装胶膜层(205)和超轻柔性背板(206)。本发明具有效率高、重量轻、弯曲特性好、可靠性高等特点，特别适合在柔性微能源系统、新能源汽车、太阳能无人机和飞艇等空间飞行器上应用。
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公开(公告)号：CN112162589A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010894879.4
申请日：2020-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于电导增量法和粒子群算法的最大功率点追踪控制方法，包括以下步骤：快速启动阶段：在启动时增加一段停滞时间，光伏系统在停滞时间内DC‑DC电路停止工作；变步长追踪阶段：根据dP/dU的正负判断扰动方向，并以|dP/dU|的大小判断扰动步长；其中，dP为输出功率变化量，dU为输出电压变化量；动态粒子群算法稳定阶段：当|dP/dU|小于动态粒子群算法启动阈值时进入动态粒子群寻优，寻到的最佳值为最优输出电压Ubest，当满足适应度值或达到最大迭代次数后，输出最优输出电压Ubest。本发明能够大幅提升追踪时间、追踪精度以及响应速度。
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公开(公告)号：CN111668349A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910168488.1
申请日：2019-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种硅基异质结太阳电池的制备方法及镀膜设备，方法包括依次形成堆叠设置的第一透明导电氧化物缓冲层及第一透明导电氧化物主导层；依次形成堆叠设置的第二透明导电氧化物缓冲层及第二透明导电氧化物主导层；其中，第一透明导电氧化物缓冲层及第二透明导电氧化物缓冲层采用射频磁控溅射源制备，第一透明导电氧化物主导层及第二透明导电氧化物主导层采用直流磁控溅射源制备；所述镀膜设备包括：至少两个射频磁控溅射源，以形成第一缓冲层及第二缓冲层；至少两个直流磁控溅射源，以在第一缓冲层上制备第一主导层及在第二缓冲层上制备第二主导层；具有低成本、高稳定性、方法兼容的特点。
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公开(公告)号：CN111435693A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201811601967.X
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种非晶硅/晶体硅异质结太阳电池及制备方法，制备方法包括制备非晶硅/晶体硅异质结结构，其上表面和下表面分别包括中心区及包围中心区的边缘区；制备透明导电氧化物薄膜以覆盖中心区，且至少显露非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面中的一面的边缘区；形成金属电极；形成覆盖薄膜，覆盖薄膜至少覆盖被显露的边缘区。本发明通过氮化硅、氧化硅及氮氧化硅的化学惰性及光学折射率可控的特点，使非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性最大化，同时减反射效果最优化，从而达到提高非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性和光电转化效率的双重目的，且具有低成本、高稳定性的优势。
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公开(公告)号：CN107424915B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710571340.3
申请日：2017-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L31/072 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种不连续结晶硅基薄膜、异质结晶体硅太阳电池及制备方法，不连续结晶硅基薄膜制备包括：提供一晶体硅衬底；于晶体硅衬底的至少一个表面沉积不连续结晶硅基薄膜，其包括无定形硅基结构和结晶化硅基结构。通过上述方案，本发明提供的不连续结晶化硅基薄膜，无序部分用于提高少子寿命，结晶部分用于提高载流子的有效输运，可以有效提高晶体硅衬底的钝化效果；通过调沉积参数可以得到高质量且不完全结晶的硅基薄膜，利用该薄膜内富含的原子氢有效钝化晶体硅表面的悬挂键；利用该薄膜的部分结晶化结构提高载流子寿命和增强场效应，实现对电子和空穴两种载流子的有效收集，从而有效提高表面使用硅基薄膜钝化层的晶体硅太阳电池的转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106340570B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201610975301.5
申请日：2016-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/67 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供一种用于制作透明导电氧化物（TCO）薄膜的镀膜设备及镀膜方法，其中，所述镀膜设备在同一台真空设备中同时集成有离子镀膜源及溅射镀膜源。本发明结合离子镀膜和溅射镀膜的特点，把两种镀膜有效地融合，针对器件中对TCO薄膜的不同需求，可以在不暴露大气的条件下，连续制备具有不同光学性质和电学性质的TCO薄膜，获得高速的沉积速率，同时降低薄膜沉积过程中对衬底和器件表面所引起的损伤。本发明尤其适合高效率薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的正面和背面连续、低损伤制备TCO薄膜以及各种薄膜太阳电池中连续制备不同TCO薄膜，且本发明的设备和方法可适用于多种具有不同性能的TCO材料。
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公开(公告)号：CN106300329B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610782167.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光伏独立智能供电系统及供电方法，所述系统包括光伏组件、最大功率点跟踪（MPPT）、蓄电池组、逆变器、多级斩波器、直流桥式电路、控制驱动电路、自上电保持模块以及报警器。光伏列阵通过MPPT输出，由升压斩波电路为直流桥提供稳定的电压输入；蓄电池组通过双向斩波电路与直流桥相连；直流桥输出分别通过逆变器与斩波器提供交流与直流输出；整个主电路的工作通过控制驱动电路控制，蓄电池的充放电由电池管理系统控制；自上电保持模块可在恶劣天气状况下保证系统可靠性。本发明通过各模块合理配置，具有如下优点：电路使用模块化结构，能量利用率高，可靠性强，延长蓄电池使用寿命，方便系统容量的增减，可不间断对交/直流负载供电。
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公开(公告)号：CN105895746B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610494414.3
申请日：2016-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面覆盖介电减反射薄膜；步骤4），进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。本发明的金属栅线处的结构采用透明导电层‑金属栅线‑介电减反射薄膜的三明治结构，并通过低温后处理，金属栅线可以与表层的介电减反射薄膜反应，从而实现导电通路。本发明具有低成本、高可靠性的优势，与现有异质结太阳电池制备工艺匹配的特点，在太阳电池制造领域具有广泛的应用前景及实用价值。
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公开(公告)号：CN105914262A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610390568.8
申请日：2016-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/186 , H01L31/1864
Abstract: 本发明提供一种薄膜太阳能电池缓冲层后处理工艺，包括：提供表面形成有吸收层的薄膜太阳能电池，配置反应溶液，采用化学水浴法将所述反应溶液沉积于所述吸收层表面形成缓冲层，之后将所述缓冲层置于水溶液中进行浸泡处理，最后取出，用氮气吹干。本发明缓冲层后处理工艺可以改善缓冲层表面平整度，减少缓冲层表面絮状物，增加与上层窗口层的接触面积与晶格匹配，减少载流子在缓冲层/窗口层界面的复合，可提高薄膜太阳能电池的短路电流密度1.0?2.0mA/cm2，提高电池转换效率绝对值1?3％。由于浸泡处理所采用的氨水、异丙醇、醋酸铵等本身为常规试剂，可重复利用，工艺成本低、设备简单可靠、操作安全、适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111312859B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202010140012.X
申请日：2020-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/074
Abstract: 本发明涉及一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法，其包括提供衬底并在该衬底上生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜，通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围，在该氛围下对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以形成重掺杂型硅基薄膜，重掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量大于轻掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量。本发明还提供上述的制备方法得到的重掺杂型硅基薄膜。本发明又提供上述的重掺杂型硅基薄膜在异质结晶体硅太阳电池上的应用。根据本发明的重掺杂型硅基薄膜的制备方法，能够提高硅基薄膜的掺杂效率，对进一步获得高效率异质结晶体硅太阳电池具有突出的意义。
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