一种低驱动电压的太赫兹波段复合梁RF MEMS开关

    公开(公告)号:CN119560343A

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202411651917.8

    申请日:2024-11-19

    Abstract: 本发明公开了一种低驱动电压的太赫兹波段复合梁RF MEMS开关,属于射频前端器件领域。由直流端口金属块,直流偏置线,微带线匹配结构,复合梁MEMS开关,复合梁中间导通结构,复合梁的金属电极,氮化硅绝缘层,石英玻璃衬底,共面波导金属地和金属地组成。该复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组合而成,直流端口分别经过直流偏置线连接到金属梁锚点位置及金属电极,可以通过直流端口输入不同直流电压控制复合梁的抬起状态与吸附到电极的下拉状态,分别对应着开关的断开状态与导通状态。复合梁MEMS开关工作在140GHz以下实现低驱动电压、低插入损耗、高隔离度。微秒量级的反应时间,且不易发生破坏性形变,结构简单,易于制造。

    一种太赫兹波段MEMS复合梁开关
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116799451A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310783506.3

    申请日:2023-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段MEMS复合梁开关,属于射频前端器件技术领域。其由直流端口金属块,直流偏置线,微带线匹配结构,复合梁,中间导通结构,金属电极,氮化硅绝缘层,硅基衬底,金属地组成。该开关为复合固支梁电容式开关,复合梁由二氧化硅材料固支梁及吸附在其下方的金属梁组合而成,直流端口分别经过直流偏置线连接到金属梁锚点位置及金属电极,可以通过直流端口输入不同直流电压控制复合梁的抬起状态与吸附到电极的下拉状态,分别对应着开关的断开状态与导通状态。本发明可以在太赫兹波段350GHz频率以下实现高隔离度:微秒量级的响应时间,且不易发生破坏性形变;结构简单、制造方便,可以通过硅基工艺进行制造。

    一种太赫兹波段方向图可重构天线

    公开(公告)号:CN115207619B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202210879322.2

    申请日:2022-07-25

    Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段方向图可重构天线,属于卫星通信技术领域。该天线包括底层的馈电网络、中间层的介质和顶层的天线贴片;馈电网络上设有四个射频开关,四个射频开关和天线贴片上的四个辐射单元一一对应;天线贴片为两个辐射片和四个辐射分支组成的一体式结构;四个辐射分支的端部相连于一点构成X型结构,且四个辐射分支关于其相连的一点中心对称;两个辐射片均连接在X型结构的中心点上,且分别位于X型结构的上、下两侧;辐射分支与其相邻的辐射片之间具有渐变槽结构,且渐变槽从内至外宽度渐增;渐变槽的内端馈电处刻蚀有用于与馈电网络匹配的方形孔。本发明具有结构简单,设计方便,增益高,前后比高,辐射范围大等特点。

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