公开(公告)号：CN204348720U

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201520079927.9

申请日：2015-02-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  吉宪 ,  李琦 ,  李跃 ,  黄伟 ,  马磊 ,  首照宇 ,  吴笑峰 ,  李思敏

IPC: H01L27/04

Abstract: 本实用新型公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器，该微波振荡器的有源固体器件由砷化镓衬底的变组分高电子迁移率晶体管构成；所述砷化镓衬底的变组分高电子迁移率晶体管自下而上依次由衬底层、渐变缓冲层、缓存层、第一沟道层、第二沟道层、隔离层、势垒层、刻蚀停止层、第一帽层和第二帽层构成；漏极和源极分设在第二帽层的上方；第一帽层、第二帽层和刻蚀停止层内开设有栅槽，T形的栅极嵌入该栅槽内，栅极的栅脚与势垒层接触。本实用新型工艺简单，器件可靠性强，便于重复。

公开(公告)号：CN204179089U

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201420611907.7

申请日：2014-10-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  李海鸥 ,  翟江辉 ,  唐宁 ,  蒋行国 ,  李跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本实用新型不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。

公开(公告)号：CN207441705U

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201721428381.9

申请日：2017-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 李海鸥 ,  王博 ,  邹锋 ,  刘洪刚 ,  高喜 ,  李琦 ,  蒋振荣 ,  张法碧 ,  陈永和 ,  肖功利 ,  李跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本实用新型公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208461784U

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201820613792.3

申请日：2018-04-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  李陈成 ,  徐华蕊 ,  李跃 ,  陈永和 ,  李琦 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  孙堂友 ,  肖功利

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/193 ,  H03G3/30

Abstract: 本实用新型提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本实用新型在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206422040U

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201720041157.8

申请日：2017-01-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  马磊 ,  李思敏 ,  首照宇 ,  李琦 ,  王盛凯 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  肖功利 ,  傅涛 ,  李跃 ,  常虎东 ,  孙兵 ,  刘洪刚

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

Abstract: 本实用新型公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本实用新型具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。