公开(公告)号：CN119438844A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411619652.3

申请日：2024-11-13

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 叶结锋 ,  张战刚 ,  雷志锋 ,  陈义强 ,  李鸿德 ,  董玉凤

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开提供了一种识别系统级封装器件辐照敏感模块的试验方法，包括以下步骤，S1、对被测SiP器件开展宽能谱中子辐照试验，获得被测SiP器件内部各模块的单粒子翻转截面σi；S2、利用现实地点的大气中子环境通量，计算出各模块的大气中子单粒子效应软错误率Ri；S3、根据各模块的大气中子单粒子效应软错误率和各模块在SiP器件中的重要性，计算出敏感度Pi；S4、根据获得的敏感度数据评估SiP器件的大气中子辐照可靠性。本发明通过敏感度判断SiP器件的大气中子辐照可靠性，该方法可评估器件的大气中子辐照可靠性，节省进行实地实验所需要的时间，帮助设计人员更高效地对器件进行抗辐照加固。

公开(公告)号：CN117991328A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410214788.X

申请日：2024-02-27

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 张鸿 ,  雷志锋 ,  马腾 ,  彭超 ,  张战刚 ,  何玉娟 ,  肖庆中

IPC: G01T3/00

Abstract: 本发明提供了一种宽能谱中子位移损伤强度的确定装置及方法，该装置包括：测量电路、控制模块；测量电路包括硅三极管、源表；硅三极管和源表连接；源表与控制模块连接；通过宽能谱中子源向硅三极管进行宽能谱中子辐照；在达到各预设宽能谱中子注量时向源表发送测量指令；以使源表向硅三极管的发射极和集电极施加偏置电压、基极施加预设电流；在施加完成后测量硅三极管的集电极电流；根据各集电极电流、预设电流，确定宽能谱中子注量与硅三极管的放大系数的倒数变化量之间的系数；根据该系数，计算待确定半导体器件的宽能谱中子位移损伤强度。能够避免通过测量中子能谱数据来计算此种宽能谱中子的位移损伤。

公开(公告)号：CN113132521B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202110238546.0

申请日：2021-03-04

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 雷志锋 ,  张战刚 ,  黄云 ,  彭超 ,  何玉娟 ,  肖庆中

IPC: H04M1/24

Abstract: 本发明涉及辐射效应评估技术领域，公开了一种移动终端软故障测试方法和系统，包括使得待测移动终端处于测试模式之下；使用中子束流对所述待测移动终端进行辐照测试；控制所述待测移动终端运行不同的应用功能；对所述待测移动终端进行监测，观察并统计所述待测移动终端在运行不同的应用功能时的错误情况；根据所述错误情况区分不同的软故障类型。使用中子束流模拟真实环境中大气中子对待测移动终端的辐照。观察并统计待测移动终端在不同运行模式下的错误情况，并基于待测移动终端的错误情况区分不同的软故障类型。通过高通量的中子源对待测移动终端进行辐照试验，快速激发待测移动终端中可能存在的软故障类型，向产品研发人员提供有效数据支撑。

公开(公告)号：CN115097277B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202210697645.X

申请日：2022-06-20

Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 ,  中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 杨柳 ,  彭超 ,  周月宾 ,  张战刚 ,  饶宏 ,  熊岩 ,  雷志锋 ,  徐义良 ,  赵晓斌

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/00 ,  G01R31/52 ,  H02J3/36

Abstract: 本发明公开了柔性直流换流阀功率单元的大气中子加速辐照试验方法，包括：在预设的第一数量的试验温度下，对多个待测功率单元注入中子束流并施加预设的第二数量的试验电压，对多个待测功率单元进行试验，功率单元为功率器件或功率器件内的芯片；监测并记录试验过程中的中子注量和各待测功率单元的泄漏电流，根据预设的失效条件判断各待测功率单元是否失效，预设的失效条件与泄漏电流相关；当满足预设的结束条件时，停止注入中子束流并结束试验，预设的结束条件与中子注量、柔性直流换流阀使用地的海拔高度相关。本发明针对高海拔地区的工作环境，测试效率高，能准确评估功率单元因大气中子引起的失效率，获得功率单元的安全工作电压边界。

公开(公告)号：CN117423686A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311239312.3

申请日：2023-09-25

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 张战刚 ,  雷志锋 ,  彭超 ,  何玉娟 ,  马腾

IPC: H01L23/556

Abstract: 本申请涉及一种阿尔法粒子的屏蔽方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：根据电子器件的材料类型和制作工艺，确定屏蔽层的目标材料；根据所述电子器件中阿尔法粒子的来源材料、所述电子器件的有源区，以及所述目标材料，确定所述屏蔽层的目标尺寸参数，以及所述屏蔽层在所述来源材料和所述有源区之间的目标位置；控制器件运维端根据所述目标尺寸参数和所述目标材料，制作所述屏蔽层，并将所述屏蔽层放置于所述目标位置处，以对所述来源材料向所述有源区发射的阿尔法粒子进行屏蔽。采用本方法能够更加准确、有效的降低集成电路中出现软错误的概率。

公开(公告)号：CN112668932B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202110052566.9

申请日：2021-01-15

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 张战刚 ,  雷志锋 ,  黄云 ,  彭超 ,  何玉娟 ,  肖庆中 ,  路国光

IPC: G06F11/10

Abstract: 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质，包括获取电子器件的软错误率指标；根据电子器件的模拟辐照试验，获取电子器件发生各种单粒子翻转类型的软错误率，单粒子翻转类型包括单位翻转和多位翻转；根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与软错误率指标，确定电子器件的待加固类型；根据待加固类型，对电子器件进行加固纠正。通过获取发生各种单粒子翻转类型的软错误率，以实际应用环境下的软错误率指标为导向，选择合适的加固方式对电子器件进行加固纠正，以保证电子器件在达到软错误率指标的同时避免过度加固，以降低加固带来的资源消耗和性能下降。

公开(公告)号：CN115225064A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210586273.3

申请日：2022-05-27

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 彭超 ,  雷志锋 ,  张战刚 ,  何玉娟 ,  肖庆忠

IPC: H03K3/356

Abstract: 本发明涉及一种D触发器，包括时钟输入模块，用于接收外部时钟信号，并根据所述外部时钟信号生成延时时钟信号和直通时钟信号，生成第一时钟信号和第二时钟信号；数据输入模块，与所述时钟输入模块连接，用于接收外部数据信号，响应于所述第一时钟信号和所述第二时钟信号，根据所述外部数据信号输出第一数据信号和第二数据信号；置位复位模块，用于接收置位信号和复位信号，根据所述置位信号生成置位控制信号，根据所述复位信号生成复位控制信号；锁存器模块，与所述时钟输入模块、所述数据输入模块、所述置位复位模块连接，用于基于所述置位控制信号、所述复位控制信号对所述外部数据信号进行锁存。采用本申请提供的D触发器可以抗单粒子辐射。

公开(公告)号：CN114329993A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111666433.7

申请日：2021-12-30

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 张战刚 ,  黄云 ,  雷志锋 ,  彭超 ,  何玉娟 ,  肖庆中 ,  路国光 ,  来萍

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/02

Abstract: 本申请涉及一种电子器件软错误率评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取电子器件的封装材料释放的粒子的通量‑能量谱；对所述电子器件进行反向分析，确定电子器件的有源区至所述封装材料之间的介质属性信息；根据通量‑能量谱以及介质属性信息，确定电子器件在有源区的粒子通量‑有效线性能量转移值谱；获取对电子器件进行辐照试验获得的电子器件的单粒子效应截面值‑有效线性能量转移值谱；对粒子通量‑有效线性能量转移值谱和单粒子效应截面值‑有效线性能量转移值谱进行运算，确定电子器件的软错误率。采用本方法能够提高电子器件软错误率的评估精度。

公开(公告)号：CN113568031A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110654904.6

申请日：2021-06-11

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 张战刚 ,  陈资文 ,  雷志锋 ,  黄云 ,  罗俊洋 ,  彭超 ,  何玉娟 ,  肖庆中 ,  李键坷 ,  路国光

IPC: G01T1/36

Abstract: 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种α粒子发射率测试方法，包括获取测试样品；对测试设备的背底噪声进行调试，使得测试设备的α粒子发射率小于设定值；利用完成调试的测试设备对测试样品进行α粒子发射率测试，并对测试到的α粒子进行计数；当α粒子的计数达到目标计数时结束测试，并获取测试数据；对测试数据进行分析和处理。通过在对测试过程前通过背底噪声调试来降低环境噪声和设备自身发射α粒子本底对测试结果的影响，在测试完成后通过数据分析来进一步确定超低本底电子材料的测试样品的实际α粒子发射率。利用上述α粒子发射率测试方法可以实现对超低本底电子材料的测试样品α粒子发射率、能谱的准确测量，提高试验准确度。

公开(公告)号：CN110045205B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201910341901.X

申请日：2019-04-26

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 张战刚 ,  肖庆中 ,  雷志锋 ,  彭超 ,  何玉娟 ,  来萍 ,  黄云 ,  恩云飞

IPC: G01R31/00

Abstract: 本申请涉及一种单粒子闩锁限制电流测试方法、装置和系统。所述方法包括：当监测到处于当前离子束辐照中的待测器件出现单粒子闩锁效应时，以单粒子闩锁维持电流作为待测器件的输入电流的初始值，逐次减小输入电流；记录在各输入电流下、待测器件退出单粒子闩锁效应的所用时长；并根据各输入电流和所用时长，建立待测器件处于当前离子束辐照中的电流时长曲线；获取处于下一种离子束辐照中的待测器件对应的电流时长曲线；根据各电流时长曲线和待测器件的可容忍中断时长，获取待测器件处于各种离子束辐照中对应的极限电流，并将各极限电流中的最小值确认为待测器件的单粒子闩锁限制电流，从而，本申请提高了测试单粒子闩锁限制电流的准确度。