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公开(公告)号:CN118826694A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410774388.4
申请日:2024-06-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提出一种基于变压器的镜像抑制滤波器,包括变压器初级电感LP、变压器次级电感LS、可调电容Ctune三部分,其中变压器的耦合系数为km,可调电容Ctune跨接在变压器同名端。该滤波器适用于不同大小的源阻抗RS和负载阻抗RL。利用可调电容与变压器所形成的滤波器在极点频率处能正常通过目标射频信号,在零点频率处能抑制镜像干扰信号,从而实现镜像抑制功能。通过调节可调电容值,滤波器的极点和零点频率能够同时增大或者同时减小,从而具备频率跟踪特性,而且仅用一个滤波器就可以实现宽带镜像抑制性能。该滤波器可以作为低噪声放大器与混频器之间的阻抗匹配网络,并可以通过变压器的中心抽头为低噪声放大器提供电源电压、为混频器提供偏置电压。
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公开(公告)号:CN118748319A
公开(公告)日:2024-10-08
申请号:CN202410798327.1
申请日:2024-06-20
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹微凸封装天线,所述微凸封装天线包括:太赫兹片上天线(20)和微凸点寄生结构(10),微凸点寄生结构(10)位于太赫兹片上天线(20)上面;所述太赫兹片上天线(20)包括从上到下顺序设置的辐射贴片(201)、片上介质层(202)、参考地层(203)、衬底层(204);所述微凸点寄生结构(10)包括从上到下顺序设置的金属凸点(101)、凸点焊盘(102)、封装介质层(103)。本发明采用扇出型封装技术,在传统太赫兹片上天线辐射结构上方引入微凸点寄生结构。该发明极大提升太赫兹片上天线的带宽、效率和增益性能,在太赫兹通信、雷达感知等领域中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN118316419A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410434269.4
申请日:2024-04-11
Applicant: 东南大学
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明提出一种融合式低插入损耗超宽带衰减器,包含一条信号支路(Ks),三条衰减支路即第一衰减支路(K1)、第二衰减支路(K2)、第三衰减支路(K3),以及两条补偿支路即第一补偿支路(K4)、第二补偿支路(K5);第一衰减支路(K1)、第二衰减支路(K2)间跨接用于扩展带宽的电容Cpall2;第一补偿支路(K4)、第二补偿支路(K5)间跨接电容Cpall1;本发明利用开关内嵌式衰减器结构实现对信号的衰减,采用将传统π型衰减器与T型衰减器融合的方式实现了整体插入损耗的降低,采用在衰减支路跨接电容的方式扩展了衰减带宽,采用补偿电容的方式降低了整体的附加相移,实现小衰减量、中等衰减量和大衰减量三档衰减功能。
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公开(公告)号:CN116208093B
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202310241635.X
申请日:2023-03-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种能够补偿工艺和温度导致晶体振荡器幅度变化的电路,包括工艺补偿部分和温度补偿部分。其中,工艺补偿部分包括一个偏置产生电路和一个电流拆分电路,通过对偏置电压控制进而改变电流拆分电路的电流大小,有效补偿因工艺偏差造成的振荡器幅度变化问题。温度补偿部分包括温度传感器、数字处理以及N位电流开关阵列,通过感知温度进而输出对应的码字控制电流开关阵列,补偿了由于温度变化导致的振荡器的幅度变化。本发明根据工艺或者温度的变化补偿晶体振荡器振荡幅度,这种技术较之前已经公布的研究相比减少了对振荡器的振荡幅度调整反复迭代的过程,缩短了对振荡器电路幅度调整的响应时间。
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公开(公告)号:CN113452940B
公开(公告)日:2022-09-06
申请号:CN202110695900.2
申请日:2021-06-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于微测辐射热计型太赫兹探测器的读出电路,该读出电路包括可控电流源、低噪声放大器、缓冲器以及时序控制电路。其中可控电流源提供电流偏置,将探测器因为太赫兹信号强弱变化的电阻信号转换为可以检测的电压信号;低噪声放大器将待检测的电压信号进行放大处理,同时抑制噪声对输入信号的干扰;缓冲器用于已放大信号的输出,并提高电路的带载能力;时序控制电路用来控制太赫兹探测器信号的采集、放大和传输。本发明能够将探测器电阻的变化信息转换成电压信号并以差分的形式输入到后续放大电路,整体电路实现了高增益、低功耗、低噪声等性能要求。
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公开(公告)号:CN109066053B
公开(公告)日:2019-05-31
申请号:CN201810762013.0
申请日:2018-07-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种高增益低副瓣的毫米波封装天线,包括引线框架,引线框架上设有毫米波IC芯片和毫米波天线,毫米波IC芯片与毫米波天线之间实现高频互连,还包括封装罩,封装罩将毫米波IC芯片与毫米波天线密封在引线框架内,毫米波天线包括辐射单元,封装罩上对应毫米波天线辐射单元的位置处设有喇叭状凹槽,喇叭状凹槽的槽壁表面被金属覆盖。本发明通过在封装罩上设计喇叭状凹槽,能够有效提升天线的增益,降低天线的副瓣电平,并且不影响回波损耗性能,从而能够实现小型化、低成本和高性能的毫米波封装天线。
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公开(公告)号:CN104836001B
公开(公告)日:2017-11-03
申请号:CN201510237596.1
申请日:2015-05-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种人工表面等离激元波的二次谐波产生装置,包括介质基片、第一铜箔层、第二铜箔层、金属片和有源芯片,介质基片的正面和背面分别附有第一铜箔层和第二铜箔层,第一铜箔层和第二铜箔层呈光栅状,且第一铜箔层和第二铜箔层之间形成反衬关系结构第一铜箔层被竖直设置的方形金属片分隔为两段,第一铜箔层与第二铜箔层通过金属化过孔相连接;有源芯片位于中间,并且通过导电胶与第一铜箔层相连接,通过邦定线与第一铜箔层相连接。本发明创造性地采用人工表面等离激元结构,该结构具有较好的物理特性,方便制造共型电路和低串扰传输线;并且该结构具有更为紧凑和优秀的物理特性,因此具有相当广泛的运用前景。
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公开(公告)号:CN104836001A
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201510237596.1
申请日:2015-05-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种人工表面等离激元波的二次谐波产生装置,包括介质基片、第一铜箔层、第二铜箔层、金属片和有源芯片,介质基片的正面和背面分别附有第一铜箔层和第二铜箔层,第一铜箔层和第二铜箔层呈光栅状,且第一铜箔层和第二铜箔层之间形成反衬关系结构第一铜箔层被竖直设置的方形金属片分隔为两段,第一铜箔层与第二铜箔层通过金属化过孔相连接;有源芯片位于中间,并且通过导电胶与第一铜箔层相连接,通过邦定线与第一铜箔层相连接。本发明创造性地采用人工表面等离激元结构,该结构具有较好的物理特性,方便制造共型电路和低串扰传输线;并且该结构具有更为紧凑和优秀的物理特性,因此具有相当广泛的运用前景。
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公开(公告)号:CN104539292A
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201510014035.5
申请日:2015-01-12
Applicant: 东南大学
IPC: H03M1/54
Abstract: 本发明公开了一种低电压高速采样保持电路,该采样保持电路包含差分信号输入缓冲电路、栅压自举开关、采样电容、差分信号输出缓冲电路。栅压自举开关利用单相时钟完成对差分开关的控制。利用信号输入和输出缓冲电路完成电路内部共模电平调整作用,有效改善低电源电压下高速模数转换器内单元电路间的信号电平匹配问题。利用栅压自举开关电路,有效提升高速采样保持电路的线性特性。利用输出缓冲电路实现对输入信号的隔离,后续电路只需要在规定的时间内完成信号的量化即可满足电路工作要求,有效降低电路设计难度,提升电路的工作速度。
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公开(公告)号:CN118826652A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410774320.6
申请日:2024-06-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提出一种基于三线圈变压器的紧凑型可变增益低噪声放大器,包括输入匹配网络、第一级放大电路、级间匹配网络、第二级放大器、可变增益电路、输出匹配网络共六个部分。通过调节可变增益电路中第三开关晶体管M3与第四开关晶体管M4的栅极电压,使电路工作于三种不同模式。当第三开关晶体管M3与第四开关晶体管M4均关断时,可变增益低噪声放大器工作在最高增益状态。随着栅极偏置电压Vgc逐渐升高,无源晶体管将进入模式2,其输出阻抗ro1减小。当ro1>>ro时,可变增益电路将近似等效为一个无源衰减器结构。当Vgc进一步增大时,无源晶体管工作在模式3,第二晶体管M2的漏端电流将流过无源衰减器,降低第二晶体管M2的跨导gm,进而降低可变增益低噪声放大器的增益。
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