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公开(公告)号：CN107770103A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710842297.X
申请日：2017-09-18
Applicant: 东南大学
IPC: H04L25/02 , H04B7/08 , H04B7/0413
Abstract: 本发明公开了一种基于SSOR迭代的大规模MIMO信号检测方法，该方法包括：(1)根据信道响应矩阵H构造MMSE检测矩阵T；(2)将检测矩阵T分解为矩阵T＝D+L+U，其中D表示T的对角矩阵，L代表T的严格下三角矩阵，U代表T的严格上三角矩阵，且U＝LH；(3)采用信道硬化现象对估计SSOR迭代算法的最优松弛系数；(4)根据矩阵D、L和最优松弛系数，采用SSOR迭代法对经接收端匹配滤波器输出的接收信号矩阵 进行检测得到发射信号估计值 本发明复杂度更低。
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公开(公告)号：CN112701658A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011579452.1
申请日：2020-12-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有源逆变电压调节与小电阻的复合接地装置，包括高阻接地故障辨识单元、有源逆变电压调节器、小电阻零序保护装置和协调控制器；所述高阻接地故障辨识单元用于实现故障馈线的准确辨识；所述有源逆变电压调节器接收协调控制器发出的运行指令，向中性点注入调节电压；所述小电阻零序保护装置用于故障电流不低于零序保护阈值时的接地故障处理；所述协调控制器负责有源逆变电压调节器与小电阻零序保护装置的协调配合。本发明通过有源逆变电压调节器和小电阻零序保护装置的高效协调配合，可以高效地抑制故障点电压，实现对瞬时性和永久性接地故障的高效可靠处理，尤其是可用于高阻接地故障的抑制，具有很好的可行性和实用价值。
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公开(公告)号：CN112164725A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011036591.X
申请日：2020-09-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/812 , H01L29/06 , H01L21/338
Abstract: 本发明公开了一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法，自下而上顺次包括：漏金属电极、衬底、缓冲层、漂移区；还包括：漂移区上由漂移区凸起、柱状p区和柱状n区共同构成的复合柱体，沟道层、钝化层、介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极；复合柱体是通过在漂移区上依次淀积p型半导体层和n型半导体层而后对其进行刻蚀形成；沟道层和钝化层依次通过淀积形成；由此以上器件被划分为元胞区和终端区，介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极仅存在于元胞区，终端区的钝化层向上延伸并包裹于沟道层外侧。该结构可以提高器件阈值电压、提高器件阻断特性、降低栅电容大小。
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公开(公告)号：CN110742690A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910867114.9
申请日：2019-09-12
Applicant: 东南大学苏州医疗器械研究院
Abstract: 本发明涉及设备技术领域，具体地涉及一种用于配置内窥镜的方法及终端设备，所述用于配置内窥镜的终端设备包括：图像获取单元，被配置为采集对象图像，所述对象图像包括至少一个对象信息；对象分类单元，被配置为基于图像分类模型确定所采集的对象图像中的对象信息所对应的目标对象类别信息；导航单元，被配置为基于所述目标对象类别信息执行内窥镜导航操作，以使得内窥处理组件能够到达期望对象类别信息所指示的位置。利用该放法及设备，通过应用机器学习模型技术来确定图像所指示的对象类别，并基于对象类别来执行内窥镜导航操作，令内窥镜的操作更加直观和可靠。
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公开(公告)号：CN110047910A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910240465.7
申请日：2019-03-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种高耐压能力的异质结半导体器件，包括：衬底，在衬底上设有第一沟道层，第二沟道层，金属漏极和第二金属源极，在第二沟道层上设有第二势垒层并形成第二沟道，第二势垒层中设有栅极且栅极采用凹槽栅结构，所述凹槽栅结构嵌入第二势垒层中并由栅介质和位于栅介质中的栅极金属构成，在第二沟道层内设有隔离层并将第二沟道层分隔成上层和下层，在第二沟道层的下层与第一沟道层之间设有第一势垒层并形成第一沟道，金属漏极的底面与第一势垒层的底面平齐，在第二金属源极与所述第一沟道层之间设有第一金属源极，第一沟道可以通过多电流沟道的形式位于第二沟道的垂直正下方，可以降低反向导通压降，提高器件整体的击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113327923B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202110598471.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种静电泄放自保护的异质结半导体器件，包括：缓冲层、沟道层、异质结沟道、势垒层；势垒层上表面设有金属漏电极、金属源电极；金属漏电极与金属源电极之间且接近金属源电极间隔设有由第一p型半导体层、第一n型半导体层、第二p型半导体层交替组成的栅保护区以及由第三p型半导体层与金属栅电极层叠构成的栅控制区；栅保护区a与栅控制区b之间通过高阻介质层隔离；栅保护区提供ESD电流泄放通道保护栅极免受瞬时大电流的冲击。本发明相比传统的外部ESD保护电路具有集成度高、占用面积小、寄生电容小等优点。
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公开(公告)号：CN112331720B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202011234410.4
申请日：2020-11-07
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件，包括：衬底、成核层、漂移区、沟道层、势垒层、第一p型氮化镓帽层、金属源电极、金属漏电极，所述第一p型氮化镓帽层上表面设有第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层、肖特基接触型金属栅电极，同时第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层上表面设有欧姆接触型金属栅电极，肖特基接触型金属栅电极与欧姆接触型金属栅电极侧壁直接接触。本发明在低栅压下可以有效消除电荷存储现象，保证了器件在重复开关工作条件下具有较高的阈值稳定性；在高栅压下可以降低器件的栅漏电，保证器件在高栅压下具有长期稳定的工作状态。
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公开(公告)号：CN112563317B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201910919577.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓功率器件，包括：氮化镓基底；阴极；多个氮化镓凸起结构，设于所述氮化镓基底上、阴极之间，相邻的氮化镓凸起结构之间形成凹槽；电子迁移层，覆盖各所述氮化镓凸起结构的顶部和侧面；氮化镓层，设于所述电子迁移层上并填充各所述凹槽；所述电子迁移层用于在被设置的位置形成导电沟道区，所述导电沟道区的电子迁移率高于所述氮化镓层的电子迁移率；多个第二导电类型区，每个第二导电类型区从所述氮化镓层的顶部向下伸入一所述凹槽，各所述氮化镓凸起结构的顶部均高于各所述第二导电类型区的底部；阳极，设于所述氮化镓层和各所述第二导电类型区上。本发明能够在保证器件耐压能力的前提下降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN112466927B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202011351448.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种以雪崩抗冲击的异质结半导体器件，该器件包括衬底(1)和第二介质层(23)，在衬底(1)上设有第一介质层(21)，在第二介质层(23)上设有第一半导体层(24)，第一半导体层(24)上设有第二半导体层(3)，第一半导体层(24)与第二半导体层(3)接触形成导电沟道层(25)，在第二半导体层(3)上设有金属源电极(7)、金属栅电极(8)和金属漏电极(9)，在第二半导体层(3)与金属栅电极(8)之间设有第三介质层(10)，其特征在于，在第一介质层(21)与第二介质层(23)之间设有雪崩层且雪崩层分别与金属源电极(7)、金属漏电极(9)连接。该器件具有雪崩能力，浪涌鲁棒性高。
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公开(公告)号：CN111426928B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811583665.4
申请日：2018-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 一种氮化镓器件动态电阻测试电路，包括用于驱动待测器件的栅驱动模块、钳位电路和负载模块，负载模块的另一端连接电源DC，钳位电路包括稳压模块和高压二极管D1，高压二极管D1的阳极与稳压模块一端连接，高压二极管D1的阴极与所述负载模块的一端连接并用于连接被测氮化镓器件的漏电极，稳压模块的另一端接电源地并用于连接被测氮化镓器件的源电极，钳位电路还包括恒流模块，恒流模块输出的恒定电流经过高压二极管D1流向被测氮化镓器件。被测器件的栅控信号由驱动模块提供，被测器件导通时流过高压二极管的电流由恒流模块提供，被测器件关断时电压探测点测得的电压由稳压模块稳压，被测器件开关转换的瞬间产生的震荡由滤波模块抑制。
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