公开(公告)号：CN105070753A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510429008.4

申请日：2015-07-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  孙轶 ,  杨卓 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66666

Abstract: 一种纵向双向耐压功率半导体晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：N型漏极，其上设有N型外延层，N型外延层上设有第一P型体区，第一P型体区上设有N型缓冲层，N型缓冲层上设有重掺杂N型源极，在重掺杂N型源极表面连接有源极金属层，在N型外延层，第一P型体区，N型缓冲层及重掺杂N型源极内设有阶梯状沟槽，阶梯状沟槽第二部分位于阶梯状沟槽第一部分上方，在阶梯状沟槽第一部分的内表面设有栅氧化层，在栅氧化层内填充多晶硅并形成多晶硅栅极，在阶梯状沟槽第二部分内填充有第一氧化层，在N型缓冲层内设有第二P型体区。本发明结构制备方法保留传统沟槽金属氧化物半导体型场效应晶体管制备方法，容易实现，成本较低。

公开(公告)号：CN103779404A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410035881.0

申请日：2014-01-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨卓 ,  陈健 ,  郭超 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66325

Abstract: P沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域，本发明是在传统SOI-LIGBT器件结构基础上，在多晶硅栅下方分别引入第一N型体区和P型体区。在正向导通时，高的N型体区掺杂浓度或厚度，抬高了电子的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低了器件的正向导通压降并获得了更好的正向导通压降和关断损耗的折中关系，同时提高了器件的饱和电流能力。在正向阻断时，多晶硅栅相当于一个场板，导致器件耐压由第一N型体区与P型外延层耗尽决定，因此P型体区浓度可以大幅提高，且不会影响器件的耐压。

公开(公告)号：CN103762230A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410036513.8

申请日：2014-01-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陈健 ,  郭超 ,  杨卓 ,  祝靖 ,  钟锐 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66325

Abstract: N沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域，本发明是在传统SOI-LIGBT器件结构基础上，在多晶硅栅下方分别引入第一P型体区和N型体区。在正向导通时，高的N型体区掺杂浓度或厚度，抬高了空穴的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低了器件的正向导通压降并获得了更好的正向导通压降和关断损耗的折中关系，同时提高了器件的饱和电流能力。在正向阻断时，多晶硅栅相当于一个场板，导致器件耐压由第一P型体区与N型外延层耗尽决定，因此N型体区浓度可以大幅提高，且不会影响器件的耐压。

公开(公告)号：CN102867845A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210366193.3

申请日：2012-09-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  林吉勇 ,  杨卓 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上设有N-漂移区及P型体区，且P型硅衬底的上表面为N-漂移区及P型体区覆盖，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在N-漂移区上方设有N型缓冲层，在N型缓冲层上方设有N型漏区，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、多晶硅栅、N-漂移区、N型漏区上方设有场氧化层，在N型源区及P型体接触区上接有穿通场氧化层的第一金属引线，多晶硅栅接有穿通场氧化层的第二金属引线，N型漏区接有穿通场氧化层的第三金属引线，其特征在于，在P型硅衬底上设有超结结构，超结结构由连接漏区及衬底方向相间分布的N型区和P型区构成。

公开(公告)号：CN216339974U

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202122568569.6

申请日：2021-10-25

Applicant: 悉地(苏州)勘察设计顾问有限公司 ,  东南大学

Inventor： 王新庆 ,  杨小丽 ,  钱冬旭 ,  朱伟锋 ,  马宇辉 ,  沈昊 ,  陈旻皓 ,  杨卓 ,  陆敏博 ,  刘畅

IPC: E03F5/04 ,  E03F7/00 ,  C02F9/14

Abstract: 本实用新型公开了一种防堵塞易清理的初期雨水径流净化转输生态沟渠，包括底部硬化沟渠、沟渠硬化边坡和梯次植物组合生态边坡，底部硬化沟渠和沟渠硬化边坡一般为混凝土或块石结构，便于清淤；生态边坡植物根据淹水状态、水力冲刷以及景观需求进行优化组合。底部硬化沟渠设计一定纵向坡度，保证降雨时沟渠内最小径流流速，达到“不淤积”的要求；沟渠内沿流程间隔设置沉泥槽，且沉泥槽处沟渠硬化断面渐宽，使径流流经沟渠渐宽段时流速减小，有利于初期雨水中悬浮物的沉积与清理，减少对土壤环境的污染。

公开(公告)号：CN202616236U

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201220145184.7

申请日：2012-04-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  祝靖 ,  张龙 ,  杨卓 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由相互间隔的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有轻掺杂的P型埋层，且P型埋层在N型柱内。