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公开(公告)号：CN101308394A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810124380.4
申请日：2008-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 一种耗尽型MOS管稳定电压源电路，其特征是电路中设有耗尽型NMOS管及耗尽型PMOS管，以及用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第一正温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型PMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第二正温度系数电压产生电路以及将第一、第二正温度系数电压产生电路产生的两个具有正温度系数的电压值相减，通过稳定电压源产生电路获得低温漂稳定电压源。
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公开(公告)号：CN101231191A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810020795.7
申请日：2008-02-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种焦平面的开窗口读出电路，其特征在于包括：数据寄存器，行地址选择电路，行窗口大小控制电路，列地址选择电路和列窗口大小控制电路。本发明的有益效果在于：本发明的焦平面的开窗口读出电路可以实现任意开窗，即可以从指定像素开始读出，并且窗口大小、起始地址和读出顺序均可控；不但可以满像素输出保持大的视场，而且可以任意指定图像中的一个区域开窗口读出，大大提高了图像输出的速率。可应用于各个波段焦平面读出电路，比如：红外焦平面读出电路，CMOS图像传感器读出电路、紫外焦平面读出电路等，具有广泛的适应性。
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公开(公告)号：CN101004618A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610161588.4
申请日：2006-12-28
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明公开了一种低温度系数的、适于在CMOS工艺上实现的CMOS基准源电路，包括启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路及基准电流产生电路；启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路及基准电流产生电路的直流电输入端分别连接直流电源Vdd，主偏置电流产生电路的输入端连接启动电路的输出端，主偏置电流产生电路的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路的第一输入端和第二输入端，基准电压产生电路的输出端连接基准电流产生电路的第一输入端，基准电压输出端输出基准电压并与基准电流产生电路的第二输入端连接，基准电流产生电路的输出端输出基准电流。
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公开(公告)号：CN1996616A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610098372.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种厚栅高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法，本发明的半导体管包括：P型衬底，N型埋层，N型外延层，N型阱和P型漂移区，在P型源、N型接触孔、N型阱、N型埋层；P型漂移区及P型漏的上方设有氧化层，P型源及N型接触孔上连有金属引线，P型漏上连有金属引线，N型阱、P型漂移区、N型外延层与氧化层之间设有场氧化层，该场氧化层自P型源延续至P型漏，在氧化层内设有多晶硅栅且该多晶硅栅位于场氧化层的上方，在多晶硅栅上连接有金属引线。其制备方法为选择P型衬底，制作N型埋层，N型外延层，P型漂移区和N型阱，P型阱，场氧化层，然后多晶硅栅的生长、刻蚀，源、漏区，引线孔，铝引线的制备及钝化处理。
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公开(公告)号：CN1996599A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610098373.2
申请日：2006-12-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L27/04
Abstract: 本发明公开了一种适用于体硅工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底设有N型外延，在N型外延上设有2块场氧化层，在N型外延上设有重掺杂N型区且该重掺杂N型区位于2块场氧化层之间，在N型外延内设有2个P型隔离阱，该2个P型隔离阱分别位于2块场氧化层的下方，并且该2个P型隔离阱将N型外延分隔成3块，上述重掺杂N型区位于2个P型隔离阱之间，在2个P型隔离阱的上端分别设有重掺杂P型区，上述重掺杂N型区及重掺杂P型区与零电位相连接。本发明能够有效防止体硅高压功率集成电路中寄生可控硅结构触发。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101639381B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910184800.2
申请日：2009-08-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种红外焦平面读出电路分阶段背景抑制方法，其特征在于：红外焦平面读出电路中的单元电路，设有包括注入电路、积分电容电路、背景减去电流电路及行选控制电路，探测器的输出端接注入电路的输入端；注入电路的输出端接积分电容电路的输入端；积分电容电路的输出端、背景减去电流电路的输出端及行选控制电路的输入端相互连接；背景减去电流电路的输入端接输入电压VB；行选控制电路的输出端接后续信号处理电路；利用背景减去电流电路在积分过程中分阶段导通，每次导通即从积分电容电路减去一个电荷包，分多次消除背景电流累积在积分电容上的电荷，实现背景抑制。
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公开(公告)号：CN101308393B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200810124372.X
申请日：2008-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 一种耗尽型MOS管稳定电压源，其特征是电路中设有耗尽型NMOS管及耗尽型PMOS管以及用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第一正温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型PMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第二正温度系数电压产生电路以及将第一、第二正温度系数电压产生电路产生的两个具有正温度系数的电压值相减，通过稳定电压源产生电路获得低温漂稳定电压源。
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公开(公告)号：CN101514922B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910030321.5
申请日：2009-03-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种线性高动态范围红外读出电路，设有包括单元电路、列读出级和输出缓冲级、时序产生电路、行选择电路、列选择电路，其特征是：单元电路包括用于控制单元电路积分时间的积分控制单元、用于控制单元电路中积分电容复位的复位控制单元、用于选择单元电路积分电容大小的积分电容自选单元、自选积分电容控制信号产生单元及传输单元。本发明可在积分过程中对积分电容进行自动选择，在小的光电流情况下采用小的积分电容，在大的光电流情况下采用大的积分电容。一方面减小光电流为零情况下的噪声等效电荷，另一方面增加了读出电路的最大电荷存储容量，从而总体上提高了动态范围。
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公开(公告)号：CN101634593B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910184799.3
申请日：2009-08-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种分阶段背景抑制红外焦平面单元电路，其特征在于：设有包括注入电路、积分电容电路、背景减去电流电路及行选控制电路，红外探测器的输出端接注入电路的输入端；注入电路的输出端接积分电容电路的输入端；积分电容电路的输出端以及背景减去电流电路的输出端与行选控制电路的输入端相互连接，行选控制电路的输出端接后续信号处理电路，背景减去电流电路的第一输入端、第二输入端分别接偏置电压VB1、偏置VB2；利用背景减去电流电路在积分过程中分阶段导通，来减去背景电流在积分电容上累积的电荷，以实现背景抑制。
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公开(公告)号：CN101764596A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910262850.8
申请日：2009-12-11
Applicant: 东南大学
IPC: H03K17/288
Abstract: 一种内置皮法级电容间歇式微电流秒级时延电路，设有包括镜像电流源、开关管、电容充电电路、窄脉冲产生电路、输出电路，镜像电流源的输出端及窄脉冲产生电路的输出端分别与开关管的两个输入端连接，开关管的输出端与电容充电电路的输入端连接，电容充电电路的输出端与输出电路的输入端连接，输出电路的输出端接后续信号处理电路；由镜像电流源产生微小电流经开关管向电容充电时，通过窄脉冲信号控制开关管的通、断，实现微小电流对电容的间歇式充电，以延长充电时间、减少集成电路中内置的电容值，电容充电电路输出电压值达到设定值后，通过输出电路将模拟信号转变为数字信号提供给后续信号处理电路。
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