公开(公告)号：CN111009454B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN201910944945.1

申请日：2019-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置、监视方法以及记录介质，不配置传感器就检测异常的发生。等离子体处理装置具有存储部、第二获取部以及监视部。存储部存储变化信息，该变化信息表示针对载置于载置台上的晶圆的等离子体处理的处理条件发生了变化的情况下的与载置台的温度有关的值的变化。第二获取部以规定的周期获取与载置台的温度有关的值。监视部基于变化信息，根据由第二获取部获取的与载置台的温度有关的值的变化，来监视等离子体处理的处理条件的变化。

公开(公告)号：CN110164746B

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN201910116751.2

申请日：2019-02-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、流量控制方法以及记录介质。对从各分割区域供给的处理气体的流量进行控制，使得基板的测定点的关键尺寸满足规定条件。上部电极以与晶圆相向的方式配置于处理容器内，并被设为能够按将与晶圆(W)相向的相向面进行分割而形成的每个分割区域调整供给的处理气体的流量。计算部使用预测模型来计算使对晶圆进行了等离子体蚀刻时的晶圆的规定的测定点的CD满足规定条件的各分割区域的处理气体的目标流量，该预测模型用于以各分割区域的处理气体的流量为参数来预测测定点的CD。在对晶圆W进行等离子体蚀刻时，流量控制部进行控制，使得从上部电极的各分割区域供给的处理气体的流量成为所计算出的目标流量。

公开(公告)号：CN109801828B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201811366280.2

申请日：2018-11-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、温度控制方法以及存储介质。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。测量部测量等离子体没有点火的未点火状态和在等离子体点火之后向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部将来自等离子体的输入热量以及晶圆与加热器之间的热阻设为参数，使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力对计算过渡状态的供给电力的计算模型进行拟合，来计算输入热量和所述热阻。设定温度计算部使用由参数计算部计算出的输入热量和热阻，来计算使晶圆成为目标温度的加热器的设定温度。

公开(公告)号：CN111801990A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201980013656.8

申请日：2019-06-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 林大辅 ,  梅泽义弘 ,  冈信介

IPC: H05H1/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及等离子体状态检测程序。测量部通过加热器控制部来控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定，测量等离子体没有点火的未点火状态和从点火等离子体起向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力对计算模型进行拟合，来计算来自等离子体的热输入量，该计算模型包括该热输入量作为参数来计算过渡状态的供给电力。输出部输出基于由参数计算部计算出的热输入量的信息。

公开(公告)号：CN110544614A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910459256.1

申请日：2019-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种模型生成装置、模型生成方法以及记录介质，谋求与预定实施的等离子体处理对应的工艺条件。在等离子体处理装置中，以多种模式改变至少包括载置台温度及载置台的载置面的各区域的温度的等离子体处理的处理参数，获取部将每个模式的温度稳定的状态下的各区域的温度及向加热器供给的供给电流获取为测定数据。生成部使用测定数据，设为与相邻区域之间的温度差成正比的热量的热在区域之间移动、与载置台同区域之间的温度差成正比的热量的热在载置台与区域之间移动、按每个区域输入根据向该区域的加热器供给的供给电流计算出的热量的热、并且设为向各区域输入的热量与从各区域输出的热量一致来生成表示了处理参数间的关系的预测模型。

公开(公告)号：CN110164746A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910116751.2

申请日：2019-02-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、流量控制方法以及记录介质。对从各分割区域供给的处理气体的流量进行控制，使得基板的测定点的关键尺寸满足规定条件。上部电极以与晶圆相向的方式配置于处理容器内，并被设为能够按将与晶圆(W)相向的相向面进行分割而形成的每个分割区域调整供给的处理气体的流量。计算部使用预测模型来计算使对晶圆进行了等离子体蚀刻时的晶圆的规定的测定点的CD满足规定条件的各分割区域的处理气体的目标流量，该预测模型用于以各分割区域的处理气体的流量为参数来预测测定点的CD。在对晶圆W进行等离子体蚀刻时，流量控制部进行控制，使得从上部电极的各分割区域供给的处理气体的流量成为所计算出的目标流量。

公开(公告)号：CN101447419B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200810180735.1

申请日：2008-11-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/18 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0368

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种膜的形成方法、薄膜晶体管、太阳能电池、制造装置和显示装置，其提高形成微晶膜的晶粒之间的横方向的结合强度。在硅基板G上形成栅极氧化膜10后，反复进行用2.0eV电子温度以下的高电子密度等离子体形成微晶硅膜的第一工序、和用比2.0eVd的电子温度高的电子温度的高电子密度等离子体形成超微晶硅膜的第二工序进行成膜。由此，形成微晶硅膜和超微晶硅膜叠层而得的叠层膜20。利用上述方法，能够制造将叠层膜20作为活性层发挥功能的n沟道薄膜晶体管和p沟道薄膜晶体管中的至少一种。

公开(公告)号：CN100454498C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200610164521.6

申请日：2006-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/00 ,  C23C16/00 ,  H05H1/00

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，在腔室内壁表面上形成厚度均匀的覆盖膜。微波等离子体处理装置(100)的腔室(10)，被基座(11)和挡板(18)分隔为处理室(10u)和排气室(10d)，在对基板G进行成膜处理前，在腔室内壁上形成预涂膜，此时，将基座(11)下降，使得在基座(11)和挡板(18)之间产生间隙S。如此使处理室(10u)和排气室(10d)的压差减小，通过在处理室(10u)和排气室(10d)中使沉积自由基处于几乎相同的状态，减小处理室(10u)和排气室(10d)的成膜速度差，由此能够以均匀的膜质量，形成厚度更加相等的处理室(10u)和排气室(10d)的预涂膜。