公开(公告)号：CN1984523A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200710004236.2

申请日：2005-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  日向邦彦 ,  大谷龙二 ,  松本直树 ,  矢野大介 ,  速水利泰 ,  杉本胜 ,  小林典之 ,  吉备和雄 ,  大矢欣伸 ,  山泽阳平 ,  山崎广树 ,  舆水地盐 ,  齐藤昌司 ,  岩田学 ,  花冈秀敏 ,  佐藤学

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/02 ,  H01L21/306 ,  C23C16/00 ,  C23F1/00

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置。

公开(公告)号：CN1280873C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200410030234.7

申请日：2004-02-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 速水利泰 ,  岩崎征英 ,  高平淳一 ,  渡部一良 ,  小松真一 ,  佐佐木雄一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C14/34 ,  C23C16/513 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082

Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括：处理容器，其内部可减压；第1电极，配置在所述处理容器内；处理气体供给部件，用于将处理气体供给到所述处理容器内；高频电源部，输出具有VHF带频率的高频电力；匹配器，与所述高频电源部和所述第1电极电连接，获得阻抗的匹配；以及传输线路，从所述高频电源部至所述匹配器传输所述高频电力。在所述处理容器内可配置被处理基板，通过传输到所述第1电极的所述高频电力产生的等离子体，可对该被处理基板实施等离子体处理。所述传输线路比可产生所述高频电力的第3高次谐波的谐振状态的最短长度短。

公开(公告)号：CN1835205A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610065330.4

申请日：2006-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大桥薰 ,  速水利泰

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种基板载放台(17)，在其内侧制冷剂室(28)与外侧制冷剂室(29)之间设置有圆筒形状的空隙部(30)。与空隙部(30)连接的配管(30a)一直延伸至基板载放台(17)的下方，通过阀(71)与真空泵(72)连接。利用该真空泵(72)将空隙部(30)内减压至规定的真空状态后关闭阀(71)，使空隙部(30)内处于真空状态，通过这种方法可以降低空隙部(30)的传热性，并作为隔热部件。从而，能够提高基板载放台的温度控制，从而实现晶片表面内的均匀化处理。

公开(公告)号：CN1783430A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510127554.9

申请日：2005-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 桧森慎司 ,  今井范章 ,  堀口克己 ,  根津崇明 ,  松山昇一郎 ,  松丸弘树 ,  速水利泰 ,  永关一也 ,  酒井伊都子 ,  大岩德久 ,  杉安良和

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。

公开(公告)号：CN1602651A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN02824577.6

申请日：2002-12-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 速水利泰 ,  大濑刚 ,  高平淳一 ,  岛田淳一

IPC: H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: 提供一种高频电源，它能够通过高精度地除掉等离子体生成时产生的高次谐波成分或调制波成分而防止误动作，同时，对等离子体处理装置施加适当的高频功率。高频电源包括由方向性结合器21、混频器22、100kHz的低通滤波器23、低频检波器24、和振荡器25构成的功率监视器，通过混频器22将包含由方向性结合器21取出的调制波成分等频率100MHz的高频波和由振荡器25振荡的频率99.9MHz的高频波相加，并通过低通滤波器23及低频检波器24将该输出变换成100kHz后进行检波。

公开(公告)号：CN1596458A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN02823544.4

申请日：2002-11-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 速水利泰 ,  伊藤悦治 ,  酒井伊都子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/50 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082

Abstract: 本发明提供一个允许降低花费，也允许降低发送功率的损耗的成本低的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)具有一个装置主体(2)和附带设备(3)。附带设备(3)包括一个给处理室(4)供应功率的供电设备(5)和多个干泵(6)和(7)等等。供电设备(5)包括一个匹配单元(9)，一个通过同轴电缆(24)连接到匹配单元(9)的RF放大器(13)，和一个其中具有DC放大器(14)的功率控制器(12)。RF放大器(13)对于DC放大器(14)而言，以一个独立部分形成，并被放置在远离DC放大器(14)且接近匹配单元(9)的位置，且通过普通电缆(25)连接到DC放大器(14)。