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公开(公告)号：CN101064987A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610121598.5
申请日：2004-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 新电元工业株式会社
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32082
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括：处理容器，其内部可减压；第1电极，配置在所述处理容器内；处理气体供给部件，用于将处理气体供给到所述处理容器内；高频电源部，输出具有VHF带频率的高频电力；匹配器，与所述高频电源部和所述第1电极电连接，获得阻抗的匹配；以及传输线路，从所述高频电源部至所述匹配器传输所述高频电力。在所述处理容器内可配置被处理基板，通过传输到所述第1电极的所述高频电力产生的等离子体，可对该被处理基板实施等离子体处理。所述传输线路比可产生所述高频电力的第3高次谐波的谐振状态的最短长度短。
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公开(公告)号：CN1538501A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410030234.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C14/34 , C23C16/513 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32082
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括：处理容器，其内部可减压；第1电极，配置在所述处理容器内；处理气体供给部件，用于将处理气体供给到所述处理容器内；高频电源部，输出具有VHF带频率的高频电力；匹配器与所述高频电源部和所述第1电极电连接，获得阻抗的匹配；以及传输线路，从所述高频电源部至所述匹配器传输所述高频电力。在所述处理容器内可配置被处理基板，通过传输到所述第1电极的所述高频电力产生的等离子体，可对该被处理基板实施等离子体处理。所述传输线路比可产生所述高频电力的第3高次谐波的谐振状态的最短长度短。
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公开(公告)号：CN1280873C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200410030234.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C14/34 , C23C16/513 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32082
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括：处理容器，其内部可减压；第1电极，配置在所述处理容器内；处理气体供给部件，用于将处理气体供给到所述处理容器内；高频电源部，输出具有VHF带频率的高频电力；匹配器，与所述高频电源部和所述第1电极电连接，获得阻抗的匹配；以及传输线路，从所述高频电源部至所述匹配器传输所述高频电力。在所述处理容器内可配置被处理基板，通过传输到所述第1电极的所述高频电力产生的等离子体，可对该被处理基板实施等离子体处理。所述传输线路比可产生所述高频电力的第3高次谐波的谐振状态的最短长度短。
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公开(公告)号：CN101064987B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200610121598.5
申请日：2004-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , C23C14/34 , C23C16/513
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32082
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括：处理容器，其内部可减压；第1电极，配置在所述处理容器内；处理气体供给部件，用于将处理气体供给到所述处理容器内；高频电源部，输出具有VHF带频率的高频电力；匹配器，与所述高频电源部和所述第1电极电连接，获得阻抗的匹配；以及传输线路，从所述高频电源部至所述匹配器传输所述高频电力。在所述处理容器内可配置被处理基板，通过传输到所述第1电极的所述高频电力产生的等离子体，可对该被处理基板实施等离子体处理。所述传输线路比可产生所述高频电力的第3高次谐波的谐振状态的最短长度短。
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