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公开(公告)号：CN110164765B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910116964.5
申请日：2019-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供一种相对于被加工物的第二区域有选择地蚀刻被加工物的第一区域的蚀刻方法。一实施方式的蚀刻方法中，相对于含有硅和/或锗的第二区域，有选择地蚀刻含有硅和氮的第一区域。在该蚀刻方法中，使用氢等离子体，对包含第一区域的表面的第一区域的至少一部分进行改性，形成第一改性区域，使用氧等离子体，对包含第二区域的表面的第二区域的至少一部分进行改性，形成第二改性区域，使用氟等离子体，相对于第二改性区域，有选择地蚀刻第一改性区域。由此，能够相对于被加工物的第二区域有选择地蚀刻被加工物的第一区域。
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公开(公告)号：CN109923648B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201780068805.1
申请日：2017-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式是一种处理被处理体的方法，该被处理体包括：含有硅氧化物的被蚀刻层、设置于被蚀刻层上的掩模和设置于掩模的使被蚀刻层露出的槽，在该方法中反复执行如下流程：生成含氮的第一处理气体的等离子体以在被蚀刻层的露出面的原子层形成包含该等离子体所含离子的混合层，生成含氟的第二处理气体的等离子体以利用该等离子体所含的自由基除去混合层，从而按原子层除去被蚀刻层，由此对被蚀刻层进行蚀刻。第二处理气体的等离子体包含自由基，该自由基能够除去含有硅氮化物的混合层。
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公开(公告)号：CN108878285B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201810448503.3
申请日：2018-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种对具有包含碳化硅的第一区域和与第一区域相接的包含氮化硅的第二区域的被处理体进行蚀刻的蚀刻方法，该蚀刻方法通过反复实施以下流程，将第一区域按每个原子层来除去，从而蚀刻该第一区域，其中，在上述流程中，生成含氮的第一气体的等离子体，在第一区域的露出面的原子层形成包含该等离子体所含的离子的混合层，生成含氟的第二气体的等离子体，通过该等离子体所含的自由基除去混合层。由此，在对包含碳化硅的被处理体的蚀刻中能够适当地提高选择比。
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公开(公告)号：CN108511389B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201810167763.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 提供一种半导体制造方法和等离子体处理装置，目的在于在半导体制造中防止被处理体上的导电层的腐蚀。该半导体制造方法包括：第一工序，将被处理体的导电层之上的绝缘膜蚀刻成掩模的图案，使所述导电层在所形成的所述绝缘膜的凹部露出；以及第二工序，在所述导电层露出的绝缘膜的凹部形成有机膜，其中，所述第二工序包括以下工序：将腔室的内部保持规定的压力，将台冷却至‑20℃以下的极低温，并将被处理体设置在该台上；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体；以及从所供给的所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体将从所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于所述绝缘膜的凹部来形成所述有机膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113394082A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110653982.4
申请日：2017-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在被处理体上的图案形成中能够应对伴随高度集成化的微细化和多样的形状图案的形成的等离子体处理装置和被处理体的处理方法。在实施方式的被处理体的处理方法中，被处理体包括第一凸部、第二凸部、被蚀刻层和槽部，槽部设置在该被处理体的主面并设置在该被蚀刻层，被夹在该第一凸部和该第二凸部之间，槽部的内侧的表面包含在该被处理体的该主面，该方法反复执行N次第一流程，其中，N为2以上的整数，第一流程包括：(a)在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内在该被处理体的该主面保形地形成保护膜的步骤；和(b)在上述步骤(a)的执行后，由在处理容器内产生的气体的等离子体对被处理体中的槽部的底部蚀刻的步骤。
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公开(公告)号：CN110783190A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910670570.4
申请日：2019-07-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 田端雅弘
IPC: H01L21/311 , H01L21/033 , H01L21/28 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够改善局部最小线宽均匀性(LCDU)的技术。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一工序、第二工序和蚀刻工序。等离子体处理装置在第一工序中，在形成有具有规定图案的多个开口部的处理对象形成第一膜。等离子体处理装置在第二工序中，在形成有第一膜的处理对象形成蚀刻速率比第一膜低的第二膜，该第二膜根据开口部的尺寸而在开口部的侧面的膜厚不同。等离子体处理装置在蚀刻工序中，在规定的处理条件下从第二膜之上进行蚀刻，直至在处理对象的至少一部分第一膜的一部分被除去为止。
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公开(公告)号：CN110783187A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910660252.X
申请日：2019-07-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明能够减轻等离子体处理中对图案造成的损伤。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括开口部形成步骤、第一膜形成步骤、第二膜形成步骤和蚀刻步骤。等离子体处理装置在开口部形成步骤中，对包括基底层和形成在基底层上的第一层的处理对象基片实施蚀刻，来在第一层上形成开口部。等离子体处理装置在判断为开口部满足规定条件的情况下，在第一膜形成步骤中利用化学气相沉积在开口部的底面形成抑制剂，来形成规定的气体种不会吸附于其上的第一膜。等离子体处理装置在形成了第一膜之后，在第二膜形成步骤中通过以规定的气体种为前体气体的原子层沉积，在开口部的侧壁上形成第二膜。等离子体处理装置进而在蚀刻步骤中对开口部实施蚀刻。
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公开(公告)号：CN110581050A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910475932.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供能够提高有选择的处理的控制性能的技术。在一个实施方式中，提供一种在处理容器内进行的被处理体的处理方法，其包括：通过等离子体气相沉积在配置在处理容器内的被处理体的表面有选择地形成第一膜的第一步骤；和在不存在第一膜的区域通过原子层沉积形成第二膜的第二步骤。第二步骤通过反复执行流程形成第二膜，该流程包括：向处理容器内供给前体气体在被处理体的表面形成前体层的第三步骤；在第三步骤之后对处理容器内进行吹扫的第四步骤；在第四步骤之后，在处理容器内通过使前体暴露在改性等离子体中而将前体层变换成第二膜的第五步骤；和在第五步骤之后对处理容器内的空间进行吹扫的第六步骤。该处理方法可由等离子体处理装置执行。
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公开(公告)号：CN109427607A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810971368.0
申请日：2018-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 田端雅弘
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种处理被处理体的方法，其在被处理体上的图案形成中抑制高精度的最小线宽的偏差。利用与ALD法同样的方法反复执行第一步骤的膜形成处理中形成的膜的膜厚根据形成该膜的面的温度而不同，基于上述情况，为了降低晶片的表面中沟槽的偏差，在按晶片的表面的每一区域调节温度之后进行膜形成处理，能够降低晶片的表面中的沟槽的偏差，并且能够在沟槽的内表面按每一原子层高精细地形成含硅氧化物的膜。当形成有膜的沟槽的沟槽宽度比基准宽度窄时，为了扩展沟槽宽度，利用与ALE法同样的方法进行反复执行第2流程的蚀刻处理，各向同性地均匀地蚀刻设置在沟槽的内表面的膜。
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