公开(公告)号：CN1745463A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200480003417.8

申请日：2004-02-03

Applicant: 日本奥特克株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 奥村胜弥 ,  桧森慎司 ,  永关一也 ,  松丸弘树 ,  松山升一郎 ,  高桥俊树

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种在被处理基板(W)上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括收纳被处理基板的能够减压的处理容器(10)。在处理容器内配置有第一电极(12)。为了使处理气体供给到处理容器内而配置有供给系统(62)。为了生成处理气体的等离子体而配置在处理容器内形成高频电场的电场形成系统(32)。在第一电极(12)的主面上，离散地形成有向着等离子体生成空间一侧突出的多个凸部(70)。

公开(公告)号：CN111146061B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201911058656.8

申请日：2019-11-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永海幸一 ,  永关一也 ,  桧森慎司

IPC: H01J37/248 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，基片支承台设置于腔室内。基片支承台的下部电极与电源单元连接。在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，电源单元将第一直流电压施加到下部电极。第一直流电压为正极性的直流电压。电源单元为了对载置于基片支承台上的基片进行蚀刻，在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，将第二直流电压施加到下部电极。第二直流电压为负极性的直流电压。电源单元输出的直流电压从第一直流电压被连续地切换为第二直流电压。本发明能够使基片的正电荷量减少并且使蚀刻速率提高。

公开(公告)号：CN111446143B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202010020933.2

申请日：2020-01-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 玉虫元 ,  永关一也 ,  舆水地盐

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种改善因自由基或气体产生的静电吸附部的损耗的技术。本发明的等离子体处理装置的上部电极结构具备：电极板，形成有沿厚度方向贯穿的气体吐出孔；气板，将处理气体供应至气体吐出孔的气体流路形成为在与气体吐出孔相向的位置沿厚度方向延伸；静电吸附部，介于电极板与气板之间且具有与气板的下表面接触的接触面和吸附电极板的上表面的吸附面；及屏蔽结构，屏蔽从气体吐出孔向电极板与气板之间移动的自由基或气体。

公开(公告)号：CN113451101B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202110659565.0

申请日：2018-08-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永海幸一 ,  藤原一延 ,  大下辰郎 ,  道菅隆 ,  丸山幸儿 ,  永关一也 ,  桧森慎司

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。

公开(公告)号：CN118156181A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410266768.7

申请日：2019-04-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永海幸一 ,  永关一也

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种蚀刻装置，能够利用简单的装置结构来抑制蚀刻特性的劣化。蚀刻装置包括：载置台，其载置作为利用等离子体进行的蚀刻处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；产生施加到载置台的负直流电压的直流电源；和控制部，在开始对载置于载置台的被处理体进行蚀刻处理时，其从直流电源对载置台周期性地施加负直流电压，随着蚀刻处理的处理时间的经过，降低施加到载置台的负直流电压的频率。

公开(公告)号：CN117813676A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280052184.9

申请日：2022-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永关一也 ,  茂山和基 ,  桧森慎司 ,  本田昌伸 ,  照内怜

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；将由液体的介质或具有流动性的固体的介质中的至少任一者构成的传热介质经由上述基片支承部供给到该基片支承部的上述载置面与上述温度调节对象体的背面之间来形成传热层的步骤；对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤；和在等离子体处理后，将上述温度调节对象体与上述载置面分隔开的步骤。

公开(公告)号：CN114107962A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110949168.7

申请日：2021-08-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石井贵之 ,  永关一也 ,  斋藤道茂

IPC: C23C18/14 ,  C23C18/12

Abstract: 本发明提供成膜装置和具有含硅膜的部件的制造方法。抑制氧化地进行成膜。排气部将腔室内减压到预定的真空度。保持部配置于腔室内，保持成膜对象构件。供给部向成膜对象构件的表面供给含有硅的成膜材料。热源能够在预定的真空度中进行加热，将供给来的成膜材料熔融。

公开(公告)号：CN113594018A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110735397.9

申请日：2018-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永关一也 ,  茂山和基 ,  松田俊也 ,  古谷直一 ,  大下辰郎

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。

公开(公告)号：CN113327877A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110187416.9

申请日：2021-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 茂山和基 ,  永关一也 ,  松田俊也

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供容易地进行消耗部件的更换的部件搬运装置和处理系统。对消耗部件进行搬运的部件搬运装置包括部件收纳部、容器、机械臂和移动机构。部件收纳部收纳使用前的消耗部件和使用后的消耗部件。容器具有与处理装置连接的开口部和开闭开口部的闸门，收纳部件收纳部。机械臂设置在容器内，在前端具有末端执行器，能够经开口部从处理装置运出使用后的消耗部件并将其收纳在部件收纳部内，将使用前的消耗部件从部件收纳部取出并经开口部运入处理装置内。移动机构具有动力源，使部件搬运装置移动。

公开(公告)号：CN112951698A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011335819.5

申请日：2020-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保田绅治 ,  永关一也 ,  桧森慎司 ,  永海幸一

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明中公开的等离子体处理方法包括在第1期间，通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第1期间的第2期间，停止供应源自高频电源的高频电力的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第2期间的第3期间，将负极性的直流电压从偏置电源施加到基板支承器的工序。在第3期间，未供应高频电力。在第3期间，将负极性的直流电压设定为利用二次电子在腔室内生成离子，该二次电子通过使腔室内的离子碰撞基板而释放。