公开(公告)号：CN111424258A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201911393207.9

申请日：2019-12-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上博纪

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明涉及氮化膜的成膜方法及氮化膜的成膜装置。本发明的课题是提供在低温下能够形成氮化膜且能够减少形成有氮化膜的基底的损伤的技术。氮化膜的成膜方法多次重复包括如下工序的循环：将包含待氮化的元素的原料气体供给至基板，并在前述基板上形成包含前述元素的层的工序；对包含氢气的改性气体进行等离子体化，并利用经等离子体化的前述改性气体对包含前述元素的层进行改性的工序；和，利用热对包含氮的氮化气体进行活化，并通过利用热进行了活化的前述氮化气体对包含前述元素的层进行热氮化的工序。

公开(公告)号：CN104928647A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510117064.4

申请日：2015-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  村上博纪 ,  菱屋晋吾 ,  门永健太郎 ,  小幡穣

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531

Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。在成膜方法中，在真空气氛中形成含有掺杂元素的薄膜，其包括以下工序：吸附工序，自原料气体供给部向成为真空气氛的处理容器内供给原料气体并使该原料气体的原料吸附在基板上；掺杂工序，多次重复自掺杂气体供给部向处理容器内供给含有掺杂元素的掺杂气体并将掺杂气体封闭在处理容器内的步骤和对处理容器内进行真空排气的步骤；供给工序，自反应气体供给部向处理容器内供给用于与原料发生反应而生成反应生成物的反应气体；以及置换工序，该置换工序是在各工序之间进行的，置换处理容器内的气氛，一边使防逆流用气体自原料气体供给部、掺杂气体供给部及反应气体供给部向处理容器内流动，一边进行掺杂工序。

公开(公告)号：CN104278252A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410478548.7

申请日：2011-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  村上博纪 ,  柿本明修

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/02

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明提供一种能够进一步改善表面粗糙度的精度、且能够应对接触孔、线等的微细化的进展的非晶体硅膜的成膜方法。在处理室内连续进行下述工序：将基板1收容在处理室内的工序；对处理室内的基板进行加热的工序；对处理室内进行排气，调整压力的工序；在氨基硅烷系气体不热分解的条件下，向处理室内供给氨基硅烷系气体，氨基硅烷系气体被吸附而在基板上形成晶种层3的工序；在不含氨基的硅烷系气体热分解的条件下，向处理室内供给不含氨基的硅烷系气体而在晶种层3上形成非晶体硅膜4的工序；以及形成晶种层3的工序和形成非晶体硅膜4的工序。