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公开(公告)号：CN101312143A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810099936.9
申请日：2008-05-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/00 , H01J37/32 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供一种能够减低喷镀膜的修复频率的载置台和使用这种载置台的等离子体处理装置。该载置台(3)在对基板(G)实施等离子体处理的处理腔室内载置基板，包括基材(5)和形成于基材上并且在其上载置有基板的载置部(6)，载置部(6)包括构成角部(6a)的陶瓷部件(43)和陶瓷喷镀膜(41)。
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公开(公告)号：CN101261952A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810080550.3
申请日：2008-02-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/00 , C23F4/00 , C23C16/458 , C23C14/50 , C30B25/12 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基板载置台以及基板处理装置，其能够在载置基板时防止划伤基板的背面，该基板载置台包括：基材(110)；形成在所述基材上的、用于载置基板(G)的介电性材料层(120)；以及在介电性材料层上形成的多个凸部(142)，其中，作为所述各凸部(142)与基板(G)的接触部分的上部(144)由硬度比基板(G)的硬度低的材料构成。
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公开(公告)号：CN101188207A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710140390.2
申请日：2007-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/458 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种抑制绝缘层发生裂纹的静电吸附电极。在静电吸盘(40b)中，将由具有与基材(41)的线膨胀系数之差的绝对值在14×10－6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成的第1绝缘层(42b)插入在基材(41)和氧化铝喷涂膜的第2绝缘层(44b)之间。因为第1绝缘层(42b)作为缓冲层发挥作用，从而改善了静电吸盘(40b)的耐热性，能够抑制裂纹的发生。
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公开(公告)号：CN120002541A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510115996.9
申请日：2022-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板载置台的研磨方法和基板载置台。抑制在基板载置台的加工时因切削负荷的影响使加工工具倾斜导致加工错移而产生台阶，抑制蚀刻斑的产生。基板载置台的研磨方法用于研磨作为基板载置台的上表面的基板载置面，该基板载置台包括基材、设于所述基材上的下层喷镀膜、以及设于电极层上的上层喷镀膜，该基板载置台的研磨方法具有以下工序：对所述上层喷镀膜和所述下层喷镀膜利用浸渍剂施加浸渍处理；对所述基板载置面利用磨削加工施加平坦化处理；以及遮蔽所述基板载置面的周缘部，对所述基板载置面的除周缘部以外的中央部施加粗糙化处理。
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公开(公告)号：CN111952141B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202010377365.1
申请日：2020-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115992343A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211251480.X
申请日：2022-10-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种溅射成膜装置和溅射成膜方法，能够高效地对靶进行溅射。溅射成膜装置具有：处理容器，其具有用于载置基板的载置台；金属窗，其与所述载置台相向，具有构成所述处理容器的顶面的第一面，且由非磁性金属构成；电感耦合天线，其与同所述金属窗的所述第一面相反一侧的、所述金属窗的第二面分离地配置，用于在所述处理容器内生成等离子体；高频电源，其与所述电感耦合天线连接；与所述金属窗连接的直流电源、直流脉冲电源以及交流电源中的任一方；以及气体供给部，其向所述处理容器内供给用于生成所述等离子体的处理气体。
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公开(公告)号：CN109801827B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201811365489.7
申请日：2018-11-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体蚀刻装置具有构成基片载置台(130)的载置面的静电吸盘(132)的绝缘层(145)，其中，该基片载置台(130)用于载置作为等离子体处理的对象的基片。绝缘层(145)包括氧化铝、氧化钇和硅化合物。另外，等离子体蚀刻装置(30)具有吸附电极(146)，该吸附电极(146)设置在绝缘层(145)内，通过对其施加规定的电压来吸附基片。吸附电极(146)由含镍金属或者含铬金属形成。本发明即使在进行干式清洁的情况下，也能够提高载置台对等离子体的耐受性。
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公开(公告)号：CN109119321B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810649844.7
申请日：2018-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明在将多个基板排列载置于下部电极来进行等离子体处理时，抑制下部电极的异常放电的发生。在将多个例如2个基板(G)排列载置的下部电极(4)中，在沿基板的四边顺时针或逆时针环绕的环绕路线上看时，将构成环部(6)的带状部件(61～67)配置成后方侧的带状部件的前端部的侧面与前方侧的带状部件的后端面接触。在以与设置于作为2个基板之间的边界区域(44)的带状部件(纵向部件)的后端面接触的方式在横向上配置在一直线上的2个带状部件(横向部件)(63、67)的端面彼此之间，形成有用于吸收横向部件的因热导致的延伸的间隙。由于下部电极不从间隙露出，所以即使等离子体进入间隙，也能够抑制异常放电的发生。
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公开(公告)号：CN107026102B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201610963595.X
申请日：2016-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基板载置台，即使在第1部件与第2部件间存在微小间隙，也不会导致维护性的恶化和装置成本的增加，而能够确保从第1部件向第2部件的良好且均匀的热传递。在处理容器内对被处理基板实施处理的基板处理装置中载置基板的基板载置台包括：作为基座的金属制的第1部件；设置在第1部件之上的金属制的第2部件；设置在第2部件的表面的、载置基板的基板载置部；设置在第1部件的温度调节机构；由弹性体构成的弹性体片，插设于第1部件与第2部件之间，所述弹性体由有机材料形成；和螺钉，在插设有弹性体片的状态下将第1部件和第2部件的至少外周紧固，弹性体片填埋当第1部件和第2部件被紧固时形成在上述部件之间的微小间隙。
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公开(公告)号：CN107086200A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710080885.4
申请日：2017-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种具有静电吸盘的基板载置台，即使在超过120℃的温度下，也难以在静电吸盘的由陶瓷喷镀覆膜形成的电介质层产生龟裂、剥离。在处理容器(4)内对被处理基板实施处理的基板处理装置中用于载置基板的且在超过120℃的温度下使用的基板载置台(30)包括：金属制的基体(31)；吸附被处理基板的静电吸盘(32)，其具有设置在基体(31)之上的、由陶瓷喷镀覆膜形成的电介质层(45)和设置在电介质层(45)的内部的吸附电极(46)，其中，基体(31)的至少与电介质层(45)接触的部分由马氏体不锈钢或者铁素体不锈钢构成。
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