一种褶皱石墨烯的制备方法

    公开(公告)号:CN108117064A

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201810171394.5

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 本发明提供了一种褶皱石墨烯的制备方法,将水溶性碳源与模板剂、氧化石墨烯混合均匀而得到混合液,模板剂物选自聚苯乙烯纳米微球或者聚甲基丙烯酸甲酯纳米微球,碳源的浓度为1-100g/l,模板剂与碳源的质量比为0:1-50:1,氧化石墨烯与碳源的质量比为1:10-1:1000;将混合液喷雾干燥,喷雾干燥的温度为100-600℃,得到碳源/模板剂粉末颗粒;将得到的粉末颗粒在惰性气体氛围中热处理,热处理温度在500℃至2800℃之间,得到褶皱石墨烯。本发明的高温热处理使碳源/模板剂粉末颗粒中的模板以二氧化碳、水等无毒无害气体释放,既对环境友好,同时还将生物质充分炭化转变为褶皱石墨烯。

    高比表面积分级孔结构褶皱石墨烯及其制备方法

    公开(公告)号:CN105384164B

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201510957934.9

    申请日:2015-12-18

    Abstract: 高比表面积分级孔结构褶皱石墨烯及其制备方法。该方法包括:将氧化石墨烯和造孔剂配制成均匀混合液,其中氧化石墨烯浓度为0.1g/l‑10g/l,并且造孔剂和氧化石墨烯的质量比为0.2‑20;将混合液雾化并加热以使混合液中的溶剂挥发而得到含有造孔剂的褶皱氧化石墨烯粉末;以及收集所得含有造孔剂的氧化石墨烯粉末并在惰性气体保护下进行活化热处理以得到高比表面积分级孔结构褶皱石墨烯产品,其中活化热处理的温度控制在500℃至1100℃之间并且时间控制在0.2‑10小时以使所得产品比表面积在300m2/g至3000m2/g之间。本发明在实现有效提高褶皱石墨烯比表面积的同时还可以优化石墨烯孔结构,使褶皱石墨烯同时具备微孔、中孔和大孔,制备方法简单且成本低。

    氮掺杂褶皱石墨烯的制备方法

    公开(公告)号:CN104860312B

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201510278104.3

    申请日:2015-05-27

    Abstract: 氮掺杂褶皱石墨烯的制备方法,包括:将氧化石墨烯溶液和水溶性含氮化合物混合均匀而得到混合液;将混合液雾化并加热以使混合液中的溶剂挥发而得到氮掺杂褶皱氧化石墨烯粉末颗粒;以及收集所得氧化石墨烯粉末颗粒并在惰性气体保护下热处理以得到氮掺杂褶皱石墨烯产品,其中热处理温度在150℃至1100℃之间,所得产品中的氮元素含量在1%至30%之间。本发明在实现石墨烯有效掺氮的同时还获得了程度可控的褶皱,方法简单且成本低。

    一种垂直碳纳米管阵列/金属氧化物复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104616911A

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201510053195.0

    申请日:2015-02-02

    CPC classification number: Y02E60/13 H01G11/86 H01G11/36 H01G11/46

    Abstract: 一种垂直碳纳米管阵列/金属氧化物复合材料的制备方法,将金属有机化合物前驱体、助溶剂与碳纳米管阵列样品装入反应器,密封后通入超临界二氧化碳,并加热到预定温度进行浸渍处理;然后将样品置于氧化性气氛中进行低温热解,将金属有机化合物前驱体转化为金属氧化物,从而获得均匀负载有金属氧化物的碳纳米管阵列三维结构复合材料。本发明利用超临界二氧化碳的物理化学性质,实现了金属氧化物在宏观厚度(0.1mm-10mm)VACNTs中的均匀复合;避免了液体表面张力对VACNTs结构的破坏,VACNTs的定向排列特征可以完美地保留;制备方法环保、操作简便,且有利于规模化制备。该复合材料在电化学储能、催化等领域有巨大应用价值。

    一种半导体型碳纳米管的富集方法

    公开(公告)号:CN103482607A

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201310461778.8

    申请日:2013-10-08

    Abstract: 本发明公开一种半导体型碳纳米管的富集方法。即首先将固体氧化性化合物溶解在液体试剂中得固体氧化性化合物溶液;然后将需要纯化的单壁碳纳米管均匀分散到上述所得的固体氧化性化合物溶液中,得到浓度为0.1-0.5mg/ml碳纳米管分散液;再将所得的碳纳米管分散液置于微波反应器中进行反应,控制其反应温度40-150℃,时间25-120min,得到的反应液依次经过滤、洗涤、干燥后,于真空或者惰性气氛中进行退火后,即得半导体型碳纳米管。本发明的半导体型碳纳米管的富集方法使分离后的碳纳米管保持结构与性能稳定,有利于实现对碳纳米管分离过程的精确控制,最终获得半导体型碳纳米管的含量达90-93%的产品。

    一种高比表面积具有分级孔结构多孔炭的制备方法

    公开(公告)号:CN102515138A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110353365.9

    申请日:2011-11-09

    Abstract: 一种高比表面积具有分级孔结构多孔炭的制备方法,采用纳米粒子为模板制备孔径集中在纳米氧化硅粒径范围的多孔炭,并将其烘干,其特点是:所述的多孔炭烘干后,将炭粉与KOH混合,控制炭粉与KOH的质量比为1∶1-1∶8,800-1000℃活化0.5-5h,HCl洗掉多余的KOH后,即可制备高比表面积具有分级孔结构的多孔炭。采用本发明方法制备出的多孔炭具有:比表面积高、产品成本低、多孔炭孔径分布可通过选择合适的纳米粒子以及控制KOH的用量控制。

    一种制备高纯度单壁碳纳米管垂直阵列的方法

    公开(公告)号:CN101948105A

    公开(公告)日:2011-01-19

    申请号:CN201010262098.X

    申请日:2010-08-25

    Abstract: 本发明公开了一种制备高纯度单壁碳纳米管垂直阵列的方法。具体而言,涉及一种常压下的水分辅助化学气相沉积方法,为以氧化铝负载的过渡金属Fe为催化剂,以惰性气体和氢气为载气,通过向化学气相沉积气氛中添加50-1000ppm浓度的水分以提高催化剂效率和寿命,制得垂直于基片排列的高纯度单壁碳纳米管。本发明方法可在十分钟之内生长出较高的碳纳米管阵列,并且单壁纳米管的碳纯度可高达99wt%。

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