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公开(公告)号：CN102516878A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110411337.8
申请日：2011-12-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、氧化剂、表面改善剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1-30wt%，所述氧化剂的含量为0.01-10wt%，所述表面改善剂的含量为0.0001-5wt%。通过本发明提供的上述抛光液，对相变存储器件做抛光处理，可显著改善抛光后相变材料表面质量，实现对小于1nm的低表面粗糙度和微缺陷(腐蚀坑、残留、划痕和抛光雾等)的控制。
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公开(公告)号：CN111635701A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010618662.0
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钴基材抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体50-80％；磨料0.1-10％；氧化剂≤1％；铵盐化合物0.005-20％；抑制剂0.1-100mM。本发明通过选择合适的氧化剂、铵盐化合物以及抑制剂并将他们合理组合，通过提高机械和化学作用来提高抛光速率，控制Co表面腐蚀情况以及改善表面质量，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104556071B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410843300.6
申请日：2014-12-29
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/18
Abstract: 本发明提供一种多孔二氧化硅的制备方法，包括如下步骤：1）以水玻璃为原料，通过离子交换、晶种制备、颗粒生长后，制得二氧化硅球核；2）在二氧化硅球核中，加入模板剂，并添加硅源，混合搅拌后，从而在二氧化硅球核上生长出多孔壳层；3）将包含二氧化硅球核及多孔壳层的颗粒，经过滤、洗涤、干燥、煅烧或有机溶剂萃取，制得多孔二氧化硅颗粒。本发明提供的一种多孔二氧化硅的制备方法，能够制备出具备极高的比表面积，良好的化学活性及吸附特性的多孔二氧化硅颗粒，可应用于化学机械抛光液磨料，化工催化剂，以及药物载体等领域，且适用于大规模工业生产的需求。
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公开(公告)号：CN104403570B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410610365.6
申请日：2014-11-03
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光领域，特别是涉及一种可有效应用于相变材料GST的双氧化剂化学机械抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种双氧化剂的GST化学机械抛光液，其原料按重量份计，包括如下组分：抛光颗粒0.2?30份；氧化剂A 0.01?5份；氧化剂B 0.01?5份；表面活性剂0.01?4份；水性介质85?95份；pH调节剂适量；所述双氧化剂化学机械抛光液的pH值的范围为2?6。本发明发明人在相变材料抛光液中添加双氧化剂，利用两种氧化剂的协同作用，实现三种元素的全部氧化，解决抛光之后残留问题，保证抛光之后三种元素的比例保持不变，相变材料能够保持具有与抛光之前相同的相变性能。
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公开(公告)号：CN105670350A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610089066.1
申请日：2016-02-17
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C09D7/61 , B05D7/14 , C08K3/36 , C09D1/00 , C09D125/14 , C09D175/04 , C09D7/63 , C09D7/65
Abstract: 本发明属于无机纳米材料制备和应用领域，涉及一种成膜硅溶胶及其制备方法与应用。本发明提供一种成膜硅溶胶，按质量百分比计，包括以下组分：硅溶胶66～91%；改性剂0.1～1.8%；成膜助剂7.2～33.9%。本发明还进一步提供了一种成膜硅溶胶的制备方法及其应用。本发明提供的一种成膜硅溶胶及其制备方法与应用，制备获得的成膜硅溶胶具有良好的外观透明度和稳定性，其应用于涂料作为成膜涂层具有良好的光泽度、较高的硬度和较强的附着力，在涂料领域具有较高实用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104593776A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410836073.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23F3/04
Abstract: 一种用于钛的化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下原料组分及重量百分含量：氧化剂1~5wt%、表面活性剂0.01~4wt%、有机添加剂0.01~3wt5、抛光颗粒0.2~30wt%、余量为pH调节剂和水。本发明中的化学机械抛光液利用不同成分化学机械抛光液对钛金属速率可控、表面质量好且低腐蚀的抛光，可满足工业中对于钛金属表面质量的需求。
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公开(公告)号：CN104559799A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410852457.5
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学抛光领域，具体涉及一种含复合磨料的化学机械抛光液及其制备方法。所述化学机械抛光液，含有复合磨料，所述复合磨料由二氧化硅和三氧化二铝组成。所述复合磨料中，二氧化硅和三氧化二铝的重量比为0.1:1~3:1。本发明利用二氧化硅的化学活性和三氧化二铝的硬度之间的协同作用，可有效地提高蓝宝石的抛光效率。
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公开(公告)号：CN104559798A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410837824.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 一种氧化铝基化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下组分及百分含量：抛光颗粒0.1~30wt%、表面活性剂0.01~10wt%、余量为pH调节剂和水性介质。本发明提供的化学机械抛光浆液对蓝宝石衬底材料的抛光速率可控制在50nm/min到200nm/min,同时表面粗糙度降低到了15？以下。利用上述抛光液可实现对蓝宝石衬底材料速率可控、表面低损伤并且无残留的抛光。
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公开(公告)号：CN103897604A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210587505.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及计算机领域，具体涉及一种可有效应用于计算机NiP硬盘的计算机硬盘化学机械抛光液。计算机硬盘化学机械抛光液，为含有氧化剂、研磨粒子、盐类添加剂以及pH调节剂的水溶液；所述盐类添加剂通式为X-R-Y，其中X为阳离子，Y为阴离子，R为直链烃基或其衍生物。通过本发明提供的化学机械抛光浆液，硬盘的抛光速率达到了90nm/min,表面粗糙度较低，硬盘的表面质量和加工效率得到了有效的提高。
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公开(公告)号：CN103897603A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210586914.1
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光液领域，尤其涉及一种可有效应用于相变材料GST的化学机械抛光液。本发明提供一种GST中性化学机械抛光液，以重量百分比计，包括如下组分：二氧化硅抛光颗粒0.2-30wt%；氧化剂0.01-5wt%；表面活性剂0.01-4wt%；余量为pH值调节剂和去离子水；所述GST中性化学机械抛光液的pH值为6-8。本发明提供的用于相变材料GST的中性化学机械抛光液，所述的经过烷基改性，金属氧化物包裹，胺型改性，无机离子改性等方法改性的SiO2抛光颗粒，在pH值6-8范围内，zeta电位的绝对值30-80mv，胶体达到了稳定，从而形成稳定的中性化学机械抛光液。
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