公开(公告)号：CN116683997A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310625523.4

申请日：2023-05-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 董艳华 ,  王婉玥 ,  王廷云 ,  陈美 ,  黄怿 ,  黄彩红 ,  文建湘

IPC: H04B10/548 ,  G01D5/353 ,  H04B10/50 ,  H04B10/61

Abstract: 本发明属于光纤干涉测量领域和相位生成载波解调技术领域，具体涉及到一种改进相位生成载波算法解调低频信号的方法：基于三倍频相位生成载波混频，利用反正切算法解调低频信号，并与椭圆拟合算法结合，实时校正非正交信号和补偿线性误差。本发明在解调低频信号过程中，不受载波调制深度和光强扰动的影响，同时避免了低频信号解调中传统PGC‑DCM存在的直流漂移问题，提升了解调结果的准确性，减少了误差因素的干扰。

公开(公告)号：CN116679373A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310582424.2

申请日：2023-05-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 文建湘 ,  曾龙钊 ,  王廷云 ,  董艳华

IPC: G02B6/02 ,  C03C13/04 ,  C03B37/018 ,  C03B37/027

Abstract: 本发明公开了一种L+与L+U波段有源石英光纤及其制备方法，属于光纤技术领域。该光纤由纤芯和包层组成，纤芯中掺杂有铋、锗、铒、镱、镧和铥中的两种或者多种离子，存在1560nm附近的铒离子发射宽峰和1620±30nm范围内的铋锗相关的活性中心宽峰，同时激发两个活性中心，实现L+和L+U波段增益带宽的拓展。本发明的光纤具有掺杂浓度精确可控、掺杂均匀、荧光强度强、增益带宽宽、稳定性高、光纤结构简单等优点，对于拓展光纤在低损耗通信窗口的带宽，打破当前通信容量瓶颈具有重要意义。

公开(公告)号：CN114956544A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210723796.8

申请日：2022-06-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 王廷云 ,  郑泽欣 ,  文建湘 ,  潘香萍 ,  嵇为柱 ,  董艳华

IPC: C03B37/014 ,  C03B37/027 ,  G02B6/02 ,  G02B6/036

Abstract: 本发明公开了一种调控掺铒石英光纤增益强度与带宽的方法及光纤结构。首先，在石英管内壁的第一疏松层依次沉积Al2O3、Bi2O3、Er2O3和Al2O3，之后，沉积掺杂GeO2和P2O5的SiO2材料并半玻璃化形成第二疏松层，在第二疏松层上依次沉积Al2O3、Bi2O3、Er2O3和Al2O3，最后，沉积掺杂GeO2和P2O5的SiO2材料作为芯层，高温缩棒，利用拉丝塔将光纤预制棒拉制成光纤。在沉积过程中精确控制各种掺杂材料的沉积浓度，实现第一层Al2O3与Bi2O3的摩尔比为0.5～20、Bi2O3与Er2O3的摩尔比为0.2～30、Er2O3与最后一层Al2O3的摩尔比为0.005～0.1。本发明利用ALD沉积的优点，通过调控不同掺杂材料的沉积顺序与精确配比调控掺杂离子与基质材料结合的局域场，提高光纤的发光效率与增益强度，拓展增益谱宽。

公开(公告)号：CN110247291B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201910501826.9

申请日：2019-06-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 商娅娜 ,  徐灵敏 ,  陈振宜 ,  康亚男 ,  庞拂飞 ,  陈娜 ,  董艳华 ,  文建湘 ,  王廷云

IPC: H01S3/067 ,  C03B37/018 ,  C03B37/027

Abstract: 本发明公开了一种放大OAM光束的PbS环形芯光纤，所述PbS环形芯光纤包括光纤空气芯(1)、PbS掺杂环(2)和包层(3)，所述PbS掺杂环(2)的主要成分为PbS和石英，该PbS环形芯光纤在改进的化学气相沉积工艺中增加PbS粉末高温汽化沉积工艺进行制备，并改变PbS粉末汽化时机来制备环状PbS掺杂石英光纤，获得所述放大OAM光束的PbS环形芯光纤。本发明设计了放大OAM光束的PbS量子点环芯石英光纤，该光纤具有高折射率差、模式容量多、带宽大、低损耗和高增益等优点，将该PbS量子点石英光纤应用于光纤放大器中，可以极大地提高光纤放大器的增益。

公开(公告)号：CN111471979A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010279847.3

申请日：2020-04-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 董艳华 ,  苏采芸 ,  赵阳阳 ,  张海莹 ,  王廷云 ,  文建湘 ,  张小贝 ,  黄怿 ,  商娅娜

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  H01S3/067 ,  G02B6/02

Abstract: 本发明涉及一种PbS/PbSe核壳结构纳米薄膜及集成锥形光纤放大器，属于光纤技术和纳米材料制备技术领域。该纳米集成锥形光纤放大器由锥型光纤和光纤表面利用原子层沉积技术制备的PbS/PbSe核壳结构纳米薄膜组成，通过渐逝波原理实现光纤放大效果。所述纳米薄膜由核壳结构PbS/PbSe纳米材料组成，所述的核壳结构PbS/PbSe纳米材料包括PbS内核和包覆于所述PbS内核表面的PbSe外壳。本发明结合了PbS和PbSe纳米材料的发光特性，通过控制内核和外壳的沉积厚度精确调整发光波段，提高发光效率；PbSe外壳能够有效改善内核表面缺陷结构，提高内核的稳定性与分散性。所制备的核壳结构PbS/PbSe纳米半导体具有发光效率高、带宽精确可控、分散性高、掺杂浓度可控、损耗低、稳定性强等优点。

公开(公告)号：CN105467512B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201510941656.8

申请日：2015-12-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 文建湘 ,  王廷云 ,  董艳华 ,  刘文君 ,  庞拂飞 ,  陈振宜 ,  郭强

IPC: G02B6/02

Abstract: 本发明涉及一种基于原子层沉积（ALD）技术的Bi/Al共掺石英光纤及制备方法，属光纤技术领域。它由纤芯和包层组成，其特征在于所述纤芯是由Bi/Al/Ge共掺石英材料构成，所述包层为纯石英材料。本发明采用改进的化学气相沉积法（MCVD），在石英基管内沉积掺杂GeO2的二氧化硅疏松层，并将其半玻璃化；然后，利用ALD技术在基管内壁沉积氧化铋与Al2O3材料；最后，利用MCVD技术高温缩棒处理，得到掺杂光纤预制棒，并将其光纤拉丝。本发明中石英光纤的结构简单、合理，掺杂材料具有均一分散性、浓度可控、且光纤发光效率高与增益谱宽等优点，可用于构建光纤激光器、光纤放大器、宽带光源及光纤传感等场合。

公开(公告)号：CN105467511B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201510941655.3

申请日：2015-12-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 文建湘 ,  王廷云 ,  董艳华 ,  王杰 ,  庞拂飞 ,  陈振宜 ,  郭强

IPC: G02B6/02 ,  C03B37/014 ,  C03B37/018

Abstract: 本发明涉及一种基于原子层沉积技术（ALD）的具有超宽带、高增益特性的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法，属光纤技术领域。它由纤芯，内包层和包层组成，其特征在于所述纤芯由GeO2材料构成，内包层由Bi/Er或Bi/Er/Al共掺材料构成，包层由纯石英构成，两种光纤结构如图1(a)所示，纤芯直径Φ=5~20μm，内包层直径Φ=8~50μm，包层直径Φ=40~400μm；如图1（b）所示，纤芯直径Φ=5~80μm，包层直径Φ=60~400μm。利用ALD技术交替沉积不同掺杂离子，沉积浓度为0.01‑10 mol%。本发明的光纤结构简单、合理，具有均匀分布与掺杂浓度可控等优点。

公开(公告)号：CN108594359A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810434976.8

申请日：2018-05-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 王廷云 ,  陈振宜 ,  陈娜 ,  庞拂飞 ,  文建湘 ,  刘书朋

IPC: G02B6/02 ,  G02B6/036

Abstract: 本发明涉及一种铌酸锂掺杂石英光纤。该光纤通过改进化学气相沉积工艺技术加入高温气化铌酸锂工艺制备而成。制备出的铌酸锂掺杂石英光纤结构为纤芯层掺铌酸锂匹配型结构或内包层掺杂铌酸锂结构或纤芯与内包层同掺铌酸锂结构。这三种结构的铌酸锂掺杂石英光纤均具有高的折射率差、低的损耗和较高的拉曼增益系数。该光纤用于拉曼光纤放大器，可获得较高的拉曼增益，能解决传统单模光纤拉曼放大器增益低的不足。同时制备工艺成熟，可实现铌酸锂掺杂石英光纤的批量化生产。

公开(公告)号：CN103319085B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201310218435.9

申请日：2013-06-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 肖中银 ,  文建湘 ,  罗文芸 ,  尹剑翀 ,  吴文凯 ,  宫仁祥 ,  王廷云

IPC: C03B37/10

Abstract: 本发明涉及一种提高石英光纤抗辐射性能的处理方法，所采用的石英光纤材料是高纯度的石英材料；该处理方法是采用预热处理、快速淬火、预辐照再热处理的方法。预热处理是在特定温度下保温，使得石英光纤材料的结构更加稳定；快速冷却是保证石英光纤材料的结构在室温下，仍然保持稳定的结构；预辐照是对纯石英光纤材料进行一定剂量的辐照，使得石英光纤材料的疲劳键断裂，释放多余的能量；再热处理使得预辐照的断键得以恢复从而形成稳定结构。本发明制作的抗辐射石英光纤材料具有很好的抗辐射性能，其特点是在很高的辐射剂量下有很好的抗辐射效果，既可用于抗辐射光纤的制作，也可以用于抗辐射石英材料相关的器件制作。

公开(公告)号：CN104932123A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510319936.5

申请日：2015-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 王廷云 ,  柴赵璞 ,  宫仁祥 ,  黄怿 ,  陈黄超 ,  文建湘

IPC: G02F1/095

CPC classification number: G02F1/095

Abstract: 本发明涉及一种利用辐照技术提高光纤Verdet常数的方法，包括如下步骤：1）将一段长度的单模光纤均匀盘绕成直径10cm~20cm的圆环，放入容器中；2）将容器放入Co-60射线辐照场内进行辐照，在有氧条件下，辐照30~60分钟，总剂量在600~1200Gy；3）在静置2~6个小时后，对单模光纤进行Verdet常数测试，与未做辐照的光纤对比，得到Verdet常数提高0.3~0.5倍的单模光纤。本发明不涉及预制棒掺杂浓度控制等复杂工艺，成本低，操作简单，可以有效提高光纤的Verdet常数。