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公开(公告)号：CN101509145B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910046585.X
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C30B29/38 , C30B29/40 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 一种在铝酸锂(302)面衬底上生长非极性a(11-20)面GaN薄膜的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)(302)面衬底上，在N2保护下，升温到800-950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa流量为10-150sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；然后再升温到1050-1150℃，在氢气气氛下生长高温U-GaN约1um，TMGa流量为20-200sccm，对应于摩尔流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。本发明的创新点在于根据铝酸锂(302)面衬底的特点，设计了一套新的外延工艺，使得所生长的外延薄膜具有更高质量、更具有实用性。
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公开(公告)号：CN101958251A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055074.4
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/428 , H01L21/20 , B23K26/36
Abstract: 本发明涉及一种在铝酸锂晶片上制备图形衬底的方法，包括：提供铝酸锂晶片；用飞秒激光沿平行的方向多次扫描所述铝酸锂晶片的表面，形成多个平行的沟槽，得到铝酸锂晶片图形衬底。与现有技术相比，本发明采用飞秒激光在铝酸锂晶片上刻蚀图形衬底，通过改变飞秒激光的聚焦功率，可以调整沟槽的深宽比，与湿法或干法刻蚀相比，操作简单，更易获得较大深宽比的图形衬底。
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公开(公告)号：CN101956235A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055073.X
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种掺铁铝酸锂晶体的制备方法，包括：将氧化铝、碳酸锂和氧化铁作为原料混合后压块得到成型体，烧结所述成型体；加热所述烧结后的成型体得到熔体，将籽晶与所述熔体接触，用提拉法生长掺铁铝酸锂晶体。按照本发明提供的方法，将所述几种原料混合后压块得到成型体烧结后，再用提拉法可以制得大尺寸、透明完整的掺铁铝酸锂晶体。测试结果表明，按照本发明制备的掺铁铝酸锂晶体具有较好的热稳定性和化学稳定性。
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公开(公告)号：CN101509144B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910046584.5
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C30B29/38 , C30B29/40 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11-20)面GaN薄膜质量的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)(302)面衬底上，在N2保护下，升温到800-950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa流量为10-150sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；接着关闭TMGa的流量计，通入硅烷(SiH4)或者二茂镁(Cp2Mg)，生长一层SiNx或者Mg3N2阻挡层，厚度为1-100nm，然后再升温到1050-1150℃，在氢气气氛下生长高温U-GaN约1um，TMGa流量为20-200sccm，对应于摩尔流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，而高温U-GaN的目的是提高薄膜质量，改善表面平整度。
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公开(公告)号：CN101717923A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910200280.X
申请日：2009-12-10
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种非极性GaN薄膜及其制备方法。该薄膜包括：LiAlO2衬底以及在该衬底上依次生长的低温保护层、U-AlGaN层和高温U-GaN层。其制备方法包括如下步骤：步骤一，生长低温保护层：在MOCVD系统中，以LiAlO2(100)面做衬底，在N2保护下，升温到800-950℃；切换到氢气气氛生长低温保护层U-GaN，反应室压力为150-500torr，TMGa流量为1-50sccm；步骤二，生长U-AlGaN层：降低反应室压力至100-300torr，升温到1000-1100℃，生长U-AlGaN层，TMGa流量为10-150sccm，TMAl的摩尔流量与TMGa流量之比为1/5-2；步骤三，生长高温U-GaN层：停止通入TMAl，继续生长U-GaN。本发明可以有效改善(100)面铝酸锂(LiAlO2)衬底上非极性m(10-10)面GaN薄膜的表面形貌，有利于提高器件的工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101703356A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910198197.3
申请日：2009-11-03
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明涉及了一种紫外饮水杯，它包含有一个杯盖，杯盖内底面上装有几个紫外发光二极管器件，通过导线依次串联安装在杯盖内的一个按钮开关、一个电池、一个驱动电路和一个弹性开关，杯盖外部附有防辐射粘附层。在杯盖盖在杯上时，弹性开关受压打开电源，在打开杯盖时，弹性开关靠弹性关闭电源，在发光二极管点亮时可以杀死杯壁、杯中水的细菌，提高饮水健康指数。
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公开(公告)号：CN101369621A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810040634.4
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片及其制作工艺，它包括：p型电极pad、n型电极pad、发光有源层、衬底和透明电流扩展层，在芯片四周有淀积的绝缘层至与发光有源层齐平，在芯片四周除n型电极pad附近外，绝缘层的上方有辅助电流扩展层，在辅助电流扩展层上制作p型金pad。本发明通过减少对出光的遮挡，从而达到提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN102569122A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210054565.9
申请日：2012-03-05
Applicant: 复旦大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种LED侧面钝化层质量的测试结构，通过在LED芯片的侧面及衬底的背面上制备G电极，从而可对LED芯片的侧面钝化层的等效电阻进行测量，并进一步对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；同时，还公开了一种LED侧面钝化层质量的测试方法，通过测量LED芯片P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻，并分别与一标准LED芯片样品的P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻进行比较，从而可对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；该方法简单方便，并且成本较低。
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公开(公告)号：CN101958333A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055071.0
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上具有氧化硅膜层；在所述氧化硅膜层上具有点阵排列的圆孔，所述圆孔的深度与氧化硅膜层的深度相等，在所述圆孔内具有n型GaN膜；在所述n型GaN膜上具有至少一个周期的GaInN/GaN量子阱；在所述的GaInN/GaN量子阱上具有p型GaN膜。本发明提供的半导体发光器件中，GaInN/GaN量子阱呈点阵排列，与在衬底上直接外延得到的量子阱结构相比，点阵排列的GaInN/GaN量子阱可以提高LED显示屏的分辨率。
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公开(公告)号：CN101956233A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055070.6
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种镓酸锂晶体的制备方法，包括：将Li2CO3和Ga2O3作为原料混合后压块得到成型体，烧结所述成型体；在真空条件下加热所述成型体得到熔体，将籽晶下到所述熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。按照本发明，在烧结的过程中，可以提高原料纯度，降低晶体生长的挥发。然后，将成型体在真空条件下加热形成熔体，取籽晶下到熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶以降低温场的不均匀性，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。采用冷心下种，可以使固液界面的顶端与籽晶中心重合防止晶体偏心生长，有利于挥发性物质的排出，从而提高晶体质量。
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