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公开(公告)号：CN104183510A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410174444.7
申请日：2014-04-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/768 , H01L22/14 , H01L22/30 , H01L22/34 , H01L2224/0603
Abstract: 针对半导体晶圆，作为进行电气特性评价前的处理，实施保护膜形成工序处理。在该处理中，在形成作为保护膜的绝缘膜之后，通过实施照相制版处理和蚀刻处理，从而形成具有将发射极电极(11)露出的多个开口部(17)的保护膜(16)。然后，通过经由各个开口部(17)，使接触探针与露出的发射极电极(11)接触，从而进行电气特性评价。
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公开(公告)号：CN101035732A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200580033987.6
申请日：2005-10-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B66B1/3484
Abstract: 本发明提供一种电梯装置。在该电梯装置中使用用于检测轿厢承负载荷的称重装置。称重装置具有：位移部件，其根据轿厢内的承负载荷的变化进行位移；以及多个位移检测部，其检测位移部件的位移，输出与承负载荷相应的检测信号。即，称重装置根据1个位移部件的机械位移，输出多个检测信号。
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公开(公告)号：CN108231618B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201711405607.8
申请日：2017-12-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种半导体装置的评价装置，该半导体装置的评价装置在半导体装置的电气特性的评价时，抑制在作为被测定物的半导体装置的一部分区域产生的放电现象，且抑制异物或绝缘物的接触痕迹向该半导体装置的表面转印。本发明涉及的半导体装置的评价装置具有：工作台，其能够在主面对半导体装置进行支撑；多个探针，其设置于工作台的主面的上方；绝缘物，其具有框形状，框形状包围多个探针，且绝缘物设置于工作台的主面的上方；以及评价部，其与多个探针和工作台的主面连接，经由多个探针将电流注入至支撑于工作台主面的半导体装置，对半导体装置的电气特性进行评价。该绝缘物包含与工作台的主面相面对且具有柔性的前端部。另外，该前端部在前端部的一个侧面包含接触面，该接触面能够通过前端部向框形状的内侧或外侧变形而与半导体装置接触。
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公开(公告)号：CN105548852B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201510690208.5
申请日：2015-10-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R1/0491 , G01R1/06722
Abstract: 本发明的目的在于提供种在纵向型半导体装置的评价中能够确保绝缘的技术。背面电位导出部(18)具有:在由半导体晶片保持部(6)保持的半导体晶片(51)的背面侧配置的端部分、以及在由半导体晶片保持部(6)保持的半导体晶片(51)的表面侧配置的另端部分。半导体晶片(51)以及保持半导体晶片(51)的半导体晶片保持部(6)能够沿半导体晶片(51)的面内方向移动。在半导体晶片(51)以及保持半导体晶片(51)的半导体晶片保持部(6)沿面内方向移动的情况下,在半导体晶片(51)的移动区域以外的附近,对背面电位导出部(18)中的、相对于半导体晶片(51)位于面内方向的部分进行固定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104183510B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410174444.7
申请日：2014-04-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/768 , H01L22/14 , H01L22/30 , H01L22/34 , H01L2224/0603
Abstract: 针对半导体晶圆，作为进行电气特性评价前的处理，实施保护膜形成工序处理。在该处理中，在形成作为保护膜的绝缘膜之后，通过实施照相制版处理和蚀刻处理，从而形成具有将发射极电极(11)露出的多个开口部(17)的保护膜(16)。然后，通过经由各个开口部(17)，使接触探针与露出的发射极电极(11)接触，从而进行电气特性评价。
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公开(公告)号：CN104183516B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410174467.8
申请日：2014-04-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2891 , G01B11/14 , G01B11/30 , G01R31/2831 , H01L21/681
Abstract: 一种半导体装置的评价装置，其对形成在半导体衬底(100)上的半导体装置进行电气评价，该半导体装置的评价装置具有：保持部(2)，其将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上；以及检测部(3)，其对保持部(2)的表面(2A)的凹凸进行检测。保持部(2)在表面(2A)上包含多个槽部(20)，多个槽部(20)形成为，在将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上时，与半导体衬底(100)的外周重合，并且，一部分与半导体衬底(100)的外周相比位于外侧。
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公开(公告)号：CN103969565B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410042200.3
申请日：2014-01-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2886
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体评价装置及半导体评价方法，其成本低，且不增加评价工序所花费的时间，能够简单地抑制被测定物上的局部放电的发生。半导体评价装置（1）具有：卡盘台（3），其对作为被测定物的半导体装置（5）进行保持；接触探针（10），其用于与保持在卡盘台3）上的半导体装置（5）接触而评价半导体装置5）的电气特性；以及流体吹出部（7），其向半导体装置（5）吹出流体。
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公开(公告)号：CN106068552A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201480076887.0
申请日：2014-03-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/32 , G01R31/26 , H01L22/14 , H01L23/53214 , H01L23/53242 , H01L2224/0603
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，该半导体装置能够抑制电气特性的评价时的局部放电的发生，从被测定物的上方进行故障解析。本发明所涉及的半导体装置(1)具有：至少大于或等于1个电极(17)；绝缘性的保护层(20)，其具有以电极(17)的一部分露出的方式设置的至少大于或等于1个开口部(21)，且该保护层形成为将开口部(21)以外的电极(17)覆盖；以及导电层(26)，其将保护层(20)及开口部(21)覆盖，在开口部(21)与电极(17)直接连接。
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公开(公告)号：CN103543303B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310232807.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R1/067
CPC classification number: G01R1/0408 , G01R1/06705 , G01R1/44 , G01R3/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够容易地抑制绝缘基板的膨胀、翘曲的检查装置。本申请的发明所涉及的检查装置的特征在于包括：绝缘基板(10)；插座(12)，由在壁面具有贯通孔(12b)的主体部(12a)和固定于该绝缘基板(10)的连接部(12c)一体地形成；以及接触探针(14)，可装卸地固定于该插座(12)。
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