公开(公告)号：CN101431118B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810188598.6

申请日：2006-09-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柳生荣治 ,  石村荣太郎 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/107

Abstract: 本发明提供能够提高量产性的雪崩光电二极管。在InP衬底上作为半导体层而至少依次层叠光吸收层、雪崩倍增层和半导体窗口层，在上述半导体窗口层中形成扩散了Zn的导电区域；在上述半导体窗口层中，上述导电区域周边具有p型周边区域；上述p型周边区域与上述导电区域的外围离开；上述导电区域的端部向上述p型周边区域突出。

公开(公告)号：CN101312221B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810107962.1

申请日：2008-05-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柳生荣治 ,  石村荣太郎 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/107 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供一种可以抑制暗电流以及劣化的半导体受光元件及其制造方法。在n型InP基板(1)上，按顺序生长由n型InP缓冲层(2)、未掺杂GaInAs光吸收层(3)、未掺杂InP扩散缓冲层(4)、以及p型InP窗层(5)构成的半导体结晶。然后，从p型InP窗层(5)到n型InP缓冲层(2)，利用选择刻蚀性低的Br系列刻蚀剂来除去成倾斜型顺台面形状而形成第一台面。然后，从p型InP窗层(5)到未掺杂InP扩散缓冲层(4)的途中利用干刻蚀来精密地除去，而形成直径比第一台面小的第二台面。

公开(公告)号：CN101752446A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910252308.4

申请日：2009-12-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柳生荣治 ,  石村荣太郎 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1075

Abstract: 在以往的雪崩光电二极管中，由于光吸收层为未掺杂型时，工作时的偏置电压高，而光吸收层仅微量掺杂时，其掺杂量难以控制，所以不能容易地制造。为此，本发明提供一种雪崩光电二极管，包括：第一导电类型的衬底；在衬底的主面上从衬底侧依次层叠设置的雪崩倍增层、光吸收层和窗层，窗层的一部分是第二导电类型区，光吸收层包括第一光吸收层和导电率比第一光吸收层高的第二光吸收层。

公开(公告)号：CN101599511A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910128112.4

申请日：2009-02-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中路雅晴 ,  石村荣太郎 ,  柳生荣治

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/105 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1075 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/323 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明得到元件特性偏差少、量子效率高的光半导体装置。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)上依次形成n型DBR层(12)(第一导电型的分布布拉格反射层)、n型InP应变缓冲层(14)(第一导电型的应变缓冲层)、低载流子浓度的i－InGaAs光吸收层(16)(光吸收层)以及p型InP窗层(18)(第二导电型的半导体层)。n型InP应变缓冲层(14)由与n型InP衬底(10)相同的材料构成。形成于n型DBR层(12)与i－InGaAs光吸收层(16)之间的层的总光学长度为入射光的波长λ的半波整数倍。

公开(公告)号：CN100557826C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200480044292.3

申请日：2004-10-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柳生荣治 ,  石村荣太郎 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50

Abstract: 在备有具备第1电极和电连接到该第1电极上的由第1导电型构成的第1半导体层的衬底的雪崩光电二极管中，配置成在上述衬底上至少层叠了雪崩倍增层、光吸收层和能带隙比上述光吸收层的能带隙大的第2半导体层，在上述第2半导体层内形成第2导电型导电区域并将上述第2导电型导电区域电连接到第2电极上。利用该结构可用简易的工序提供低暗电流且长期可靠性高的雪崩光电二极管。此外，留下上述第2导电型导电区域和第2导电型导电区域的周围的第2半导体层，除去在其外周的衬底上层叠的层中的至少光吸收层，从而形成上述光吸收层的侧面。利用该结构可进一步减少暗电流。

公开(公告)号：CN101521245A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200810160917.2

申请日：2008-09-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石村荣太郎 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明的目的在于得到一种能够提高波长稳定性的半导体受光元件。n型InP衬底(11)(半导体衬底)具有彼此对置的下表面(第一主面)和上表面(第二主面)。在n型InP衬底11的下表面从n型InP衬底(11)侧依次形成的n型多层反射层(12)(第一反射层)、吸收层(13)、p型相位调整层(14)和阳极电极(15)(第二反射层)。在n型InP衬底(11)的上表面上形成的防反射膜(17)。n型多层反射层(12)是层叠了折射率不同的半导体层的多层反射层。吸收层(13)的带隙比n型InP衬底(11)小。p型相位调整层(14)的带隙比吸收层(13)大。n型多层反射层(12)和吸收层(13)不通过其他层地接触。