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公开(公告)号：CN108735253B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201710260714.X
申请日：2017-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种非易失性存储器存储系统。非易失性存储器存储系统包括多个存储器单元和存储器控制器，存储器控制器被配置为基于多个读取电压向非易失性存储器装置传输读取命令。非易失性存储器装置基于所述多个读取电压之中的第一读取电压对N个电平之中的第一电平执行第一读取操作，对所述多个存储器单元之中的响应于第一读取电压的导通单元的数量进行计数，根据导通单元的计数的数量与参考单元的数量的比较结果调整所述多个读取电压之中的将要用于对所述N个电平之中的第一电平或第二电平执行第二读取操作的第二读取电压的电平。
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公开(公告)号：CN113138715A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110040137.X
申请日：2021-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了储存控制器、操作其的方法和储存系统。所述储存控制器包括学习模式处理器和储存处理器。学习模式处理器估计由主机在每个时期要请求的请求预测数据，以生成请求预测数据的估计结果值。在主机发出对请求预测数据的读取请求之前，储存处理器基于估计结果值从储存存储器读取请求预测数据以将请求预测数据存储在缓冲存储器中。缓冲存储器的操作速度比储存存储器的操作速度高。
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公开(公告)号：CN112309473A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010397606.9
申请日：2020-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种执行数据的状态整形的存储设备。所述存储设备包括：包括多个页的非易失性存储器件，所述多个页均包括多个存储单元；以及从外部主机设备接收由2m(m是大于1的整数)种状态表示的第一写入数据的控制器。所述控制器在第一操作模式下将所述第一写入数据整形为第二写入数据，所述第二写入数据是由数目小于所述2m种状态的“k”(k是大于2的整数)种状态表示的，对所述第二写入数据执行第一纠错编码以生成由所述“k”种状态表示的第三写入数据，并且将所述第三写入数据发送到所述非易失性存储器件，以写入所述多个页中的选定页。
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公开(公告)号：CN107039072B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201611115475.0
申请日：2016-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；行译码器电路，通过多个字线连接到存储单元阵列；以及页面缓冲器电路，通过位线连接到存储单元阵列。在读操作期间，行译码器电路向所选择的字线施加读电压。在关于连接到所选择的字线的存储单元的N个逻辑页面(N为正整数)中的每个所执行的读操作期间，行译码器电路向所选择的字线施加邻近的N个读电压当中的一读电压，而不向所选择的字线施加邻近的N个读电压当中的其他读电压。邻近的N个读电压包括读电压当中的第二高的读电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110085275A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910211592.4
申请日：2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储系统及其读取方法，所述存储系统包括：比特计数器和回归分析器。比特计数器被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储单元中读取的数据来生成多个计数值，所述多个计数值中的每一个指示具有多个不同的读取电压中的一对读取电压之间的阈值电压的、存储设备的存储单元的数目。回归分析器被配置为使用回归分析而基于所述多个计数值来为所选择的存储单元确定读取电压。
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公开(公告)号：CN103778961B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201310503112.4
申请日：2013-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种在非易失性存储器件中编程数据的方法包括：接收将要在非易失性存储器件的选择的存储单元中进行编程的编程数据；从选择的存储单元读取数据；使用根据编程数据与读取数据的比较从多个编码方案当中选择的至少一个编码方案对编程数据进行编码；产生包括编码信息的标志数据；以及在选择的存储单元中编程已编码的编程数据和标志数据。
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公开(公告)号：CN107797935A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710790427.X
申请日：2017-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0866 , G11C7/10 , G11C7/24
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/061 , G06F3/0619 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06N20/00 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G06F12/0246 , G06F12/0866 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C7/24
Abstract: 本发明提供了一种存储装置，其可包括非易失性存储器装置、缓冲器存储器和控制器。控制器可利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器预测对非易失性存储器装置的第二访问的结果。
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公开(公告)号：CN107025945A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710022359.2
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/26 , G06F3/061 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G11C7/02 , G11C11/5642 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/28 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/50004 , G11C2029/0409 , H05K999/99 , G11C16/3404
Abstract: 一种用于控制非易失性存储器件的方法包括：从该非易失性存储器件中请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。通过非线性滤波操作处理该第一采样值来估计在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。
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公开(公告)号：CN106469570A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610694501.3
申请日：2016-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：非易失性存储器件，包括多个存储器单元，该存储器单元被划分为多个页面；以及控制器，被配置为控制非易失性存储器件。存储器件被配置为：收集要被写入到两个或更多个页面的两个或更多个写入数据分组，基于两个或更多个写入数据分组来与两个或更多个页面同时地执行公共写入操作，以及基于两个或更多个写入数据分组来与两个或更多个页面中的每个顺序地执行单独的写入操作。
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