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公开(公告)号:CN103778962A
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201310511873.4
申请日:2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3422 , G11C16/349
Abstract: 提供了一种存储系统及其读取方法,所述存储系统包括:比特计数器和回归分析器。比特计数器被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储单元中读取的数据来生成多个计数值,所述多个计数值中的每一个指示具有多个不同的读取电压中的一对读取电压之间的阈值电压的、存储设备的存储单元的数目。回归分析器被配置为使用回归分析而基于所述多个计数值来为所选择的存储单元确定读取电压。
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公开(公告)号:CN110085275A
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201910211592.4
申请日:2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储系统及其读取方法,所述存储系统包括:比特计数器和回归分析器。比特计数器被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储单元中读取的数据来生成多个计数值,所述多个计数值中的每一个指示具有多个不同的读取电压中的一对读取电压之间的阈值电压的、存储设备的存储单元的数目。回归分析器被配置为使用回归分析而基于所述多个计数值来为所选择的存储单元确定读取电压。
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公开(公告)号:CN103778962B
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201310511873.4
申请日:2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储系统及其读取方法,所述存储系统包括:比特计数器和回归分析器。比特计数器被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储单元中读取的数据来生成多个计数值,所述多个计数值中的每一个指示具有多个不同的读取电压中的一对读取电压之间的阈值电压的、存储设备的存储单元的数目。回归分析器被配置为使用回归分析而基于所述多个计数值来为所选择的存储单元确定读取电压。
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公开(公告)号:CN110085275B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN201910211592.4
申请日:2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储系统及其读取方法,所述存储系统包括:比特计数器和回归分析器。比特计数器被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储单元中读取的数据来生成多个计数值,所述多个计数值中的每一个指示具有多个不同的读取电压中的一对读取电压之间的阈值电压的、存储设备的存储单元的数目。回归分析器被配置为使用回归分析而基于所述多个计数值来为所选择的存储单元确定读取电压。
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公开(公告)号:CN110277132B
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN201910193672.1
申请日:2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/50
Abstract: 本申请提供了一种通过存储器控制器设置读电压的方法和一种存储装置。所述方法包括:通过将测试读电压施加至选择的字线来控制存储器装置从存储器单元中读数据;从存储器装置接收与存储器装置的读操作相对应的单元计数信息,并且通过利用单元计数信息和成本函数更新所述测试读电压以找到最佳读电压,所述成本函数是针对每个读电压电平确定的;以及通过至少一次地执行控制所述存储器装置和更新所述测试读电压来确定读电压。
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公开(公告)号:CN110277132A
公开(公告)日:2019-09-24
申请号:CN201910193672.1
申请日:2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/50
Abstract: 本申请提供了一种通过存储器控制器设置读电压的方法和一种存储装置。所述方法包括:通过将测试读电压施加至选择的字线来控制存储器装置从存储器单元中读数据;从存储器装置接收与存储器装置的读操作相对应的单元计数信息,并且通过利用单元计数信息和成本函数更新所述测试读电压以找到最佳读电压,所述成本函数是针对每个读电压电平确定的;以及通过至少一次地执行控制所述存储器装置和更新所述测试读电压来确定读电压。
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