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公开(公告)号：CN106057891A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610197247.6
申请日：2016-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7849 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/785 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/1025 , H01L29/1037
Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：缓冲层，在基底上，缓冲层具有与基底的晶格常数不同的晶格常数；鳍状结构，从缓冲层向上突出；栅电极，横跨鳍状结构之上；包覆层，在鳍状结构的侧面并覆盖鳍状结构的顶表面和侧壁；以及界面层，在包覆层和鳍状结构之间，界面层包括与缓冲层相同的元素。
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公开(公告)号：CN105826387A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610037286.X
申请日：2016-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1054 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02532 , H01L29/161 , H01L29/78 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/06 , H01L29/1033
Abstract: 提供了半导体衬底和半导体器件。所述半导体衬底包括底部衬底、底部衬底上的第一硅锗层以及第一硅锗层上的第二硅锗层。第二硅锗层的锗分率在离开底部衬底的方向上减小，并且第二硅锗层的最下面部分的锗分率大于第一硅锗层的最上面部分的锗分率。
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公开(公告)号：CN101409107B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200810148926.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5648
Abstract: 本发明提供了一种对非易失性存储单元编程的方法，所述方法包括：通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程，所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内。通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程。如果第二位是第一值，则第二电压电平与第一电压电平相同，如果第二位是第二值，则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内。通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程。
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公开(公告)号：CN101630068A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910141280.7
申请日：2009-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B27/2214
Abstract: 一种立体图像显示设备，其包括显示面板和图像转换片。所述显示面板包括多个像素单元。每个像素单元具有在第一方向上延伸的Z形状。所述图像转换片包括多个透镜单元。每个透镜单元在第一方向上延伸，并被设置在不同于第一方向的第二方向上。多个透镜单元被彼此平行地设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101566771A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910006221.9
申请日：2009-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/136213 , G02F1/13624 , G02F2001/134345
Abstract: 一种显示装置包括多个像素区域。每个像素区域包括第一子像素区域、第二子像素区域和升压电容器。第一子像素区域和第二子像素区域电连接至升压电容器。升压电容器使第一和第二子像素区域的电压处于不同的电压，以增加显示装置的视角。升压电容器的一个电极(耦合电极)形成在由不透明金属制成的存储电容线上方，使得在不减小像素区域的孔径比的情况下就可以形成附加的升压电容器(Cboost)。本发明还提供了其它特征。
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公开(公告)号：CN101446723A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810178803.0
申请日：2008-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/13624 , G02F1/1393 , G02F2001/134345 , G09G3/3659 , G09G2300/0443 , G09G2300/0447 , G09G2300/0814 , G09G2300/0842 , G09G2320/068
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器，其包括彼此并行排列并顺序传送栅电压的第一和第二栅线；与第一和第二栅线交叉并传送数据电压的数据线；由第一和第二子像素电极构成、并彼此电断开的像素电极；连接到第一栅线、数据线和第一子像素电极的第一开关元件；连接到第一栅线、数据线和第二子像素电极的第二开关元件；穿过电荷共享电容器连接到第一子像素电极的第三开关元件；以及连接到第二栅线和第二子像素电极、并穿过电荷共享电容器连接到第一子像素电极的第四开关元件。
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公开(公告)号：CN101419839A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810213357.2
申请日：2008-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06 , H01L27/115
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/10
Abstract: 本发明提供一种操作三维非易失性存储装置的方法，该方法可提高三维非易失性存储装置的可靠性和效率。操作非易失性存储装置的方法可包括：通过将电荷注入到块的多个存储单元的电荷存储层中来重置非易失性存储装置；通过去除注入到多个存储单元中选择的一个或多个存储单元的电荷存储层中的至少一些电荷来设置非易失性存储装置。
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公开(公告)号：CN101409107A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810148926.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5648
Abstract: 提供了一种对非易失性存储单元编程的方法，所述方法包括：通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程，所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内。通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程。如果第二位是第一值，则第二电压电平与第一电压电平相同，如果第二位是第二值，则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内。通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程。
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公开(公告)号：CN101261816A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810001372.0
申请日：2008-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3696 , G09G2320/0261 , G09G2320/0285 , G09G2320/0673
Abstract: 本发明公开了一种显示装置及其驱动方法。该显示装置驱动方法包括：在第一子帧期间，对液晶层施加根据第一伽玛曲线的第一灰阶显示电压；在第二子帧期间，对液晶层施加根据第二伽玛曲线的第二灰阶显示电压。在所有灰阶区中，第一伽玛曲线和第二伽玛曲线在一个或多个灰阶值处是不连续的。
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