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公开(公告)号：CN117015253A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310488270.0
申请日：2023-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金钟秀 , 姜基煜 , 姜昊锡 , 权殷淑 , 金相模 , 金重赫 , 金志桓 , 南成虎 , 安恩惠 , 安熙春 , 李恩庆 , 张东珍 , 郑多运 , 郑姸淑 , 郑庸植 , 崔炳基 , 崔恩晶 , 崔玹豪 , Y·李 , 赵恕院
Abstract: 提供有机发光器件和包括其的电子设备。所述有机发光器件包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层；由式1表示的第一化合物；和由式2表示的第二化合物，其中环CY11至环CY14、环CY23和环CY24各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团；E1为由式1A表示的基团；k1为1‑5的整数；n11为1‑3的整数；n12为0‑3的整数；X21为N或C(R21a)，X22为N或C(R22a)，X23为N或C(R23a)，并且X21‑X23的至少一个为N；且剩余取代基和变量如本文中所定义的。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115611949A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210833564.8
申请日：2022-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M1为过渡金属；X10为C；X11‑X14、X20、X30‑X36、和X40各自独立地为C或N；环A20和环A40各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团；且R1‑R5、R10、R20、R31、R32、R40、T1、b10、b20、b31、b32、和b40如本文中所定义的。式1
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公开(公告)号：CN114628397A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111520524.X
申请日：2021-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 本发明构思涉及一种半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括具有第一区、第二区和第三区的衬底，且栅电极在第一区和第二区中彼此间隔开。该半导体器件还包括：与栅电极交替堆叠的层间绝缘层；穿过第一区中的栅电极的沟道结构；穿过第二区中的栅电极的第一虚设结构，第一虚设结构与第一区相邻设置；穿过第二区中的栅电极的第二虚设结构，第二虚设结构与第三区相邻设置并具有与第一虚设结构不同的形状；以及穿过第三区中的栅电极的支撑结构。每个第二虚设结构的尺寸大于每个支撑结构的尺寸。
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公开(公告)号：CN110642846A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910559153.2
申请日：2019-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D405/10 , C07D409/10 , C07D491/048 , C07D495/04 , C09K11/00 , H01L51/50 , H01L51/00
Abstract: 公开了有机发光器件，其包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中所述发射层包括预定的主体和热激活延迟荧光发射体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427806A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810653341.7
申请日：2018-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11524 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括位于基底上的多个块。沟槽设置在多个块之间。导电图案形成在沟槽内部。沟槽中的最外面的沟槽的下端形成在比与最外面的沟槽相邻的沟槽的下端的水平高的水平处。多个块中的每个包括交替且重复地堆叠的绝缘层和栅电极。柱沿与基底的上表面正交的方向穿过绝缘层和栅电极。
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公开(公告)号：CN111755612B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202010255028.5
申请日：2020-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/165 , H10K85/60
Abstract: 提供有机发光器件，其包括：第一电极；第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层；所述有机层包括发射层；所述发射层包括主体、冷却掺杂剂和敏化剂，其中所述冷却掺杂剂和所述敏化剂满足条件1和2，在条件1和2中，T衰减(CD)为所述冷却掺杂剂的衰减时间，和T衰减(S)为所述敏化剂的衰减时间： T衰减(CD) T衰减(CD)
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公开(公告)号：CN119552196A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411233073.5
申请日：2024-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M1为过渡金属；Y1‑Y3各自独立地为C或N；R4为取代或未取代的C1‑C60烷基；环CY2至环CY5各自独立地为C5‑C60碳环基团或C1‑C60杂环基团；L1为单键、O、S、Se、N(R61)、B(R61)、C(R61)(R62)、或Si(R61)(R62)；a1为1、2、3、4、或5；b20、b30、b40、和b50各自独立地为1、2、3、4、5、6、7、8、9、或10；并且式1的剩余基团如本文中所提供的。式1#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115677782A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210867153.0
申请日：2022-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物和包括其的有机发光器件。所述有机金属化合物由式1表示，其中，M1为过渡金属，X10、X11、X20、X30、和X40各自独立地为C或N，条件是X10和X11之一为N，且X10和X11的另一个为C，环A10为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团，环A10存在或不存在，当环A10存在时，环A10为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团，其中X12和X13各自为C，且当环A10不存在时，X12为C(R11)且X13为C(R12)，环A11为吡唑环或咪唑环，环A20、A30、和A40各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团，并且R10、R11、R12、R20、R30、和R40的至少一个为由式2表示的基团，其中其余基团和参数如本文中所描述的。
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公开(公告)号：CN114765185A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111477154.6
申请日：2021-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体存储器器件，包括：第一衬底，包括第一区域和第二区域；堆叠结构，仅在第一衬底的第一区域和第二区域中的第一衬底的第一区域上，堆叠结构包括字线；层间绝缘膜，覆盖堆叠结构；虚设导电结构，在层间绝缘膜内部，虚设导电结构延伸穿过堆叠结构以与第一衬底接触；以及板接触插塞，在层间绝缘膜内部，板接触插塞与第一衬底的第二区域连接，并且虚设导电结构的上表面相对于第一衬底的上表面的高度大于板接触插塞的上表面相对于第一衬底的上表面的高度。
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