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公开(公告)号：CN101430933B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200810177840.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C2211/5646
Abstract: 本发明的快闪存储器件被配置用来对每单位单元中多个比特编程，其中依据被选中进行编程的比特的最在前的比特的编程是否被跳过来设置被选中比特的编程条件。结果，即使在中间比特的编程被跳过时，也可以准确地进行编程和读取操作。
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公开(公告)号：CN103083029A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210427967.9
申请日：2012-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B6/00
Abstract: 提供一种光子计数检测器以及光子计数和检测方法。所述光子计数检测器包括：读出电路，被构造为对入射到传感器的多能辐射中的光子计数，其中，针对多能辐射的多个能带中的每个能带对光子计数，读出电路分别与多能辐射照射到的区域的像素对应，每个读出电路被构造为对多能辐射的多个能带中的一个预定能带中的光子计数，一部分读出电路被构造为对多能辐射的除了多个能带中的一个预定能带以外的至少一个能带中的光子计数。
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公开(公告)号：CN102711612A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180005598.8
申请日：2011-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: G06T7/0016 , A61B6/481 , A61B6/482 , A61B6/486 , A61B6/5205 , G06T7/254 , G06T2207/10116 , G06T2207/30004 , G06T2207/30101
Abstract: 本发明提供了一种处理多能X射线图像的方法和系统。通过所述方法和系统，可使用X射线检测器获取多个目标图像，并且可对获取的目标图像执行信号处理，从而检测并读取良性/恶性病变或肿块，其中，所述X射线检测器使得能够针对应用了造影剂的目标以预定时间间隔执行能量区分。
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公开(公告)号：CN101188142B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200710199927.2
申请日：2007-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3454 , G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643
Abstract: 一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元。所述方法包括将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括通过第一校验电压执行的第一校验读取操作、确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作以及根据所述确定重编程所选择的存储器单元。重编程所选择的存储器单元包括通过第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。
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公开(公告)号：CN101089994B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200710109018.5
申请日：2007-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜东求
CPC classification number: G11C8/10 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C2211/5646
Abstract: 提供了一种非易失性存储器器件及其方法。该示例的非易失性存储器器件可以包括：多个主单元，该多个主单元中的每个被排列在多个字线之一和多个主位线对之一之间的第一相交区域；以及多个标志单元，该多个标志单元的每个被排列在多个标志位线对和多个字线中的一个之间的第二相交区域，该多个标志单元的每个被配置来以这样一种方式存储页信息，使得与对应于主位线对之一的主单元相关联的页信息，被存储在与多于一个所述标志位线对相对应的各标志单元中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101071641B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200710128277.2
申请日：2007-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C2211/5642
Abstract: 在一个实施例中，非易失存储装置包括多个常规存储单元，以及至少一个与多个常规存储单元中的一个相关联的标记存储单元。常规页缓冲器被配置为存储从多个常规存储单元中的一个读取的数据。常规页缓冲器包括存储读取数据的主锁存器。控制电路被配置为在读取操作期间基于标记存储单元的状态选择性地改变存储在主锁存器中的数据。
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公开(公告)号：CN101751994A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910222874.0
申请日：2006-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C8/08 , G11C16/08
Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括：系列连接的一串第一至第N非易失性存储单元，连接在第一和第二选择晶体管之间；第一和第二伪单元，分别介于第一选择晶体管与第一非易失性存储单元之间、以及第二选择晶体管与第N非易失性存储单元之间；其中每个非易失性存储单元由相应的普通字线选通，而且第一和第二伪单元中的每一个由相应的伪字线选通；以及驱动器块，包括普通字线驱动器和伪字线驱动器，伪字线驱动器能够相对于普通字线驱动器独立地与接收的地址相关地工作。
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公开(公告)号：CN101335047A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810129293.8
申请日：2008-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜东求
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/3454
Abstract: 一种闪存装置包括单元阵列和读电压调节器。所述单元阵列包括具有第一存储单元的第一区域和具有第二存储单元的第二区域。所述读电压调节器参考从第二区域的存储单元读取的第二数据来确定用于从第一区域的第一存储单元读取第一数据的读电压。
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公开(公告)号：CN101325089A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810125981.7
申请日：2008-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2216/14
Abstract: 一种非易失性存储器件的读取方法，包括：从存储指示初始阈电压的信息的阈电压信息单元中读取索引单元的初始阈电压值；从所述索引单元确定当前阈电压值；以及将所述初始阈电压值与所述当前阈电压值进行比较以计算所述索引单元的偏移阈电压电平。利用偏移阈电压电平改变读取电压，以使用改变的读取电压读取用户数据。
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公开(公告)号：CN101256838A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810088168.7
申请日：2008-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜东求
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/3454 , G11C2211/5621
Abstract: 公开了一种存储多位写入数据的半导体存储器设备，以及验证编程到存储器单元的数据的相关方法。该方法将从写入数据中选择的写入数据参考位与表示想要的写入数据位值的相应的外部数据位进行比较，并且仅当写入数据参考位与相应的外部数据位之间的比较结果为肯定时，才验证从写入数据中选择的目标位。
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